在全球范围内成为继美国TI和安森美之后的第三家推出氮化镓驱动 及控制器的公司
相对于安森美NCP1342而言MX6535集成度更高,它无需搭配Fairchild的FAN3111驱动IC来驱动GaN器件,也就是说MX6535除了控制器外还集成了栅极驱动电路,从而单颗IC即可直接驱动GaN器件。
目前美思迪赛半导体采用MX6535已经对市面上主流的氮化镓功率器件进行了适配应用
专为氮化镓或者超级硅等高速功率器件设计的控制器和驱动器
与同样出自美思迪赛半导体集成同步整流的二次侧快充协议SOC控制器搭配设计,能非常方便的实现18W~100W的USB PD或者QC小体积的快充电源设计
此外MX6535还可以根据用户需求实现兼容联发科(MTK)PE2.0 plus充电器协议