导图社区 模拟电路
模拟电路知识总结，包括常用半导体器件、基本放大电路、信号的运算和处理、放大电路中的反馈和集成运算放大电路五部分内容。
单相变压器知识总结，包括单相变压器的工作原理和基本结构、空载运行、负载运行和基本方程、变压器的等效电路、等效电路参数的测定等内容。
社区模板帮助中心，点此进入>>
电费水费思维导图
D服务费结算
材料的力学性能
总平面图知识合集
软件项目流程
一级闭合导线
建筑学建筑材料思维导图
第二章土的物理性质及工程分类
人工智能的运用与历史发展
电池拆解
模电
常用半导体器件
半导体基础知识
杂质半导体
N型半导体-5价
多子-电子
少子-空穴
P型半导体-3价
多子-空穴
少子-电子
多子浓度=掺杂质原子的浓度(受温度影响小) 少子浓度=本征激发(受温度影响大)
PN结
形成
扩散运动(多子）
空间电荷区（耗尽层）
漂移运动（少子）
单向导电性
正向偏置
反向偏置
伏安特性
u>0的部分称为正向特性
u<0的部分称为反向特性
半导体二极管
与PN结伏安特性的区别
温度的影响
温度升高，正向特性曲线将向左移；反向特性曲线将向下移
温度每升高10度，反向电流增大一倍
折线化得到的等效电路
理想二极管（远远大于Uon）
几倍大于Uon
接近Uon
晶体三极管
结构
符号
电流分配关系（发射极IE=基极IB+集电极IC）
电流放大系数（β=IC/IB）
共射特性曲线
输入特性曲线
输出特性曲线
截止区：发射结反偏，集电结反偏
放大区：发射结正偏，集电结反偏
饱和区：发射结正偏，集电结正偏
温度升高，由于Ice，β增大，且输入特性左移，导致集电极电流增大
基本放大电路
放大的概念和性能指标
本质：能量的控制和转换
基本特征：功率的放大
前提:不失真
性能指标
放大倍数：Au=U0/Ui
输入电阻：Ri=Ui/Ii
输出电阻:R0
基本共射放大电路组成
三极管T
VCC：为JC提供反偏电压，一般几 ~ 几十伏
RC：将iC的变化转换为vo的变化，一般几K~几十K。 VCE=VCC-ICRC
VBB：为发射结提供正偏
Rb：一般为几十K~几千K， Rb ,Vbb 属基极回路
Cb1， Cb2：耦合电容或隔 直电容，其作用是通交流 隔直流。
两种实用放大电路
直接耦合放大电路
阻容耦合放大电路：耦合电容的容量应足够大，即对于交流信号近似为短路。其作用是“隔离直流、通过交流”
放大电路的分析方法
静态工作点的稳定
方法
引入直流负反馈
温度补偿：利用对温度敏感的元件，在温度变化时直接影响输入回路。
信号的运算和处理
比例运算电路
反向比例运算电路
U0=-Rf/RUi(R与Rf相连）
同向比例运算电路
U0=（1+Rf/R）Ui
输入电阻=输出电阻，则U0=（Rf/R）Ui（R为与自己相连的电阻）
有源滤波器（双级型管,单级型管，集成运放）
低通滤波器（先通电阻在通电容）
高通滤波器（先通电容在电阻）
带通电阻（高通与低通串联）
带阻电阻（高通与低通并联）
放大电路中的反馈
负反馈放大电路一般表达式
理想运放在线性区的特点
虚短，虚断（Up=UN，Ip=IN=0）
集成运算放大电路
多级放大电路的耦合方式
直接耦合
优点
既能通过直流，也能通过交流
易于将全部电路集成在一片硅片上
缺点
静态工作点相互影响
存在零点漂移现象
阻容耦合
Q点相互独立
不能放大变化缓慢的信号，低频特性差，不能集成化。
变压器耦合
Q点相互独立，可以实现阻抗变化
集成运放电路的概述
特点
直接耦合方式，充分利用管子性能良好的一致性采用差分放大电路和电流源电路
用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路的复杂化并不带来工艺的复杂性
用有源元件替代无源元件，如用晶体管取代难于制作的大电阻
采用复合管
组成
偏置电路：为各级放大电路设置合适的静态工作点。采用电流源电路
输入级：前置级，多采用差分放大电路。要求Ri大，Ad大， Ac小，输入端耐压高
中间级：主放大级，多采用共射放大电路。要求有足够的放大能力
输出级：功率级，多采用准互补输出级。要求Ro小，最大不失真输出电压尽可能大
传输特性
抑制温度漂移的方法
在电路中引入直流负反馈
采用温度补偿的方法，利用热敏元件来抵消方大管的变化
采用特性相同的管子，使它们的温漂相互抵消，构成差分放大电路
消除失真的方法是设置合适的静态工作点
