导图社区 半导体器件
模拟电子线路基础 第1章 半导体器件知识梳理，包括半导体的基础知识、PN结与二极管、特殊、场效应管、三极管等内容。
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第二章土的物理性质及工程分类
人工智能的运用与历史发展
电池拆解
第1章 半导体器件
半导体的基础知识
本征半导体
又称纯净半导体
导电基础:本征激发/热激发，会产生
电子（负电）
空穴（正电）
本征半导体载流子浓度取决于温度
温度升高，半导体导电能力上升
杂质半导体
N型半导体
掺入微量五价元素
导电原理
施主杂质电离
电子—正离子对
热激发
电子—空穴对
以自由电子为多子，以空穴为少子
P型半导体
掺入微量三价元素
受主杂质电离
空穴—负离子对
以空穴为多子，以自由电子为少子
杂质半导体载流子浓度取决于杂质浓度
注意
半导体器件的温度稳定性差是因为少子
载流子运动方式及其形成的电流
扩散运动
原因
浓度差
形成
扩散电流
漂移运动
原因
电场力
漂移电流
PN结与二极管
PN结的基本原理
本征半导体通过掺杂工艺一边P型，一边N型
条件
（扩散运动）多子数目=（漂移运动）少子数目
PN结形成则动态平衡
无载流子定向运动，无电流产生
特性
单向导电性
PN结正向导通，反向截止（正PN主多子扩散运动，反PN主少子漂流运动）
击穿特性
反向电压上升，当超过某个值，反向电流上升，而结两端电压基本不变
电容特性
PN结存在电容特性
二极管
分类
点接触型（高频电路中常用）
面结合型
平面型
伏安特性
正向特性
存在门限电压Uth
反向特性
存在反向饱和电流Is
反向电流急剧增加，二极管端压近似不变
温度与伏安特性关系
温度升高，门限电压下降（载流子更活泼，更易开启）
温度上升，反向饱和电流上升
温度升高
雪崩击穿Uz上升
齐纳击穿Uz下降
数学表达式
主要参数
性能参数
RD——直流电阻
rd——交流电阻
CT——势垒电容
极限参数
Iom——最大允许整流电流
URM——最高反向工作电压
PDM——最大允许功率
电路分析方法
图解法
折线法近似法
主要特点
在电路中可作电子开关
加正向电压
开关闭合
加反向电压
开关断开
应用电路举例
整流电路
假设VD开路，看正向开路U
U>0
导通
U<0
截止
门电路
理想二极管
正向开路电压>0
最大的抢先导通
存在门限电压的二极管
正向开路电压>0.7
限幅电路
方法与整流电路同
特殊二极管
稳压二极管
正向电压
相当于普通二极管
普通二极管导通状态
反向电压
若｜反向电压｜>=Uz
稳压，一直取Uz
0<｜反向电压｜<Uz
普通二极管截止状态
光电二极管
工作于反偏状态
发光二极管
工作于正偏状态
场效应管
优点
体积小，重量轻，耗电省，可靠性高，便于集成
与晶体三极管的比较
三极管
电流控制器件
双极型晶体管（少子多子均参与导电）
电压控制器件
单极型晶体管（多子参与导电）
三极管的结构与符号
三极管的工作状态
三极管的放大原理
放大作用实质是一种控制运动
以小电流控制大电流
工作在放大区的晶体管是电流控制元件
三极管的特性曲线
输入特性曲线
输出特性曲线
三极管主要参数
