导图社区 卤烃
这是一篇关于卤烃的思维导图,其中包含常见亲核取代反应,亲核取代中的邻基参与,亲核取代的影响因素等内容。
这是一篇关于烯烃的反应的思维导图,其中包含了不对称烯烃亲电加成的 区域选择性:马氏规则等内容。
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英语词性
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卤烃
亲核取代反应
SN2反应
低级卤烃
亲电试剂Lewis碱,电中性或带负电荷
Rate=k*[RX]*[Nu]速率与底物浓度和试剂浓度有关
成键断键同时发生(一步反应)
立体化学:亲核试剂背面进攻,中心碳原子(sp2杂化)构型完全翻转
空间位阻影响反应速率,甲基卤烃>1>2>3
SN1反应
高级卤烃
Rate=k*[RX]
反应速率与卤烃浓度有关
机理:二步反应,决速步骤为第一步脱卤
立体化学:底物中心是手性的,则产物可能是一对外消旋体
碳正离子的重排
碳正离子稳定性决定速率,3>2>1>CH2X
亲核取代的影响因素
底物烃基结构的影响
高级SN1,低级SN2
烯丙型和苄型卤化物反应活性高
卤乙烯和卤苯型难反应
桥头碳难反应
离去基团- L的影响
越易离去稳定性大越易反应
强酸的共轭碱(弱碱)是好的离去基团
离去基团稳定性:C6H5SO3->I->H2O>Br->Cl->F->CH3COO-
基团离去能力顺序
苯磺酸>I>OH>Br>Cl>F>甲氧基
亲核试剂Nu的影响
提高Nu浓度只增加SN2速率
Nu 的亲核性
提供电子
亲核性强对2有利,弱对1有利
大多情况与碱性次序一致
质子性溶剂改变亲核性与碱性的关系(次序相反)
越靠近左上角越容易
负离子比中性的强
溶剂的影响
质子性溶剂利于1,极性大利于1
极性非质子溶剂利于2
DMF,DMSO
常见亲核取代反应
Williamson醚合成
不易用高级卤烃,因为强碱下E2消除
增长碳链
一级卤烃(主要)与氰化钠/钾反应成腈
再合成多一个碳的羧酸/胺
AgNO3鉴别卤代烃
3>2>1
RI>RBr>RCl
制备胺的反应
RX过量可得高级胺
卤交换反应
碘化物的形成
亲核取代中的邻基参与
两步SN2
手性C构型保持
- Z带未共用电子对作亲核试剂,常位于离去基团B位或更远
消除反应
区域选择性
扎伊采夫规则
位阻较小碱,主要生成烯碳上取代个数多的产物
扎伊采夫规则的反例
优先得到共轭烯烃
无与卤素处于反式的BH
立体选择性
反式烯烃
机理
E1反应
机理:两步反应,C-X键先断,形成碳正离子中间体
Rate =k[RX]
反应条件:弱碱
E2反应
机理:协同反应H-C键和C-X键同时断裂,形成过渡态
Rate =k [RX][B]
反应条件:浓的强碱 常用碱:-OH,-OR,-NH2
立体化学
X与BH(反式)共平面消除
只有1个BH可消除
赤型以顺式产物为主
苏型以反式为主
消除与亲核取代的竞争
溶剂极性减小,利于(消除)E2,不利于SN2
碱性醇溶液利于E2
溶剂极性大利于取代
取水消醇
强碱,RX位阻大易消除
弱碱利于取代
消除形成稳定共轭结构则主要消除
升温易消除
原理:消除:BH,取代:aC
B位烃基多消除比例增加
3级卤烃易消除,1级易取代
进攻试剂
碱性强,浓度大利于SN2与E2
1级利于SN2
3级和B位烃基增多利于E2
碱性弱,利于SN1与E1
1级利于SN1
2,3级及B位烃基增多利于E1
进攻试剂体积大利于消除
还原反应
催化氢化
金属提供电子,酸提供质子
氢化铝锂(LiAlH4),硼氢化钠(NaBH4)提供氢负离子
与金属反应
格氏试剂制备
Mg与溶剂无水乙醚或四氢呋喃THF构建八隅体
一级RX最佳
格氏试剂稳定性
烷基负离子是强碱易捕获质子和氧化
格氏试剂反应
引入氘原子
与RX发生亲核取代
与CO2反应制备多一个C的羧酸
卤交换反应:SN2构型翻转