晶圆制造工艺流程

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晶圆制造工艺流程

• 晶圆生长
  • 气相淀积法
    • 低压化学气相淀积（LPCVD）
      • 硅氧烷化学气相淀积
      • 硅氮烷化学气相淀积
    • 化学气相沉积（CVD）
      • 热氧化沉积
      • 低温氧化沉积
  • 液相淀积法
    • 温浸泡法
    • 低温熔融法
• 晶圆切割
  • 机械切割
    • 内切割
      • 内切割机刀片选择
      • 内切割机参数设置
    • 外切割
      • 外切割机刀片选择
      • 外切割机参数设置
  • 激光切割
    • 激光切割机选择
    • 激光切割机参数设置
• 表面处理
  • 清洗
    • 溶剂清洗
      • 使用溶剂种类选择
      • 温度、时间控制
    • 渗透洗涤
      • 表面活性剂浓度选择
      • 温度、时间控制
  • 掺杂
    • 离子注入
      • 掺杂剂选择
      • 离子能量、剂量控制
    • 扩散
      • 扩散源选择
      • 扩散温度、时间控制
• 光刻
  • 光阻涂布
    • 光刻胶选择
    • 光刻胶涂布参数设置
  • 曝光
    • 掩膜选择
    • 曝光参数设置
  • 显影
    • 显影液选择
    • 显影参数设置
• 形成器件
  • 渗透
    • 表面活性剂浓度选择
    • 温度、时间控制
  • 氧化
    • 氧化源选择
    • 氧化温度、时间控制
• 检测与封装
  • 晶圆测试
    • 测试点位设计
    • 测试参数设置
  • 芯片封装
    • 封装方式选择
    • 封装参数设置
• 最终产品
  • 成品测试
    • 测试仪器选择
    • 测试参数设置
  • 产品出货
    • 出货流程安排
    • 出货质量控制