电力电子器件

本导图主要讲述电力电子技术第一章电力电子器件，主要按不可控型、半空型、可控型器件进行介绍，内容丰富全面且简单明了，值得收藏学习哦！

电力电子器件

• 1.1 电力电子器件概述
  • 1.1.1 电力电子器件的基本概念
    • 电力电子装置的作用：将输入电能经功率变换器变换后输出另外一种或多种电能，或者电气隔离。
    • 电力电子器件：在电力电子装置中直接承担电能变换或控制的电子器件称为电力电子器件。
    • 常用的分类方法： 按可控性分类、 按载流子分类、 按驱动信号性质分类。
      • 1．按可控性分类
        • 不可控器件：电力二极管（Power Diode）
        • 半控器件：晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件（除 GTO外）
        • 全控器件：绝缘栅双极晶体管IGBT、电力场效应晶体管Power MOSFET、门极可关断晶闸管GTO等
      • 2．按载流子分类
        • 单极型器件：电力场效应晶体管POWER MOSFET和静电感应晶体管 SIT
        • 双极性器件：晶闸管SCR、门极可关断晶闸管GTO和电力晶体管GTR
        • 复合型器件：IGBT
      • 3．按驱动信号性质分类
        • 电流驱动型器件：晶闸管SCR、电力晶体管GTR。特点是：工作频率低、驱动电路复杂等
        • 电压控制型器件：电力MOSFET、 绝缘栅双极晶体管IGBT。特点是：输入阻抗高、工作频率高等
  • 1.1.2 电力电子器件的开关模型与基本特点
    • 电力电子器件的基本特点：具有开关特性
    • 如图1-1所示，有三个端，其中A和B代表开关的两个主电极， K是控制开关通断的控制极。 “通态”：通态时其电阻接近为零。 “断态”：断开时其电阻接近为无穷大
    • 具有共同的基本特点
      • 1.具有开关特性
      • 2.存在功率损耗
      • 3.处理的电功率范围大
      • 4.需要散热处理
      • 5.存在安全工作区域
  • 1.1.3 电力电子器件的作用
    • 装置通常是由控制电路（Control Circuit）和检测电路（Detecting circuit） 驱动电路（Driving Circuit）、主电路（Power Circuit）等几部分组成。
    • 各部分在电力电子装置中所起的主要作用: 1）电力电子器件是主电路实现电能变换的核心； 2）控制电路为电力电子器件提供控制信号的； 3）驱动电路是用来驱动电力电子器件开通与关断的； 4）电力电子装置还应包含保护电路和电气隔离元件。 这几部分都与电力电子器件密切相关。 电力电子器件是电能变换的核心。
• 1.2 电力二极管
  • 电力二极管 （Power Diode）也称为功率二极管或半导体整流器（Semiconductor Rectifier，简称SR），属于不可控电力电子器件
  • 拓展：
  • 1.2.1 PN结的工作原理
    • 1.在P和N区交界面附近，形成一个空间电荷区 2.正负电荷相互作用，形成内电场 3.薄层形成的空间电荷区称为PN结 4.电位差对载流子而言是一种势垒 5.无多数载流子，也称为耗尽层 以上5点指同一区域
    • PN结具有单向导电性
      • 外加正向电压时导通； 反向电压时为高阻态，几乎无电流，反向截止状态。
    • PN结的反向击穿
      • 雪崩击穿与齐纳击穿
      • 均可能导致热击穿
    • PN结的电容效应
      • 称为结电容 Cj ，又称为微分电容
      • 分为势垒电容CB和扩散电容CD
        • 势垒电容在外加电压变化时起作用
        • 扩散电容在正向偏置时起作用
      • 结电容影响PN结的工作频率
  • 1.2.2 电力二极管的工作特性
    • 1.伏安特性（静态特性）
      • 正向电压大到一定值（门槛 电压Uth),正向电流才开始明显增加，稳定导通
      • 与IF对应的电压即为其正向电压降UF
      • 承受反向电压时，只有微小的反向漏电流
    • 2.开关特性（动态特性）
      • （1）关断特性：
        • 关断前有反向电流; 反向电压过冲。 存在结电容和线路电感 延 迟 时 间：td=t1-t0 电流下降时间：tf =t2- t1 反向恢复时间：trr=td+ tf
      • （2）开通特性
        • 导通时，先出现一个过冲UFP 。 然后，稳定某个值（如1V）。 正向恢复时间tfr。 电流上升率越大， UFP越高 。
  • 1.2.3 电力二极管的主要参数
    • 1.正向平均电流ID(AV)
      • 指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
      • 对于工频正弦半波电流波形来说，波形系数：
      • 波形不同比值不同，对于“工频正弦半波”比值为1.57。 最大电流有效值1.57 ID(AV) 不会随波形改变。
    • 2.反向重复峰值电压URRM
      • 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。 使用时，应当留有2-3倍的裕量。
    • 3.正向压降UF
      • 指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。
    • 4.反向漏电流 IRRM
      • 当器件承受反向重复峰值电压时，其反向电流用 IRRM表示。
    • 5.最高工作结温TJM
      • 用TJM表示
      • PN结所能承受的最高平均温度
      • TJM通常在125～175C
    • 6.最大允许非重复浪涌电流浪涌电流IFSM
      • 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。
      • 它体现了二极管抗短路冲击电流的能力
  • 1.2.4 电力二极管的主要类型以及制作材料
    • 1.普通二极管（General Purpose Diode）
      • 又称整流二极管（Rectifier Diode），多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。
      • 其反向恢复时间一般在5us以上
      • 等级齐全，有等级很高的品种
    • 2.快恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD）
      • 恢复过程很短，一般在5us以下
      • 可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns
    • 3.肖特基二极管（Schottky Barrier Diode——SBD）
      • 是贵金属（金、银等）为正极，以N型半导体为负极，利用接触面上的势垒的金属-半导体器件
      • 反向恢复时间很短（10~40ns）
      • 正向压降小，0.3V左右
      • 但目前肖特基二极管反向耐压不高。
• 1.3 晶闸管及其派生器件
  • 晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器。 导通后门极失去作用：晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
  • 1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
    • 四层PNPN（P1-N1 –P2 –N2 ）的电力电子器件。 在内部形成三个PN结J1、J2、J3。 引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端。
    • 简化的内部半导体结构图表示，如图1-10a）所示。 电气图形符号如图1-10b）所示。 外形有很多类型，螺栓式和平板式如图1-10c）所示
    • • 三极管共基极电流放大倍数：
      • 当IC＝０时， an＝０，随着IC的增加，an 也增加， IC为某一值时，an达到最大值。随后，an减小。
      • 考虑漏电流：
    • • 将晶闸管N1层和 P1层各分为两部分， 由PNP型和NPN型两个晶体管的互连 如图1-12a）所示。 一个晶体管的集电极同时又是另一管的基极状态。
      • 按照晶体管工作原理，可列出如下方程： 式中a1和a2分别是晶体管VT1和VT2的共基极电流增益； ICO是流过 J2结的反向漏电流。
      • 由以上式（1-5）~（1-8）可得
        • 在低发射极电流下IG=0，a1+a2是很小的， 电流增大，a迅速增大。因此： 阻断状态：IG=0，a1+a2是很小的。流过晶闸管的电流只是漏电流。 开通：正向电压时，注入触发电流IG，则IK , IC2 , IA 增加,以致a1+a2趋于1,饱和导通。
      • 三种状态
        • 说明： 1）开通过程是一个正反馈的过程。 2）门极触发电流需要一定幅值。 3）若要使已导通的晶闸管关断，则要使阳极电流小于某个电流值。 4）当晶闸管阳极电压很高时； du/dt过高时； 结温很高时， 引起误导通，应当避免。
        • 导通状态
          • 导通后门极失去作用：晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
          • 1、正向的阳极电压；
          • 2、正向的门极电流。
        • 正向阻断状态
          • 降低电压包括加反压
          • 改变负载比如增加负载电阻
        • 反向截止状态。
          • 承受反向电压，晶闸管不导通
  • 1.3.2 晶闸管的基本特性
    • 1．晶闸管的伏安特性（静态特性）
      • 指晶闸管阳极电压和 阳极电流 之间的关系
      • （1）正向特性
        • 当IG=0时，施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态。
        • 如果超过正向转折电压UBO，则漏电流急剧增大，器件开通 （应避免）
        • 门极电流增大，正向转折电压降低。晶闸管通态压降很小，1V左右。
        • 如果门极电流为零，且阳极电流降至IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。 IH称为维持电流。
      • 图1-13 晶闸管的伏安特性
      • （2）反向伏安特性
        • 其伏安特性类似二极管反向特性。
        • 反向时，只有极小的反向漏电流。
        • 当反向电压到反向击穿电压后，则反向漏电流急剧增大，导致发热损坏。
      • （3）门极伏安特性
        • 晶闸管的门极和阴极间有一个PN结的伏安特性。
        • 极限高阻（曲线OD） 极限低阻（曲线OG） 瞬时功率极限 平均功率极限 OABCO区域，在此区域内为不可靠触发区 ABCDEGA为允许可靠触发区。
        • 但推荐的安全可靠触发区为ABCFH
    • 2.动态特性 (开关特性)
      • 晶闸管的动态特性就是晶闸管的开关特性
      • （1）开通过程
        • 晶闸管触发后，其阳极电流的增长不可能是瞬时的。
        • 延迟时间td (0.5~1.5us)， 上升时间tr (0.5~3us)， 开通时间ton=td+tr
      • 图1-15晶闸管的开关特性
      • （2）关断过程
        • 阳极电流在衰减时必然也是有过渡过程的。
        • 反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间tq=trr+tgr 关断时间约几百微秒。
        • 在正向阻断恢复时间内，如果施加 正向电压，晶闸管会重新正向导通。
  • 1.3.3 晶闸管的主要特性参数
    • 1.晶闸管的电压参数
      • （1）断态不重复峰值电压UDSM
        • 门极开路时，正向阳极电压上升到正向伏安特性曲线急剧弯曲处所对应的电压值，低于Ubo。
      • （2）断态重复峰值电压UDRM
        • 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。
        • UDRM为UDSM的90%。
      • （3）反向不重复峰值电压 URSM
        • 对应于反向伏安特性曲线急剧弯曲处的反向峰值电压值。
      • （4）反向重复峰值电压 URRM
        • 是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
        • 规定反向重复峰值电压URRM为URSM的90%。
      • （5）额定电压
        • 将断态重复峰值电压 UDRM和反向重复峰值电压URRM 中较小的那个值。
        • 晶闸管的额定电压一般取电路正常工作时晶闸管所承受工作电压峰值的2～3倍。
      • （6）通态平均电压 UT
        • 通过正弦半波的额定通态平均电流和额定结温时，晶闸管阳极阴极间电压降的平均值，称为通态平均电压，常称管压降。
    • 2.晶闸管的电流参数
      • （1）额定通态平均电流 IT(AV）
        • 国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
        • 按发热效应原则。100A的晶闸管最大通过电流有效值为157A。
        • 安全裕量1.5~2倍。 100A的晶闸管，若考虑2倍安全裕量，允许通过的电流有效值为78.5A。
      • （2）维持电流IH
        • 维持电流是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流
        • 一般为几十到几百毫安
      • （3）擎住电流 IL
        • 擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，维持导通所需的最小电流，约为IH的2~4倍
      • （4）浪涌电流ITSM
        • 指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。
    • 3.动态参数
      • （1）断态电压临界上升率du/dt
        • 在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。
        • 电压上升率过大，就会使晶闸管误导通
      • （2）通态电流临界上升率di/dt
        • 在规定条件下，晶闸管能承受而不会导致损坏的最大通态电流上升率
    • 4.门极参数
      • （1）门极触发电流IGT与门极触发电压UGT
        • 使晶闸管从从阻断状态转变为导通状态所需的最小门极直流电流即为门极触发电流
        • 对应的门极直流电压即为门极触发电压
        • 脉冲触发时，门极电流脉冲幅值可取3-5倍IGT
      • （2）门极反向峰值电压 GFM
        • 门极反向峰值电压 是指门极所能承受的最大反向电压，一般不超过10V
        • 子主题
  • 1.3.4 晶闸管的派生器件
    • 1.快速晶闸管（FST）
      • 快速晶闸管的开关时间以及du/dt和di/dt的耐量都有了明显改善。
      • 开关损耗小
      • 一般通态电流上升率 A/µs，断态电压临界上升率 V/µs大
      • 由于工作频率较高，选择快速晶闸管的通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应
    • 2.双向晶闸管（TRIAC）
      • 可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成
      • 在第Ｉ和第III象限有对称的伏安特性。
      • 不用平均值而用有效值来表示其额定电流值
      • 有3个引出端
    • 3.逆导晶闸管（RCT）
      • 是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。
      • 具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。
      • 可用于不需要阻断反向电压的电路中。
    • 4.光控晶闸管（LTT）
      • 是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。
      • 保证了主电路与控制电路之间绝缘，避免电磁干扰。
      • 应用在高压大功率的场合。
      • 如图所示，光照强度不同，其转折电压亦不同。
  • 1.3.5 门极可关断晶闸管GTO
    • 门极可关断晶闸管（Gate Turn Off Thyristor—GTO）的基本结构与普通晶闸管相同。具有4层PNPN结构，GTO的内部包含着数百个小GTO单元，各极分别并联在一起。
    • 1. GTO工作原理
      • GTO的PNPN四层结构可用双晶体管模型分析，见图1-12a）。导通机理与SCR相同， GTO的关断机理不同：
      • 设计a2较大，使T2灵敏，易于关断。
      • 多元集成结构，P2基区横向电阻小，抽出较大电流。
      • 导通时a1+a2更接近1，临界饱和，有利门极关断。
    • 2. GTO的开关特性
      • GTO开通特性。如图1-22所示。与SCR相同。
      • GTO关断特性。
        • 储存时间ts 下降时间tf 尾部时间tt 关断时间toff =ts+ tf 一般小于2us，不包 括尾部时间tt比ts要长，注意区别
        • 子主题
    • 3. GTO的几个概念
      • 电流关断增益βoff
        • 最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM之比。
        • βoff一般很小，只有3 ～ 5左右，是主要缺点。
      • GTO类型
        • 逆阻GTO，可承受正反向电压，但正向导通压降高，快速性差。
        • 逆导型GTO ，为感性无功分量提供续流通路
        • 非逆阻GTO，不能承受阳极反压，如有反压，应串联二极管加以保护
• 1.4 电力晶体管 GTR
  • 电力晶体管GTR（Giant Transistor）也称为巨型晶体管。 也是双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor)， 所以英文有时候也称为Power BJT。 GTR是全控型器件。 因为其存在二次击穿和驱动功率较大等缺点， 大多已被IGBT和电力MOSFET所取代。
  • 1.4.1 GTR的结构和基本特性
    • 1. GTR的结构和电气符号
    • 2. 静态特性
    • 3. 动态特性
      • （1）开通过程
      • （2）关断过程
  • 1.4.2 GTR的主要参数
    • 1.击穿电压 2.集电极最大允许电流ICM
    • 3.集电极最大耗散功率PCM
  • 1.4.2 GTR的二次击穿现象与安全工作区
    • 1. GTR的二次击穿现象
      • 当GTR的集电极电压升高至击穿电压BUCEO时，集电极电流迅速增大，雪崩击穿，被称为一次击穿。 一次击穿后，Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。 二次击穿常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变。
    • 2. 安全工作区（Safe Operating Area——SOA）
• 1.5 电力场效应晶体管 Power MOSFET
  • 电力场效应晶体管Power MOSFET是一种电压控制器件。
  • 1.5.1 电力MOSFET的结构和工作原理
    • 1.电力MOSFET的结构
      • 电力MOSFET是单极型晶体管。 低压横向导电的，简称LDMOS。高压垂直导电型的，称为垂直双扩散器件，简称。 电力MOSFET也是多元集成结构。 引出三个极，D为漏极，S为源极，G为栅极。
    • 2.电力MOSFET的工作原理
      • 截止：当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零时，A路径PN结J1反偏，漏源极之间无电流。
      • 导通：在栅源之间加正电压UGS，大于UT开启电压。 （正电压将下面P区空穴推开，而将P区中的少子(电子)吸引。）
      • 使P型半导体反型而成N型半导体。
      • 使PN结J1消失，电力MOSFET导通，见图中的A路径。
      • 体内二极管 ■从S到D，一个寄生二极管。 ■见B路径，二极管导电路径与B路径箭头方向相反。 ■相当反并联二极管。
  • 1.5.2电力MOSFET的基本特性
    • 1. 静态特性
      • 转移特性
        • 指漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系。
        • 曲线的斜率被定义MOSFET的跨导Gfs，即
      • 输出特性
        • 是MOSFET的漏极伏安特性。
        • 有截止区（对应GTR的截止区）、饱和区（对应GTR的放大区）、非饱和区（对应GTR的饱和区）三个区域。
        • 工作在开关状态，在截止区和非饱和区之间转换。
    • 2. 动态特性
      • 开通过程 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 开通时间ton= td(on)+tr
      • 关断过程 关断延迟时间td(off) 电流下降时间tf 关断时间toff = td(off)+tf
    • 3.电力MOSFET的 特点
      • 电力MOSFET开关时间在10～100ns之间，是主要电力电子器件中最高的。
      • 电力MOSFET是场控器件，在静态时几乎不需要输入电流。
      • 开关过程中需要对输入电容Cin充放电。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。
      • 选择合适的 栅极电阻RG减小时间常数，加快开关速度（过小的RG 可能会引起漏源电压振荡）。
  • 1.5.3 电力MOSFET的主要参数
    • 1. 漏源额定电压 UDS
      • UDS是标称电力MOSFET电压定额参数。 所能承受的最高电压。 留有一定的安全裕量。
    • 2. 漏极额定电流ID 和漏极峰值电流 IDM
      • ID是指允许通过MOSFET连续直流电流的最大值。 IDM指允许通过MOSFET脉冲电流的最大值，它反映了MOSFET瞬时过载能力。
    • 3. 栅源电压 UGS
      • 指栅极与源极之间的电压。 绝缘层很薄，防止电压过高发生电击穿。 一般其极限值为±20V。
    • 4.极间电容
      • 栅源极结电容CGS 栅漏极结电容CGD 漏源极结电容CDS
    • 5. 通态电阻 RON
      • 电力MOSFET饱和导通时漏源电压与漏极电流的比值。它是影响最大输出功率的重要参数。 RON具有正的温度系数，易于并联使用。 有些耐压低的MOSFET通态电阻很小。
    • 6. 最大耗散功率 PD
      • 最大耗散功率表示器件所能承受的最大发热功率。
    • 7. 跨导gm
      • 跨导gm定义为 一般来说 电力MOSFET不存在二次击穿问题 安全工作区宽 可靠性高。
• 1.6 绝缘栅双极晶体管IGBT
  • 1.6.1 IGBT的结构和工作原理
    • IGBT的结构
      • 
        • 其简化等效电路如图c。 简化等效电路表明，IGBT是用GTR与MOSFET组成的达林顿结构。 IGBT具有很强的通流能力。
      • 
        • 三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。 如图所示，比VDMOSFET多一层P+注入区。 从C到E有两个路径，一个路径为PNP，另一个由PNP基区连接MOSFET。
    • IGBT的驱动原理
      • IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同。
      • 当栅极与发射极间电压小于UGE(th)，MOSFET 内沟道消失，IGBT关断。
      • 当 UGE为正且大于开启电压UGE(th) 。 栅极下的P层表面形成N沟道，形成导通的通道。
      • 导通电阻急剧降低（电导调制效应）
      • 具有低的通态压降。
  • 1.6.2 IGBT的基本特性和主要参数
    • 1. 静态特性
      • 转移特性
        • 描述的是集电极电流 IC与栅射电压UGE之间的关系。
        • 开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最低栅射电压。
      • 输出特性
        • 也称伏安特性
        • 以栅射电压为参考变量时，电流IC与集电压UCE之间的关系。
        • 分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。
        • 主要工作在饱和导通区和正向阻断区。
    • 2. 动态特性
      • 开通过程 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tri 电压下降时间tfv 开通ton= td(on)+tri+ tfv tfv分为tfv1和tfv2两段
      • 关断过程 关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi 关断时间toff = td(off) +trv+tfi tfi分为tfi1和tfi2两段
      • PNP的存在，IGBT开关速度低于MOSFET。
  • 1.6.3 IGBT的擎住效应和安全工作区
    • 1. IGBT的擎住效应
      • 
      • 除MOSFET和PNP外，在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管。见图中“NPN”；PNP存在体区短路电阻RE
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        • 等效电路如图。 电流小时， RE压降小无影响。 电流大时，P形体区的RE产生压降，相当于对J3结施加一个正向偏压。 一旦J3开通，电流失控。 这种现象称为擎住效应或自锁效应。
    • 2. IGBT安全工作区
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        • 正向偏置安全工作区（FBSOA） ■根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。 ■ 与IGBT导通时间长短有关。
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        • 反向偏置安全工作区(RBSOA) ■根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率dUCE/dt确定。 ■ 如图1-34b)所示
  • 1.6.4 NPT型IGBT简介
    • 若采用同质单晶体硅片和扩散注入式工艺的器件，与PT型IGBT相反，故称非穿通型NPT型IGBT。
    • NPT芯片并联已经在牵引机车中应用。
• 1.7 其他电力电子器件
  • 1.7.1 智能功率模块与功率集成电路
    • 智能功率模块（Intelligent Power Module，IPM）IPM一般指IGBT智能模块，以IGBT为开关器件
    • 将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）
      • 功率集成电路又可分为高压功率集成电路（HVIC）、智能功率集成电路（SPIC）。
  • 1.7.2 电子注入增强栅晶体管IEGT
    • IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件。
    • IEGT的电气符号相当于IGBT外加反并联二极管，故它对外也引出共3个端子，分别称为集电极C、发射极E和栅极G
  • 1.7.3 MOS控制晶闸管MCT
    • MCT（Mos Controlled GTO）是MOS和GTO的复合器件。
  • 1.7.4 集成门极换流晶闸管IGCT
    • IGCT由主开关器件GCT和硬门极驱动电路集成而成。GCT是IGCT的核心器件。
  • 1.7.5 静电感应晶体管SIT
    • 是一种结型场效应晶体管，也称静电感应晶体管。
    • 是一种结型场效应晶体管，也称静电感应晶体管。
  • 1.7.6 静电感应晶闸管SITH
    • 又被称为场控晶闸管（Field Controlled Thyristor——FCT），本质上是双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。 可以看作是SIT与GTO复合而成。
  • 1.7.7 基于宽禁带半导体材料的电力电子器件
    • 禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(eV))