Angstrom(1A是纳米的10分之一)晶体学、原子物理、超显微结构等常用的长度单位
英特尔 20A,它本质上是 2nm,但在技术上按照现有命名标准使用是 5nm 工艺。这有点令人困惑,但是这让英特尔的工艺名称与其竞争对手平起平坐,并为英特尔提供更大的空间来逐步缩小规模,而无需深入研究小数位。
采用Gate-all-around (GAA) 设计并称为“RibbonFET”
FinFET 将通过添加多个鳍片来扩展通道电流容量
GAA 设计允许芯片制造商将多个通道相互堆叠,从而使电流容量成为一个垂直问题并增加芯片密度
FinFET 栅极从三个侧面驱动。这比平面 MOS 晶体管中驱动的多两个侧面,它以更复杂的制造技术为代价导致更好的晶体管性能。然而,驱动 FinFET 晶体管栅极的三个侧面不再达到所需的速度和漏电流。现在驱动四个侧面。这些 4 面栅极驱动结构通常称为“四周栅极”或 GAA。
引入了PowerVia设计方法
这是一种新的芯片设计方法,将在芯片背面提供电力。这种设计将供电层放在芯片底部,然后是晶体管,然后是通信线。传统的芯片设计将晶体管放在底部,较高的信号层和电源层必须混合才能到达晶体管层
2025年 有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机