导图社区 钻石事业部工艺研发思维导图
这是一篇关于钻石事业部工艺研发思维导图的思维导图，包含成品良率、复制晶种良率、标准化等。
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商业模型
钻石事业部工艺研发项目
产品良率提升
成品良率
成品开裂
生长裂专题
长晶裂
温度不均匀
机械结构
等离子火球偏/斜
基台散热不一致
晶体所结构优化
责任人：李玉刚
晶体间多晶生长不均匀
尖端应力
裂纹数据统计
特征
位置
比例
形貌
未知项
原因
原理分析根本原因
责任人：郑旭鹏
退火裂专题
单多晶散热系数不一致，要求退火无开裂
工艺变更（N含量）
N含量不同，内应力不同
低氮（白钻）
中高氮（复制）
高氮（粉钻）
温度\时间
尺寸变更
7×7
厚度3.8mm
厚度4.2mm
9×9
厚度4.5mm
厚度5.4mm
时间
加工裂专题
残余应力（自身）
1、加工前后单颗对比偏光
2、偏光图片何种程度易开裂
引入应力（外加）
机械力（切割顺序）
1、加工数据统计
分布
2、边缘多晶去除顺序？
3、分块加工顺序
4、切割面选择
1、各因素影响规律及原因分析； 2、建立切割顺序标准
热应力（切割温度）
1、降温能力？
无吹气
1路吹气
多路吹气
收集数据，判断降温能力是否影响
2、切割功率
建立加工工艺流程标准，加工无开裂 责任人：郑佳成、郑旭鹏
特例分析
分析开裂较多炉次整体过程
成品多晶
工艺多晶
现象分析
数据统计
责任人：曹锋
形核条件
边缘多晶残留（生长侧面）
完全去除
验证效果
大籽晶培育
摆放方式
复制晶种实验
责任人：曹锋、昝建星（新人）
杂质引入（生长面）
钼台/钼环杂质
使用标准文件
清理方法SOP
晶种杂质
质检标准文件
清理标准SOP
腔体杂质
清洗标准文件
责任人：曹锋、曹屹达
钼环多晶杂质
结构优化，消除生成物炸裂
机械改进能否去掉钼环
李玉刚
生长条件
面倾角
不同面长速不一致
几何形状
复制晶种良率
复制包边
晶种边缘多晶完全去除
7×7复制
单颗凹坑钼台设计
实验包边情况
责任人：曹锋、康亚军
气场优化
四周进气刻蚀四面多晶
晶体所：李玉刚
开裂多晶
与成品分析类似
标准化
晶体投炉排放
晶种摆放标准化
钼台优化设计
统一靠边摆放
半成品摆放吹散
整体凹坑并拢投炉
半成品粘胶
底部粘胶加热均匀石墨化后投炉
气路改进
顶部进气改为四周进气
保证晶体温度均匀性
检测手段标准化
偏光照片采集标准化
利用固定相机固定角度拍摄，排除外在因素影响
责任人：康亚军
数据采集标准、原则建立
责任人：郑旭鹏、郑佳成
设备性能监控
点检标准
长晶
水系统
特气系统
流量计标定
电源微波系统
其他参数
加工
功率
温度
厂务
特气
水
电
尾气检测（是否杂质返回腔体）
评估参数建立点检标准 责任人：倪水水、卫育强、康亚军
