模电三极管

模拟电子电路 三极管相关知识梳理，包括场效应三极管的分类、特点等，还有半导体三极管的相关内容。

三极管

• 场效应三极管
  • 场效应管
    • 分类
      • 结型场效应管fet
        • p沟道
        • n沟道
      • MOSFET
        • 耗尽型
          • Vgs=0，iD不等于0。
        • 增强型
          • Vgs=0，管子截止，iD=0
    • 特点
      • 利用电场效应控制电流大小的半导体器件。体积小，重量轻，耗电省，寿命长；输入阻抗高、噪声低、抗辐射能力强、制作工艺简单
    • 工作原理
      • 1.vDS的极性取决于导电沟道的类型 v DS>0，N沟道；vDS<0，p沟道
      • 2.vGS的值的极性取决于工作方式和导电沟道的类型 结型场效应管中v GS和 v DS反极性； 增强型mosfet中v GS和v DS同极性； 耗尽型mosfet中视加宽还是缩减沟道 正偏零偏或反偏
    • 输出特性
    • 转移特性
    • 主要参数
  • 放大电路
• 半导体三极管
  • 简介
    • 类型
      • 1||| NPN
      • 2||| PNP
    • 结构特点
      • 1||| 发射极掺杂浓度最高
      • 2||| 集电区掺杂浓度低于发射极，面积大
      • 3||| 基区很薄，掺杂浓度最低
      • 4|||
  • 电流分配与放大原理
    • 放大作用
      • 1||| 外部条件：发射结正偏， 集电结反偏
      • 2||| 内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄
    • 内部载流子的传输过程（以NPN为例）
      • 1||| 发射区：发射载流子
      • 2||| 集电区：收集载流子
      • 3||| 基区：传送和控制载流子
    • 电流分配关系（放大状态）
      • 1||| Ic= β Ib
      • 2||| Ie=（1+ β）I b
      • 3||| Ie=Ic+Ib
    • 三种阻态
      • 1||| 共发射极接法CE
      • 2||| 共基极CB
      • 3||| 共集电极接法CC
  • 特性曲线
    • 输入特性曲线
      • vCE=0,发射结的正向伏安特性
      • vCE>=1,vCB>0,集电结反偏，特性曲线右移
    • 输出特性曲线
      • 饱和区
        • 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小
      • 放大区
        • 发射结正偏，集电结反偏
        • Ic= β Ib
      • 截止区
    • 温度的影响
  • 放大电路
    • 概念
      • 对象
      • 本质
      • 特征:功率放大
      • 必备原件
      • 前提：不失真或在容许范围内
    • 性能指标
      • 放大倍数（增益）
      • 直流工作值IB，IC，VCE
      • 输入电阻Ri
      • 输出电阻Ro
    • 非线性失真
    • 基本共射放大电路
      • 电路组成
      • 简化电路
      • 工作原理
      • 输出输入反向
    • 静态和动态
  • 放大电路的分析
    • 静态工作
      • 等效电路法:
        • 已知三极管的值
      • 图解分析法确定静态工作点
        • 已知三极管的输入输出特性曲线。
        • (1) 画直流通路(2) 把电路分为线性和非线性两部分(3) 输入特性曲线上求IB（4）直线MN与IB=40uA曲线的交点即静态工作点Q
    • 动态工作
      • 用图解法分析动态工作情况
      • 小信号模型
• 三极管放大的条件