片考核COC

这是一篇关于片考核COC的思维导图，主要内容包括：包装寄回，老化后测试：148测，单次老化100h，老化后测试：48测，单次老化48h，老化前测试：0测，金丝球焊，共晶贴片。

片考核COC

• 共晶贴片
  • 物料
    • 芯片
      • INP提供，芯片大小250×225×100um，有2种外观
    • 载体
      • 菲光提供，适配芯片即可
  • 要求
    • 贴片精度：不要求具体数值，保持批次内、批次间一致性即可
    • 共晶温度：按照菲光标准工艺进行，芯片可承受400℃15s
    • 推力：≥80g
• 金丝球焊
  • 金丝
    • 金丝：25um金丝
    • 金丝拉力：≥3g
  • 金球
    • 金球直径：50~80um
    • 金球推力：＞20g
• 老化前测试：0测
  • PIV
    • 控温25℃，PIV扫描0~100mA，步进0.1mA，Po@50mA
  • 光谱
    • 控温25℃，光谱扫描宽度20nm，精度优于0.1nm，vacuum模式，光谱@50mA
  • OK标准
    • Ith：4mA~14mA Kink：0~5% Power：≥4mW SMSR≥35dB
• 单次老化48h
  • 老化条件
    • 100℃100mA，48h
• 老化后测试：48测
  • PIV
    • 控温25℃，PIV扫描0~100mA，步进0.1mA，Po@50mA
  • 光谱
    • 控温25℃，光谱扫描宽度20nm，精度优于0.1nm，vacuum模式，光谱@50mA
  • OK标准
    • Ith：4mA~14mA Kink：0~5% Power：≥4mW SMSR≥35dB △Ith≤5% △Po≤5%
• 单次老化100h
  • 老化条件
    • 100℃100mA，100h
• 老化后测试：148测
  • PIV
    • 控温25℃，PIV扫描0~100mA，步进0.1mA，Po@50mA
  • 光谱
    • 控温25℃，光谱扫描宽度20nm，精度优于0.1nm，vacuum模式，光谱@50mA
  • OK标准
    • Ith：4mA~14mA Kink：0~5% Power：≥4mW SMSR≥35dB △Ith≤10% △Po≤10%
• 包装寄回