模拟电子技术基础

本导图整理了模拟电子技术基础的知识内容，包括半导体特征、半导体二极管、双极结性二极管等，希望梳理的内容对你有所帮助！

模拟电子技术基础

• 第一章：半导体器件
  • 半导体特征
    • 本征半导体
      • 定义：纯净的不含杂质的半导体
      • 本征半导体中载流子的浓度,除了与半导体材料本身的性质有关外，还与温度密切相关
    • 杂质半导体
      • N型半导体：在4价的硅晶体中掺入少量5价杂质元素
        • 电子是多数载流子，空穴是少数载流子
      • P型半导体：在4价的硅或锗晶体中掺入少量3价杂质元素
        • 空穴是多数载流子，电子是少数载流子
  • 半导体二极管
    • PN结及其单向导电性
      • PN结：一块半导体的一侧为P型另一侧为N型，则在二者的交界处将形成一个PN结
      • PN结的单向导电性
        • PN结上加一个电压V，正极接P，负极接N。这种接法称为正向偏置
          • 利于多数载流子的扩散运动，而不利于少数载流子的漂移运动
        • PN结上加一个电压V，正极接N，负极接P。这种接法称为反向偏置
          • 利于少数载流子的漂移运动，而不利于多数载流子的扩散运动
    • 二极管的伏安特性
    • 二极管的主要参数
    • 稳压管
  • 双极结性二极管
    • 三极管的结构
      • 分为PNP,和NPN，内部都包含三个区：发射区，基区，集电区
    • 三极管中载流子的运动和电流分配关系
      • 特点
        • 发射区高参杂
        • 基区很薄
        • 发射结正向偏置，集电结反向偏置
• 浮动主题