寿命专项

寿命专项：TFT：VSS设定 无影响；Nscan电压；T3W/L；EL效率：RGB衰减度差异；C6材料效率。

寿命专项

• TFT
  • VSS设定
    • 无影响
  • Nscan 电压
    • 降低NVGL/NVGH压值
      • 压差降低有利寿命
      • NVGL正调 -8V→-6.8V;
      • NVGH负调 7.5V→6.8V
  • Mobility增加
    • data写入能力增强
      • 补偿能力轻微改善
  • DR/SS ↑
    • 电流变化率 ↓
    • PB2加厚
      • DTFT_Vth 负偏
  • T3 W/L
    • W↓
      • Ion ↑
        • Q 点电位更难降低
      • 寄生电容↓
        • Couple效应↓
• EL效率
  • C4 材料 vs C6 材料
  • C6 材料效率↑
    • I density 下降
      • 工作时EL材料损伤↓
        • 寿命↑
  • RGB 衰减度差异
    • B Ef & Lv 衰减最快
    • G I 衰减最快
    • R 均居中