太赫兹移相器调研(上)

这是一篇关于太赫兹移相器调研的思维导图，主要内容包括：Sub-THz 液晶移相器研究(2021年)，CMOS 亚毫米波片上天线与有源移相器(2021年)，多位太赫兹移相机制及器件的研究（2021年），小型化大移相量液晶移相器 关键技术研究，硅基太赫兹高精度移相器研究。

太赫兹移相器调研

• 硅基太赫兹高精度移相器研究
  • 太赫兹波在大气中传输损耗很高，限制了通信距离，所以需要大规模的相控阵系统来克服传播损耗。移相器作为相控阵的重要部分值得研究。
  • 目前硅基移相器的缺点：
    • 1）精度低；2）移相误差大。
  • 如何解决缺点：
    • 1）针对移相误差大
      • ...
    • 2) 针对精度低
      • ...
  • 绪论
    • 1介绍太赫兹的好处
      • 太赫兹频率高对应的器件都比较小，易于片上集成
      • 穿透悬浮颗粒，对恶劣环境适应能力强（有参考文献）
    • 2介绍了为什么要采用硅基工艺，硅基工艺的好处：
      • 1）成本低
      • 2）与数字电路兼容性好
      • 3）硅基工艺本身的发展
    • 3太赫兹窗口（参考文献）
    • 4由太赫兹定向天线在非视距通信方面质量很不好，引出太赫兹相控阵的重要性，太赫兹波束扫描的重要性！！（参考文献）
    • 5关于移相器质量好 决定波束扫描速度 和精度的参考文献。
    • 6截至2003年，能够工作在100GHz附近及以上的硅基移相器还相当稀少。
    • 实现移相的方法
      • 开关型吉尔伯特单元反射器
      • 正交混合网络，电桥，巴伦，单刀双制开关，可变增益放大器
      • 基于可变耦合谐振腔：调节两个可变电容的值来改变耦合谐振腔的电抗，进一步改变相位。
      • 开关吉尔伯特单元反相器，反射式移相器
      • 开关线结构，原理简单：通过改变接入电路的传输线的长度来改变相位值
      • 基于单个吉尔伯特单元的矢量合成式移相器
      • 两个吉尔伯特结构以及一个电流合成器组成
      • 基于SiGe二极管负载的硅基太赫兹反射式移相器
      • 基于X型衰减器控制两路正交信号的增益和是不是反相的，合成得到所需的移相器
      • 基于X型衰减器的无源矢量合成移相器与人造传输线型移相器串联
      • 矢量合成结构
    • 第二章
      • 矢量调制型移相器在太赫兹频段的优势
      • 介绍各种结构的移相器，并分析对比了优缺点
      • 2.3移相器的结构分类
        • 传统：
          • 无源
            • 1，开关型
            • 2，反射式
          • 有源
            • 矢量合成结构
        • 新的移相器：
          • 文献[50]中的分类方式
            • 1）级联结构的移相器
            • 2）反射式移相器
            • 3）矢量合成式移相器
• 小型化大移相量液晶移相器 关键技术研究
  • 摘要
    • 移相器广泛应用于相控阵系统，微波相位测量，数字移动通信，自适应天线，相位调制系统
    • 液晶移相器的优点：
      • 1，可实现相位动态连续可调
      • 2，成本低
      • 3，易于集成
    • 设计了基于介质波导的太赫兹液晶移相器，工作在（100GHz-110GHz）
      • 回波损耗小于-17.8dB
      • 最大插入损耗4.9dB
  • 第一章 绪论
    • 移相器的调节方式主要通过电调谐（参考文献）
      • 1，基于PIN二极管
        • PIN 二极管无法实现相位连续可调，同时在高频段具有较大的损耗及寄生效应
      • 2，基于变容二极管
        • 基于变容二极管的移相器可以实现相位连续调谐，但在高频段同样具有较大的损耗及寄生效应
      • 3，MEMS
        • 基于 MEMS 器件的移相器在性能方面优于 PIN 二极管和变容二极管，但其成本高并且不易集成
      • 4，铁电体
        • 铁电材料可以进行较大范围的介电常数调谐，在较低频段的性能良好，不过需要 较高的偏压对材料进行调谐，同时随着频率的提升，材料的损耗将会增大，从而 导致移相器的损耗增加，因此铁电材料不适合应用于 Ku 乃至更高的频率范围
      • 5，铁氧体
        • 基于铁氧体材料的移相器可以使用外部磁场来影响材料的导磁系数，以此来改变电 磁波的相速，但其驱动功率较高，体积重量偏大，不利于可调谐移相器实现小型 化
    • 说明之前的5种方法的缺点：难以同时满足紧凑性，低成本，连续调谐的要求，引出液晶移相器能解决这些缺点
    • 液晶移相的好处：
      • 液晶分子对电磁场敏感，具有相对较低的介电损耗，且相关器件 的制造成本低廉，使其在微波、毫米波电路中具有重要的研究价值
      • 液晶具备较强的电可调谐能力，其特性可通过表面锚定、外部电场或磁场来控制，在不同电压下，液晶表现出不同的介电常数（参考文献）
    • 1.2 液晶移相器国内外研究现状
      • 液晶材料由于具有介电各向异性和易于通过电场控制的特性，逐渐应用于高频范围内的自适应和电可控微波器件中。LC 加载的微带线移相器是最早应 用液晶的微波器件之一，随后的研究中出现了共面波导、介质波导、LTCC 等多种 结构的液晶移相器。
      • 弯折线液晶移相器，使用双频电压对液晶分子进行控制。该设计在接地金属和玻璃之间填充 LC 材料，微带线进行弯折处理以减小移相器的面积
      • 对鳍线移相器填充液晶（液晶也分不同的型号）
      • 基于 LC 的对称短截线移相器，基板采用介电常数较低的 PTFE 基板，上面盖板是黄铜制成的微加工腔体，用于将LC封装在PTFE基板的共面槽中
      • 一种用于 W 波段的基于液晶的空心波导移相器，将 LC 填充到电介质容器中心的特定通道中，LC 容器由 PTFE 制成，移相器采用永磁体进行偏置
      • 一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)的液晶移相器，该设计将充满 LC 的带状线嵌入 LTCC 多层结构中
      • 英国剑桥大学 Li J F 等学者研究了共面波导结构的液晶移相器，共面波导信号线与地之间的凹槽和上下基板形成液晶腔，信号线与两边的地产生电压差，从而控制液晶分子的偏转
      • 一种工作在 V 波段的连续可调液晶移相器的 设计方法，该移相器采用平行板波导的结构，液晶填充部分电介质， 在 Ultralam 3850HT 基板上设计了阶梯阻抗电路以实现更均匀的电场分布。通过施 加±150V 的电压，该移相器获得的最大差分相移为 380 °
      • V 波段实现小型化的慢波液晶移相器。 电路模型，采用弯折的微带线结构，接地平面覆有填充金属纳米线的 多孔氧化铝膜，这些金属纳米线与位于膜背面的金属接地面相互连接
      • 一款工作于 54-66GHz 的基于液 晶的封闭共面波导移相器，设计中采用统一的接地板封装，将共面接地平面和金 属外壳结合在一起，降低了浮动效应带来的不稳定性和杂散模式引起的损耗
      • 基于非辐射电介质（NRD） 波导结构的太赫兹液晶移相器，液晶作为电介质被夹在两个平行金属板之间。通过在液晶上下层插入聚对苯二甲酸乙二酯（PET）膜减小了液晶层的厚度，衰减时 间得到了很好的改善，但相变却有所减少。
      • 一款 W 波段平行极化电介质液晶移相器，在 Rexolite 材料中填充液晶，采用四个偏置电极为LC 调谐提供所需电场
      • 对加载液晶的介质 波导进行了进一步研究，液晶封装方式采用挤压工艺，波导被挤压使其中心产生 一个空腔，用于填充液晶。该结构受到电或磁偏置时，可获得 160°/dB 的高 FOM
      • 倒置微带线结构的液晶移相器并使用 弯折线结构对其进行了小型化，采用 0-10V 电压对移相器进行测试，结果表明在 10MHz-6GHz 的频率范围中最大可实现 200 °的移相量
      • 一款以 ITO（氧化铟锡）作为透 明电极的太赫兹液晶移相器，该移相器具有高透射率和低工作电压的特点，液晶材料夹在上下两层石英基板之间，在石英基板上 有 ITO 薄膜作为电极。该移相器以 17.68V 电压驱动
      • 基于左右手传输线的液晶移相器， 该设计将 5 级基于缝隙电容的 T 型复合左右手传输单元进行级联，液晶介电常数 在 2.5-3.3 范围内变化，移相器在 12.6GHz 时达到 474°相移
      • 一种用于 HMSIW-LWA 馈电矩形 贴片的 IMSL 液晶相移器，结果表明，在 0 至 20V 的偏置电压 下，天线实现了 46°的扫描范围
      • 一款基于液晶的快速调制的太赫兹移相器，在 2THz 的 频率下，对该太赫兹移相器施加 100V 的偏置电压，达到了 35°的相移
      • 基于共面波导和开环谐 振器的滤波可调谐液晶移相器，该移相器在提供连续调相功能的同时嵌入滤波功 能
      • 基于人工表面等离激元结构的太赫兹液晶移 相器进行了研究，液晶介电常数的调节范围为 2.47-3.26，在 300-320GHz 频段实现 了 55°/mm 的相位，插损在 1.4dB 到 1.9dB 范围内
      • 中国计量大学太赫兹研究所的龙洁等人提出了一种光栅-液晶复合结 构的太赫兹移相器，该器件采用石墨烯作为电极来调节液晶介电常数。结果表明， 在 0.39-0.46THz，该移相器的最大相移量超过 400°
    • 总结：
      • 1，从上述国内外研究现状可以看出，基于液晶材料的可调移相器成为近年研究 的热点，国内外学者研究了一系列不同结构的液晶移相器，如悬置微带线结构、 共面波导结构、LTCC 结构、空心波导结构、平行板波导结构等，研究的频率从微 波频段逐渐上升至毫米波甚至太赫兹频段
      • 2，总体来看，液晶移相器在微波毫米波领域内的研究和应用还不够成熟，面临 一些问题，例如插损较大，液晶封装、小型化、如何获得大移相量等。但液晶移 相器具备可连续调相和低成本等诸多优势，在微波毫米波甚至太赫兹频段具有重 要的研究意义和应用前景
  • 第五章：太赫兹液晶移相器研究（后面有需要的话值得细看）
    • 1，先介绍介质波导的原理
    • 2，设计一款基于介质波导的太赫兹液晶移相器
    • 3，将介质波导液晶移相器与功分网络与棒状天线组合，实现1*4的太赫兹阵列天线设计。
• 多位太赫兹移相机制及器件的研究（2021年）
  • 摘要
    • 介绍了该文要研究的三种太赫兹移相器的方法（采用不同的理论基础）
      • 1，开展了加载双枝节的多位太赫兹移相技术研究（90GHz-100GHz）
      • 2，基于微扰单元实现高精度太赫兹编码移相的方法（265GHz）
      • 3，针对连续可调的大相位移相器需求，研究了反射式太赫兹移相器（108GHz）
  • 第一章 绪论：
    • 1.1 太赫兹移相器的背景和意义
      • 太赫兹功能器件仍然 没有得到成熟的发展以及原因（参考文献）
      • 移相器分类（模拟和数字移相器某些情况下可以互相等效）
        • 1，模拟
        • 2，数字
        • 可以互相等效的原因：模拟移相器和数字移相器在某些 情况下可以互相等效，例如将模拟移相器进行定量移相即可组成一个数字移相器， 而将数字移相器的位数增加到一定程度，也可将其看为连续变化的模拟移相器， 所以两者的界限由人们的需求而改变
      • 关于相控阵雷达用于武器，战争的参考文献
        • 机械雷达
        • 相控阵雷达
          • 相控阵天线主要 包含两部分：
            • 1，多组移相器和天线组成的移相天线阵列
            • 2，使用FPGA等技术设计得到的电控网络（参考文献）
      • 介绍太赫兹通 信中相移键控 的重要 性，引出实现 相移键控需要 用到移相器
    • 1.2 国内外太赫兹移相器研究现状
      • 1960年最早的铁氧体实现 相控阵天线 的参考文献
      • 电控PIN二极管移相器（参考文献）
      • 1980年提出有源场效应管，实现有源场效应管移相器(参考文献)
      • 之后各种新半导体晶体管出现，电控移相器的实现方法更加多元化
      • 在太赫兹频段：
        • 片上集成移相器需要的技术
          • 1，微机电系统MEMS的发展
          • 2，高电子迁移率场效应晶体管技术的发展
      • 中国工程物理研究院的 Y, Du 提出的 D 波段 MEMS 移相器，其结构是在共面波导上架一道 MEMS 桥，MEMS 桥跨过中间金属线连接两边 的金属板，桥的中间部分与中间金属垂直方向上有一定的距离，当对 MEMS 桥加 压时，桥的中间部分会发生移动，使得桥的与共面波导中间金属线的垂直距离发 生变化，即等效为加载在传输线上的阻抗发生改变，然后再将这样的结构进行叠 加，实现了 110 GHz 到 170 GHz 范围内的五位数字移相器 （参考文献）
      • 一种矩形波导内的 MEMS 移相器，其原理是在 矩形波导的窄边放入平行金属板，平行金属板相当于一个加载到波导内的完美磁 边界，金属板的宽度 w，与窄边的距离 h 都会影响到矩形波导的波阻抗和传播常数
      • 华盛顿州立大学的 Hanxiang Zhang 则利用微波反射式移相器的原理，将两个 反射端口接入变容二极管及辅助电路，通过变容二极管的电容变化，实现了 60 GHz 频点左右 93.3°的相位移动
      • 2018 年，卡尔斯鲁厄理工学院的 Daniel Müller 同样 利用的是反射式移相器原理，他将反射端口更换成 HEMT 及相应的匹配电路，在对 HEMT 加压时，即可引起相位的移动，其最终实现了在 240 GHz中心频点处 118°的相位移动
      • 超材料作为太赫兹器件的一个重要研究领域，其在相位调控方面也具备一 定的效果
        • 超材料即为由周期排列的金属单元构成的在太赫兹波段呈双负特性的 人造材料，通过将其与不同的电磁可调材料（GaAs 掺杂二极管结构、石墨烯、二 氧化钒等）进行结合，即可构成相位可调的超材料
        • 2008 年 HouTong Chen 等人提出了一种新颖的太赫兹相位调制器，该相位 调制器基于金属开口环谐振器超材料结构，其在掺杂型半导体基底上生长金属开口环阵列，使得基底和金属开口环阵列之间形成了等效肖特基二极管。通过对肖 特基二极管加压后，使得其中的 n-GaAs/Si-GaAs 的载流子浓度发生变化，从而改 变金属开口环谐振器超材料的电磁特性，最终导致太赫兹波的谐振发生变化，影 响太赫兹波的传输相位
        • 2012 年，Seung Hoon Lee 等人提出了一种同时具有幅度和相位调制功能的超 材料，其利用单层石墨烯的载流子浓度变化来改变超材料的谐振特性，最终实现 了 32.2°的相位调制，同时还具有 47%的幅度调制
        • 2014 年 Xunjun He 等人提出 一种基于十字形互补结构和石墨烯的太赫兹相位调制器，在金属层和石墨烯之间 加上电压，可以影响石墨烯的载流子浓度，从而改变石墨烯层的导电率，使器件 的透射峰强度变化以得到透射相位的变化最终其实现了 1.25 THz 频点处，保 持 23%透射率的情况下能得到 36°的相位调制，而在 15%透射率下则可达到 58°的 相位调制
        • 2018 年，电子科技大学的 Yuncheng Zhao 将超材料与二氧化钒进行了结合， 以实现对透射的太赫兹波进行相位调制 ，周期排列的杠铃形结 构组成了一个超表面，其将二氧化钒小块镶嵌到杠铃形结构的两边缺口处，当利 用激光对二氧化钒进行照射时，二氧化钒会发生从绝缘态到金属态的材料相变， 这两个不同状态改变了超表面的谐振频率，通过 K-K 关系得知谐振点的移动能带 来相位的突变，从而实现了在 0.6 THz 的频点附近超过 130°的相移。
          • 关于k-k关系的解释：在克尔-克尔 关系中，光通过具有克 尔效应的材料时所经历 的相移与光波强度的平 方成正比。这种非线性 关系是克尔-克尔效应 的一个关键特征，在非 线性光学的各种应用中 很重要，包括在移相器等设备中。
        • 合肥工业大学的 Jun Yang 则是利用超材料与液晶的组合，使得反射的太赫兹 波相位发生移动 [31] ，该结构将液晶夹在上层超材料与下层金属板之间，通过对超 材料和金属板间加电压，使得液晶的相对介电常数发生改变，得到了 325-337.6 GHz 范围内大于 300°的相位移动
        • 曼彻斯特大学的N Kakenov使用聚乙烯薄膜和离子液将石墨烯和金属层分开，利用中间层构成 λ/4 波长片，同时金属层对太赫兹波起到了反射的作用， 当对石墨烯和金属层进行直流加压时，石墨烯层的等效表面阻抗发生了改变，使 得其反射的太赫兹波相位同样发生了改变 [32] ，最终得到了在 1.1 THz 频点左右 π/2 的相移。
        • 2018 年，电子科技大学的 Yaxin Zhang 提出了一种将超材料与高电子迁移率 场效晶体管（HEMT）结合的移相器 [33] ，其通过加直流电压改变了 HEMT 中的二 维电子气载流子浓度，然后改变了超材料的谐振状态，最终得到了 0.35 THz 附近 移相度数达 137°的移相器件。
    • 1.3 太赫兹移相技术难点
      • 1，多位移相原理机制在太赫兹波段尚属于待开发的状态
      • 2，由于 K-K 关系的存在，现有的电控太赫兹准光相位调制器件存在移相度 数小，插损大的问题，而且准光型相位调制器件存在集成困难等问题
      • 3，由于太赫兹波段的频率较高，其对应的波长只有毫米甚至微米级别，对 应的器件尺寸小，结构精细，使得在设计和加工时产生较大误差，影响插损以及 移相精度。这对设计时的误差分析，可靠性设计，加工时的误差控制有极高的要 求。
      • 4，多位移相器设计需要设计有源控制模块，该模块可由二氧化钒、石墨烯 等电导率可变材料组成，也可由二极管、三极管、场效应管等晶体管组成。由于 这些材料和元器件在太赫兹波段的研究处于初步阶段，如何在太赫兹波段有效应 用这些材料和元器件也是一个巨大的挑战。
      • 解决困难的办法：
        • 首先要对已有的原理进行创新，找到合适的改进方案以满足其在太 赫兹波段的应用。然后研究不通类型的多位移相器件，分析这些类型的优缺点， 增加设计原理的可行性。将 3D 建模仿真与 2D 电路仿真进行结合，设计时进行容 差分析，减少误差。对加工后的器件进行测试、分析、再迭代，最终得到有源模 块中的仿真参量，以及合适的器件尺寸，完成太赫兹多位移相器件的研究
• CMOS 亚毫米波片上天线与有源移相器(2021年)
  • 摘要
    • 随着硅基工艺特征尺寸的不断减小，栅长的缩短弥补了电子迁移率的不 足，其射频性能得到了极大的提升，使得低成本、高集成度的硅基工艺成为亚毫米 波/太赫兹集成电路研究的热点
    • 本文对提升片上天线的增益、辐射效率以及集成度等方面开展了调研和 学习等研究工作，并基于 0.13-µm RF CMOS Silicon-On-Insulator（SOI）工艺，设 计了一款 400 GHz 片上介质谐振器天线，其辐射模块首次采用新型八角槽结构， 该天线在中心频率处具有 10 dBi 的增益，辐射效率为 55%，E/H 面的交叉极化均 小于-25 dB，天线的核心面积为 0.6×0.6 mm 2 (包含 GSG 焊盘的面积为 0.88×0.88 mm 2 )。
    • 本文基于 55-nm CMOS 工艺，设计了一款移相精度为 22.5°且中心工作 频率为 170 GHz 矢量合成型有源移相器。该电路主要包含三个模块，可变增益放 大器模块（Variable Gain Amplifier, VGA）、正交信号产生器模块（I/Q）和矢量合成器模块（Vector Synthesis, VS）。
      • 1，可变增益放大器采用电流导引技术（Current Steering Technique），通过调谐电压可实现增益可调，输出两路同相不等幅信号
      • 2，正交信号 产生器采用 π 型高低通网络实现，在 π 型低通网络中，采用开路线作为等效电容， 降低小电容的加工误差，π 型高通网络中，采用类“U”型电感，缩减了电路面积
      • 3，矢量合成器第一级采用共源共栅结构作为驱动放大器，补偿正交信号产生器的损 耗；第二级采用两个吉尔伯特（Gilbert）单元，通过控制偏置电压对正交不等幅信 号进行极性选择，合成不同的移相信号。有源移相器供电电压为 1.8 V，直流功耗 为 20.4 mW，相位均方根误差为 7.3°，芯片的整体面积为 1.05×0.6 mm 2 （包含直 流焊盘与 GSG 焊盘）。
  • 第一章 绪论：
    • 1.1 研究工作的背景与意义
      • 大气窗口与频率关系：
      • 早期，III-V 族化合物半导体工艺凭借能够承受较大的功率和自身电子迁移率 高等特点，在很长一段时间内，几乎垄断了亚毫米波/太赫兹集成电路的市场 [1-4] 。 但该工艺存在制造成本高、产品良率低和集成度低等问题，限制了亚毫米波/太赫 兹通信技术的发展。近年来，CMOS 器件的特征尺寸逐渐缩小，使得硅基半导体技 术能够满足模拟和数字电路对高度集成和小尺寸等性能的要求，这使得便携式设备上集成亚毫米波系统成为可能，并且可以逐渐实现大批量生产 [5]
    • 1.1.2 有源移相器的研究背景与意义
      • 有源移相器对比无源移相器的优点
        • 1，有源移相器 [28-34] 可以采用 晶体管而不是无源网络来实现相位控制，在功率受限的情况下，具有良好的相位控 制性能，并且还能获得一定的增益 [35]
        • 2，有源移相器具有更好的集成度和相移 分辨率，而且芯片尺寸较小
        • 基于硅基半导体技术设计出低插损、高精度和高集成度的有源移相器对提高 亚毫米波/太赫兹电路性能具有重要意义
    • 1.2.2 有源移相器的调研和发展前景
      • 技术发展顺序：
        • 1，较早的 GaAs 工艺技术
        • 2，HEMT 器件工艺技术
        • 3，具有很大潜在学术研究价值的 COMS 工艺
    • 1.3.1 本文详细的介绍了有源移相器随着工艺进步的发展历程，针对有源移相 器的移相精度和功耗等性能的改善，基于 55-nm CMOS 设计了一款 170 GHz 矢量 合成有源移相器
• Sub-THz 液晶移相器研究(2021年)
  • 摘要
    • 1，基于液晶材料的反射式移相器研究：在设计分析单偶极子液晶移相 单元的研究方法基础上，总结了反射式液晶移相单元的设计分析方法，设计了一款 工作中心频率在 100GHz 的多谐振太赫兹反射式液晶移相单元，在 98~103GHz 频 率范围内实现了超过 360°的相移。
    • 2，重点介绍了微带线结构的液晶移相器研究。本文设计倒置微带线结构移相器 仿真模型，分析结构设计方法。设计了新型倒置微带线结构的移相器，在 91.2~110GHz 内实现了超过 360°的相移，实现了 21.2°/mm 的相移量。
    • 3，接着进行了 微带线结构的移相器小型化研究，设计了工作在 111~125GHz 范围内的基于复合左 右手结构的液晶移相器，在工作频段内，反射系数小于-15dB，传输系数大于-5dB， 实现了 52.8°/mm 相移量。
    • 4，开展了太赫兹微带线式液晶移相器的实验研究。首先设计了微带线结构太赫 兹液晶移相器测试方案。仿真设计了双波导口结构的微带线太赫兹液晶移相器的 测试电路，包括射频波导微带过渡结构、直流偏置滤波器与直流偏置-输出双工结 构等关键电路。在此基础上，设计了移相器测试电路加工版图与三维腔体结构。对 加工的测试电路及腔体进行了整体装配与测试，进行实物测试，实现了在 90~103.5GHz 频段内，超过 103.2°的相移。测试结果验证了在亚太赫兹频段微带 线结构太赫兹液晶移相器设计及测试方案的可行性
  • 第一章 绪论
    • 太赫兹频段在卫星通信、雷达探测和物体监测 成像等研究领域具有重要的科研应用价值 [4-6]
    • 开展太赫兹频段的移相器研究对太赫兹技术的发展具有重要意义 [7]
    • 基于微 机电系统技术与集成电路工艺的先进的加工工艺为赫兹移相器的设计提供了新的 解决思路 [3]
• 太赫兹可用于
  • 成像（参考文献）
  • 医学检测
  • 高速无线通信（参考文献）