模拟COMS子电路

CMOS逻辑电路代表互补的金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，它指的是一种特殊类型的电子集成电路(IC)。

中心主题

• MOS开关
  • 图形：
  • 导通时工作的状态：线性（非饱和） 闭合时的工作状态：截止
  • 电荷馈通
    • 引起原因：由于栅到源和漏的耦合电容引起（栅的）
    • 避免电荷馈通的解决办法
      • 小的MOS管尺寸，减小交叠电容
      • 增大负载电容
      • dummy补偿晶体管
      • 互补时钟
      • 互补的开关，比如传输门
      • 小的时钟摆幅
      • 差动开关电容电路
  • 传送门：
    • 图形：
• MOS二极管/有源电阻
  • 图形： （栅漏短接）
  • 电流电压公式：
  • 当管子导通，一定工作于饱和区
  • 小信号分析
    • 交流小信号模型：
    • 直流电阻：
    • 交流电阻：
• 电流源/电流漏
  • 图形
    • 电流源
    • 电流漏
    • P源N漏 源漏指高电位
  • 工作于饱和区
  • 相关参数
    • 输出电阻：
    • 输出电压最小值：
  • 改进
    • 增加输出电阻
      • 源端增加普通电阻
      • 源端增加电流源负载
    • 减小VMIN的值
      • VMIN= VT+2VON
      • VD2(最小）=VOUT(最小）=2VON
      • VDS（min)=VGS-VT=VON (VT+2VON)-VON-VT=VON
• 电流镜
  • 基本型
    • 图形：
    • • 误差来源
        • 沟道长度调制
        • 两个管子之间的阈值偏差；
        • 非理想的几何图形匹配
  • 共源共栅电流镜
    • 图形：
    • 小信号模型：
  • 威尔逊电流镜
    • 图形：
    • 小信号分析
    • 1，输出电阻通过采用电流负反馈得以增大 2，若iO增大，则通过M2的电流增大。 3，由于M2和M1的镜像，M1的电流增大。 4，如果iI恒定，并假设M3的栅极（M1的漏极）到地有电阻，则M3的栅压将随电流iO增大而 减小。 5，环路增益就是gm1和从M1的漏极到地看进去的小信号电阻的乘积