模电（模拟电子技术）

基于《电子技术基础（模拟部分）》康华光主编，包括运放、二极管、三极管、场效应管、放大电路、差分、反馈、功放、信号发生、的概念、公式与例题，欢迎继续关注!

• 放 大 电 路
  • 电压放大电路
    • • 电压增益
    • • Ro越小越好，理想下Ro=0
      • Ri越大越好，理想下Ri→∞
  • 电流放大电路
    • • 电流增益
    • • 相反
      • Ri→0
      • Ro→∞
  • 互阻放大电路
    • • 互阻增益
    • • Ri Ro→0
  • 互导放大电路
    • • 互导增益
    • • Ri Ro→∞
• 主要指标
  • 输入电阻Ri
    • • 决定从信号源吸取信号幅值的大小
    • 电压、互导Ri大
    • 电流、互阻Ri小
  • 输出电阻Ro
    • 决定带负载能力
      • 输出量随负载变化的程度
    • Ro小
      • 电压
      • 互阻
      • RL够大输出功率低
        • 前置级、中间级放大
    • Ro大
      • 电流
      • 互导
      • 输出大电流
        • 输出级
• 频率响应
  • 幅频响应
  • 相频响应
  • 带宽/通频带
  • 直 流 耦 合
    • • 下线频率0
  • 幅度失真
    • 不同频增益差异
  • 相位失真
    • 不同频相移差异
  • 频率失真
    • 线性电抗元件引起的线性失真
  • 非 线 性 失 真
    • • 电压增益不恒定，随输入电压变化

集成运放

• 运 放
  • vo饱和极限=电源电压
  • ri≈∞ ro≈0 Avo→∞
  • 虚短
  • 虚断
• 线 性 电 路
  • 同 相 放 大 电 路
    • • 闭环电压增益
  • 电 压 跟 随 器
    • • 阻抗变换器/缓冲器
  • 反 相 放 大 电 路
  • 减 法 电 路
  • 加 法 电 路
  • 积 分 电 路
  • 微 分 电 路

半 导 体

• PN结
  • 漂 移
    • 电场作用
    • • E电场矢量
      • Vn电子漂移速度矢量
      • μn自由电子迁移率1500cm²/(V·s
    • • μn自由电子迁移率475cm²/(V·s
  • 扩散
    • 空间电场
  • 正 向 偏 置
    • 耗尽区↓
    • 内电场E0 → E0-EF
    • 正向电流If
    • 小阻值电阻
      • 导通
  • 反 向 偏 置
    • 耗尽区↑
    • 内电场E0 → E0+ER
    • 反向电流IR
      • 反向饱和电流IS
  • V-I 特性
    • • • 通过PN结电流
      • • 外加电压
      • n
        • 发射系数，与PN结尺寸、材料、通过电流相关 1~2
      • • 温度电压当量
          • • 常温0.026V
      • • 反向饱和电流
      • 正向电压
        • 忽略1，指数关系
      • 反向电压
  • 反 向 击 穿
    • 雪崩击穿
      • 碰撞电离
      • 整流二极管
    • 齐纳击穿
      • 电场破坏共价键束缚
        • =2×10⁵V/cm
        • 浓度高
      • 稳压二极管
    • 电 击 穿
      • iD×vD＜耗散功率
    • 热击穿
      • 不可逆
  • 电 容 效 应
    • 直接影响半导体器件高频、开关性能
    • 扩 散 电 容
      • 空间电荷区（耗尽区、势垒区
      • • τ
          • 载流子渡越时间/寿命
        • ID
          • 结型二极管工作点电流
        • VT
          • 温度电压当量
      • 正偏
        • 扩散电容大
          • Cj≈Cd
    • 势 垒 电 容
      • 反偏
        • 势垒区加宽
          • Cj≈Cb
      • • • 0偏下的势垒电容
        • • 工作点电压
        • • 建立势垒电容1V
        • m
          • 结的梯度系数
            • 取决于掺杂情况
• 二 极 管
  • 结 构
    • 点接触型
      • 结面积、结电容小
        • 检波、变频
    • 面 接 触 型
      • 大电流
      • 低频
    • 平面型
      • 集成电路制造，高频整流、开关电路
  • V-I特性
    • 正向
      • 门槛电压
        • 硅0.5 锗0.1
      • 导通压降
        • 硅0.7 锗0.2
    • 反向
      • T↑激发
        • 少子++
    • 反向击穿
  • VT
    • 300k
      • 26mV
  • 主 要 参 数
    • 最大整流电流
      • 最大正向允许平均电流
    • 反向击穿电压
      • 最高反向电压≈1/2VBR
    • 反向电流
      • 大说明单向导电性差
      • 未击穿的反向电流
        • 升温明显增加
    • 极间电容
    • 微变电阻
      • 工作点Q附近电压变化/电流变化
      • 正偏小，反偏大
    • 反向恢复时间
      • 极性翻转
      • + → -
        • 大反向电流
          • • 正向电流
            • 最大反向恢复电流
• 二 极 管
  • 齐 纳 二 极 管
    • • • 反向击穿电压（稳定电压>1.5V
      • • 动态电阻↘稳压性能↑
      • 电压温度系数αu
      • 反向（稳定电流
        • ＜Izmin
          • 反向截止，无稳压特性
        • Izmax
          • （烧毁
      • -Vz0
        • 过Q切线交横轴
      • • 稳定电压
        • Vz较大，rz忽略=0
    • 并 联 式 稳 压 电 路
  • 变 容 二 极 管
    • • 反向电压↑结电容↓
      • 彩电电子调谐器
        • 控制直流电压改变二极管结电容量
          • 改变谐振频率选择频道
  • 肖 特 基 二 极 管 SBD
    • • 金属（铝金钼镍钛）与N型半导体接触在交界面形成势垒
        • 金属-半导体结二极管 表面势垒二极管
      • 特 点
        • 电容效应小、工作速度快
          • 多数载流子器件，不存在少数载流子在PN结附近积累/消散
          • 高频/开关状态
        • 正向门坎电压、压降低（-0.2V
          • 耗尽区只存在N侧，薄
            • 反向击穿电压低，60~100V
            • 反向漏电流＞PN
  • 光 电 子
    • 光 电 二 极 管
      • PN结接受外部光照
      • 反向偏置运行
      • 光照强度↑反向电流↑
        • 反向电流与照度成正比
          • 0.1μA/lx
    • 发光二极管
      • Ⅲ、Ⅴ族（砷化镓/磷化镓
      • 光←电
        • 光缆
          • 电←光
    • 激光二极管
      • 发光二极管结间安置一层光活性半导体
        • 光谐振腔
      • 相干单色光信号
• 分 析
  • 图 解 分 析 法
    • • • 工作点Q
    • 负 载 线
    • 迭 代 法
      • vD, iD
  • 简 化 模 型 分 析 法
    • 理 想 模 型
      • • 电压远大于压降
    • 恒 压 降 模 型
      • • 导通后压降恒定，不随电流变
          • iD≈/＞1mA
    • 折 线 模 型
      • • 规管门槛0.5V，1mA导通，压降0.7V
      • 压降随电流+
    • 小 信 号 模 型
      • + 交 流 电 源
        • 微变电阻
• 电阻选择
• 量
  • 玻尔兹曼常数
  • 电荷
• PN
  • ρ
    • NA = 5×10^22/cm3
    • 本征激发自由电子浓度
      • ni ≈ 1.45×10^10/cm3
      • 温度唯一影响
        • T↑激发
          • 少子++
  • 掺杂
    • P
      • • NA受主原子浓度
        • n少子电子浓度
        • p空穴浓度
    • N
      • • ND施主原子浓度
    • p = 5×10^16
    • • pi空穴浓度
      • ni电子浓度
  • 浓度
    • ppm
      • 10^9
    • bpm
      • 10^16

放 大 电 路

• BJT
  • 结 构
    • 发射区高掺杂
    • 基区薄，掺杂少
    • 集电结面积大
  • 工作状态
    • 放大、饱和、截止、倒置
  • NPN
    • 外部 条件
      • 发射结正偏
        • VB>VE(EB实现
      • 集电结反偏
        • VC>VB(EC实现
          • PNP反
    • • 发射极电流IE
      • 集电极电流IC
        • 集电极电流中受发射结电压控制的电流
        • 集电结反向饱和电流IBO
          • 不受发射结电压控制，对放大无贡献 受温度影响大
        • IC=ICN+IBO
      • IB=IE-IC
      • 基极电流IB
  • 电 流 分 配
    • >0.98
  • V-I
    • 共 射 极
      • 输 入
      • 输 出
        • • 放 大 区
            • 线性区
              • 恒流
            • Je正偏，Jc反偏
            • Vc>VB>VE
          • 饱 和 区
            • 双正偏
            • vCE≈0.3V<vBE
            • 小功率管
              • vCE=vBE时BJT临界饱和
          • 截止区
            • Je0偏
    • 共 基 极
      • 输 入
      • 输 出
  • 参 数
    • 电流放大系数
    • 极 限
      • 集电极最大允许电流
        • ic过大 β↓
      • 集电极最大允许耗散功率
        • 集电结更大
        • 最高工作温度 硅管150℃锗管70℃
      • 反 向 击 穿
        • • 小功率管几v
        • • 取决于集电结雪崩击穿电压
            • 10v~100v
        • • VCE↑ ICBO明显增大
            • 雪崩击穿
  • 温 度
    • 参 数
      • T↑10℃ ICBO×2
      • T↑1℃ β+0.5%~1%
      • T↑
    • 曲 线
      • 输入
        • T↑1℃
      • 输 出
• 组 合 放 大 电 路
  • • 增益=各级增益积
  • 输入电阻=第一级Ri
  • 输出电阻=最后一级Ro
  • 共射-共基
  • 复合管
    • 前管发射极 —— 后管基极
    • 电流放大系数
    • 输入电阻
  • 共集-共集
• 放 大 电 路 频 响
  • RC 电 路 频 响
    • RC低通
      • 幅频响应
        • f<<fH
        • f>>fH
        • f=fH
          • -3dB
      • 相频响应
        • f<<fH
          • φH→0°
        • f>>fH
          • φH→-90°
        • f=fH
          • φH=-45°
    • RC高通
      • 幅频响应
        • f<<fL
        • f>>fL
        • f=fL
          • -3dB
      • 相频响应
        • f<<fL
          • φH→90°
        • f>>fL
          • φH→0°
        • f=fL
          • φH=+45°
  • 高 频 小 信 号 模 型
    • • • 基区体电阻30~300
        • 发射结正偏电阻折算到基极回路等效电阻
        • 发射结电容30~300pF
        • 集电结电阻100kΩ~10MΩ
        • 集电结电容2~10pF
        • 受控电流源
  • 增益带宽积
    • 常数
• 共 基 极 放 大 电 路
  • • • 动态
        • Av
• 共 集 电 极 放 大 电 路
  • • • 静态
    • • 动态
        • • • • Ro=vt/it
    • 电压跟随器
  • 动态
  • 特 点
    • 增益≈1
    • 输入输出同相
    • 输入电阻高
      • 信号源吸取电流小
        • 多级放大电路输入级
    • 输出电阻低
      • 带负载能力强
        • 多级放大电路输出级
    • 中间级
      • 隔离前后影响
        • 阻抗变换
          • 缓冲级
• 共 射 放 大 电 路
  • 组 成
    • 静 态
      • • • • 硅管0.6~0.7V
            • 锗管02~0.3V
          • 基极-发射极回路
        • • 集电极-发射极回路
    • 动 态
      • • • 基极-发射极
        • 交 流 信 号
          • 小内阻直流源Vcc短路
          • 大内阻电流源/恒流源开路
          • 大电容短路
  • 分 析
    • 图 解 分 析 法
      • 静 态
        • 输 入
          • • • 输入特性负载线
            • • 输入直流负载线
        • 输 出
          • • • 输出特性
            • • 输出直流负载线
      • 动 态
        • 输 入
        • 输 出
      • 失 真
        • Q
          • 过 低
            • 过小
              • 截 止 失 真
          • 过 高
            • 过大
              • 饱 和 失 真
        • 输入幅度过大
          • 非线性失真
          • 截止失真 饱和失真
      • • • 直流
          • 交流
    • 小 信 号 模 型 分 析 法
      • H 参 数
        • H 参 数
          • Ω
            • 动态电阻rbe
          • • β
              • • • 受控电流源
                  • ib=0时不存在
          • • 输入交流开路的反向电压传输比
            • • • • 受控电压源
          • S
            • 输入交流开路的输出电导
              • 西门子
      • 简 化
        • • 忽略hre, hoe
      • 动 态 电 阻
      • 分 析
        • • • • Ri↑
                • 放大电路从信号源吸取电流小
                  • vi↑
            • • • Ro↓
                  • RL变化对vo影响↓
                    • 带负载能力↑
    • 射 极 偏 置 电 路
      • • 直 流
          • • 自动稳定Q点
            • I1>>IBQ时
              • e
              • Q点估算
      • • Av
          • • Re并联旁路电容
        • Ri
        • Ro
• 比 较
  • 共 射 极
    • B输入
    • C输出
    • 电压&电流增益>1
    • 适于低频作中间级
  • 共 集 电 极
    • B输入
    • E输出
    • 仅电流放大
    • 电压跟随
    • 输入电阻最高 输出电阻最小
      • 输入/输出/缓冲
  • 共 基 极
    • E输入
    • C输出
    • 仅电流跟随
    • 输入电阻小
    • 输出电阻与集电极电阻相关
    • 高频/宽频带低输入阻抗
• 书写符号
• 测极性
  • 固定正表笔
    • 同时导通NPN
  • 固定负表笔
    • 同时导通PNP
• IEP=γIEN
  • IE=(1+γ)IEN

场 效 应 管 放 大 电 路

• N 沟 道 增 强 型
  • • • • 无导电沟道
    • • • 开启电压
        • 出现N沟道
        • 反型层/感生沟道
    • • • 较小
          • 迅速增大
    • • • 较大
          • 趋于饱和
    • • 截止区
      • 可 变 电 阻 区
        • mA/V²
          • • 本征导电因子
          • • 反型层中电子迁移率
          • • 栅极氧化层单位面积电容
      • 饱 和 区
  • 转 移 特 性
  • N沟道耗尽型MOSFET
    • • ±栅源电压工作，基本无栅流
• 主 要 参 数
  • 直 流
    • 增 强 型
      • 开启电压
        • vDS为某固定值(10V)使iD=微小电流(50μA)
    • 耗尽型
      • 夹断电压
        • vDS为某固定值使iD=微小电流
      • 饱和漏极电流
        • vGS=0时，|vDS|(10V)>|Vp|
    • 直流输入电阻
      • 漏源短路，栅源+一定电压的栅源直流电阻
  • 交 流
    • 输 出 电 阻
      • vDS对iD的影响
      • 30~300kΩ
    • 低 频 互 导
      • vDS=常数时，漏极电流微变量/栅源电压微变量
      • 栅源电压对漏极电流控制能力
  • 极 限
    • 最大漏极电流
      • 正常工作漏极电流允许的上限值
    • 最大耗散功率
      • 受制于最高工作温度
    • 最大漏源电压
      • 雪崩击穿，iD开始急剧上升的vDS值
    • 最大栅源电压
      • 栅源反向电流剧增时的vGS
• 放 大 电 路
  • • • • • 饱和区
        • • 可变电阻区
  • + 源 极 电 阻
  • 图 解 分 析
  • 小 信 号 模 型
    • • 静态工作点电流
      • 非线性失真
• JFET
  • • |vGS|↑ iD↓
      • • • 夹断电压
    • vDS
      • • • 预夹断
  • 输 出 特 性
    • • Ⅰ截止区（夹断区）
      • Ⅱ可变电阻区（线性区）
      • Ⅲ饱和区（放大区）
  • 转 移 特 性
  • 主要参数
    • 夹断电压
      • 漏极电流=0的
    • 饱和漏极电流
      • VGS=0的漏极电流
    • 低频跨导
      • 低频跨导反映vGS对iD控制

模 拟 集 成 电 路

• BJT 电 流 源
  • 镜 像 电 流 源
  • 微 电 流 源
  • 高 输 出 阻 抗 电 流 源
  • 组 合 电 流 源
    • • 电流源 电流阱
      • 基 准 电 流
• FET 电 流 源
  • 镜 像 电 流 源
  • 多 路 电 流 源
  • JFET电流源
• 集 成 运 放 主 要 参 数
  • 输入失调电压
    • 为使输入0时输出0，在输入端的补偿电压
    • • 越大电路对称程度越差
      • ±1~10mV op07 4μV MOS 20mV
  • 输入偏置电流
    • 输入端静态电流均值
    • • 越小 内阻变化引起输出电压变化越小
      • BJT 10nA~1μA
  • 输入失调电流
    • 输入0时流入放大器两输入端的静态基极电流差
    • • 反应输入级差分对管不对称程度
      • 1nA~0.1μA
  • 温 漂
    • 温度变化引起输出电压漂移
    • 输入失调电压温漂
    • 输入失调电流温漂
  • 差 模
    • 开环差模电压增益
      • 线性区无反馈差模电压增益
    • 开环带宽
      • -3dB带宽
        • 开环差模电压增益下降3dB的fH
    • 单位增益带宽
      • 增益下降到Avo=1的频率
    • 差模输入电阻
    • 最大差模输入电压
      • 反相同相输入端间能承受最大电压值
  • 共 模
    • 共模抑制比
      • 80~120dB
    • 共模输入电阻
      • ≥100MΩ
    • 最大共模输入电压
  • 大 信 号 动 态 特 性
    • 压 摆 率
      • 放大电路输出电压对时间最大变化速率
      • • 使运放SR≥2pifVom
    • 全功率带宽
      • 运放输出最大峰值电压允许的最高频率
      • • 最大电压频率受SR、BWP限制
  • 电 源 特 性
    • 电源电压抑制比
      • 电源电压变化时引起输出电压变化
    • 静态功耗
      • 输入信号0时运放消耗总功率
• 传 输 特 性
  • • • • Q静态工作
    • • 线性关系，放大区
    • • 非线性区
    • • 限幅特性
• 差 分 式 放 大 电 路
  • 差 模
    • i
    • o
  • 共 模
    • i
    • o
  • • i
    • i
    • o
    • o
    • • 差模电压增益
      • 共模电压增益
      • 共模抑制比
  • 射 极 耦 合 差 分 式 放 大 电 路
    • • 放大差模信号，抑制共模信号
      • +电流源
        • 特点
          • 提供恒定电流，交流电阻大，直流电阻小
        • 作 用
          • 静态电流
          • 交流大电阻能抑制共模干扰
          • 直流小电阻静态功耗小，能降低直流电压源电压值
  • 指 标
    • 差 模
      • 双 入 双 出
        • 差 模 增 益
      • 双入单出(单入
      • 相对输入端
    • 共 模
      • 双端输出
        • 0
      • 单 端 输 出
        • • 相当于每管
      • 共模抑制比
        • 双端输出Avc=0
          • K→∞
        • 单端输出
          • • 电流源小信号ro越大，抑制共模信号能力越强

反 馈 放 大 电 路

• 反 馈
  • 串 联 反 馈
    • 电压比较
    • • Rs越小越好
      • 以电流形式比较
  • 并 联 反 馈
    • 电流比较
    • • Rs越大越好
      • 以电压形式比较
  • 电 压 反 馈
    • • 负载短路电压0
  • 电 流 反 馈
• 负 反 馈 放 大 电 路
  • 电 压 串 联
    • • 电压反馈系数
      • 较好的恒压输出特性
        • 电压控制的电压源
  • 电 压 并 联
    • • 反馈系数
        • 互导反馈系数
  • 电 流 串 联
    • • 互阻反馈系数
  • 电 流 并 联
    • • 电流反馈系数
• 一 般 表 达 式
  • 增益
  • 反馈深度
    • <1
      • 正反馈
    • 0
      • 无输入有输出
        • 自激振荡
• 稳 定 性
  • 条 件
    • • 不同时满足，不产生自激振荡
  • 正常工作
  • 远离自激振荡
    • 稳定裕度
      • 增益裕度
        • • ≤10dB
      • 相位裕度
        • • 0< ≤45°
• 频 率 响 应
  • 高 频 响 应
    • • 开环中频增益
      • 开环上限频率
      • 负反馈
  • 低 频 响 应
  • 引入负反馈 通频带展宽
  • 增益-带宽积
    • • 常量
        • 降低带宽提高增益
        • 降低增益增加带宽
• 设 计
  • 选 定 反 馈 类 型
    • 输 入 信 号
      • 恒压源/ 小内阻电压源
        • 串联负反馈
          • 减小输入端负载效应 电路获得尽可能大输入电压
      • 恒流源/ 大内阻电压源
        • 并联负反馈
          • 尽可能大输入电流 减小输入电阻
      • 输出电压
        • 电压负反馈
      • 输出电流
        • 电流负反馈
• 深 度 负 反 馈
• 反 馈 影 响 性 能
  • 增 益 稳 定
    • 深度反馈
      • • 稳定
    • • 增益相对变化量为开环增益相对变化量的
        • 越大，负反馈越深
          • 越小，闭环增益稳定性越好
    • 只能使输出量趋于不变，减小由开环增益变化引起的闭环增益变化
  • 减小 非线性 失真
    • • 减小反馈环内失真
  • 反 馈 环 内 噪 声
    • • 信噪比
  • 电 阻
    • 输 入 电 阻
      • 取决于反馈网络在输入回路连接方式 串并联负反馈
        • 串 联
          • • 变大
        • 并 联
          • • 变小
    • 输 出 电 阻
      • 取决于反馈网络在输出回路取样方式 电压流负反馈
        • 电 压
          • • 变小
        • 电 流
          • • 变大
  • • 增益稳定性↑
    • 非线性失真↓
    • 抑制噪声
    • 牺牲增益

功 率 放 大 电 路

• • 特点
    • 输出功率大
    • 效率高
    • 非线性失真小
    • 散热
  • 提高效率
    • 甲类放大
      • • 2Π
    • 甲乙类
      • • Π-2Π
    • 乙类
      • • Π
• 射 极 输 出 器
  • • vi正半周T1饱和
      • • T1饱和电压Vces=0.2V
    • vi负半周
      • T1先截止
      • T3先饱和
• 双 电 源 互 补 对 称 功 率 放 大 电 路
  • • • • 输入信号够大
    • 两管 功耗
    • 电源 功率
      • • 最大
    • 效 率
  • 每 管 最 大 管 耗 ~ 最 大 输 出 功 率
  • 功率BJT选择
    • BJT最大允许管耗PCM大于0.2Pom
    • 耐压
• 甲 乙 类 互 补 对 称 电 路
  • 二 极 管 偏 置
    • • D1D2产生适当偏压，使T1T2微导通
      • vBE 扩 大 电 路 偏 置
      • 单 电 源 互 补 对 称
        • • k=Vcc/2
          • 替换
• 集 成 功 率 放 大 器
  • 热路
    • 热的传导路径
  • 热阻
    • 阻碍热传导的阻力
  • 提高可靠性
    • 降低额定值
      • 工作电压、电流不超过极限80%
      • 功耗不过最大允许功耗50%
      • 结温不过最大结温75%

信 号

• 滤 波 电 路
  • 传递函数
  • 时延
  • 低通
  • 高通
  • 带通
  • 带阻
    • 中心角频率
• 一 阶 有 源
  • • 通带电压增益
    • • 特征角频率
  • 频响
    • • ωc -3dB截止角频率ωH
• 高 阶 有 源
  • 低 通
    • 2
    • 传 递
      • • 等效品质因数
          • 3-AVF>0稳定工作
    • 幅 频
    • 巴特沃斯传递函数
  • 高 通
    • 2
  • 带 通
    • 高+低
  • 带 阻
    • 输入-带通
• LC 选 频 放 大 电 路
  • • 谐振频率
    • 谐振时
      • • 回路品质因数
  • • ω=ω0并联谐振，等效阻抗最大Z0=L/RC
  • • ω＞ω0
      • 电容性
    • ω＜ω0
      • 电感性
  • 变压器反馈式
  • • 易 于 起 振
      • β大
      • 增加变压器一次侧和二次侧耦合程度（互感
      • 二次线圈匝数
  • 三 点 式 LC 振 荡 电 路
• RC 正 弦 波 振 荡
  • • 当
  • 振荡频率
    • Av起振略大于3
      • 稳幅Av=3
  • 稳幅
    • 热敏电阻
  • 分析方法
    • 组成是否有放大、反馈、选频、稳幅
    • 能否正常工作
      • 分立元件看静态工作点
      • 集成运放看输入是否有直流通路
    • 电路是否满足自激条件
      • 瞬时变化极性检查相位平衡条件
      • 幅值平衡条件
        • |AF|<1不振荡 =1不起振 >1波形失真
        • |AF|略大于1，起振后稳幅使电路达到|AF|=1
    • f0
• 振 荡 条 件
  • • • 振幅平衡条件
    • • 相位平衡条件
  • 一个正弦波振荡电路只在一个频率f0满足相位平衡条件
  • 震荡电路自建振荡
  • 振荡电路
    • 放大电路
    • 反馈网络
      • 正反馈、相位平衡
    • 选频网络
      • 单一频率正弦波
    • 稳幅电路
      • 保证输出端得不失真正弦波
• 比 较 器
  • 同 / 反 相 电 压 比 较 器
    • • • 过0比较器
  • 迟 滞 比 较 器
• 方 波 产 生 电 路
  • +RC积分电路
    • • • 改占空比