芯片制造流程

这是一篇关于芯片制造流程的思维导图，芯片制造是一个对技术、资金、人才都高度依赖的行业，特别是在工艺上。

芯片制造

• 晶圆制备
  • 矿石→高纯气体（SiCl4或SiHCl3）
  • 硅化物和H2反应，生成多晶硅
  • 晶体生长：多晶转变成单晶
    • 直拉法
    • 液体掩盖直拉法
    • 区熔法
  • 单晶→晶圆：切割，磨片等
• 晶圆制造
  • 基础工艺
    • 增层
      • 作用：晶圆表面形成薄膜
      • 制程
        • 生长法
          • 氧化
            • SiO2的作用：（1）表面钝化：控制和消除污染（2）掺杂阻挡层：阻止掺杂物进入硅；和Si热膨胀系数相近，加工时不易弯曲（3）绝缘：避免短路+感应现象
            • 工艺
              • 通N2
              • O2/H2O：氧生长
              • N2：停止氧化和移出晶圆
          • 热氮化
            • 热生成Si3N4，厚度更薄更光滑
        • 淀积法
          • 化学气相沉积
          • 蒸发
          • 溅射
    • 光刻
      • 将晶圆表面特定区域薄膜去除，留下微图形结构的薄膜
    • 掺杂
      • 将特定量的杂质由薄膜开口引入晶圆表层
    • 热处理
• 封装
• 终测