导图社区 二极管及其基本电路
这是一个关于二极管及其基本电路的思维导图,详细概述了二极管的基本概念、特性、分类、应用以及基本电路的分析方法。
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二极管及其基本电路
半导体的基本知识
导电能力
导体
外层电子数少于4个
绝缘体
外层电子数为8个,稳定
半导体
外层电子数4个
影响导电特性的因素
光敏性
受光照,导电能力增强
热敏性
温度升高,导电能力增强
掺杂性
掺杂少量杂质,导电能力显著提高
本征半导体
性质
化学成分纯净
“九个9”
导电能力弱
本征激发
空穴
共价键中的空位
空穴电子对
由热激发而产生的自由电子和空穴对
空穴的移动
相邻价电子依次充填空穴
载流子复合
自由电子与空穴在热运动中相遇
载流子的动态平衡
产生的空穴电子对与复合消失的空穴电子对数目相等,载流子浓度一定
杂质半导体
N型半导体(电子半导体)
掺入五价元素,如磷元素
磷原子失去一个电子称为施主杂质或N型杂质
自由电子为多子
空穴为少子
对外不显电性
P型半导体(空穴半导体)
掺入三价元素,如硼元素
硼原子得到一个电子称为受主杂质或P型杂质
空穴为多子
自由电子为少子
PN结的形成及特性
载流子的漂移与扩散
扩散运动
载流子由浓度高到浓度低的区域扩散
多子的运动
漂移运动
载流子在电场下的定向运动
空穴的漂移运动方向与电场相同,电子相反
少子的运动
PN结的形成
空间电荷区
多子的扩散运动使其变宽
又称PN结、耗尽层、阻挡层
少子的漂移运动使其变窄
PN结的单向导电性
正向偏置
形成较大的扩散电流
PN结变窄
正向电阻较小
PN结处于导通状态
反向偏置
少子的漂移运动加强,形成很小的反向电流
PN结变宽
反向电阻很大
PN结处于截止状态
关键
PN结的存在
PN结的电流方程
PN结的伏安特性
PN结的反向击穿
热击穿
PN结烧毁,不可逆
电击穿
PN结未损坏,可逆,断电即恢复
齐纳击穿
雪崩击穿
PN结的电容效应
扩散电容
外加正向电压时,多数载流子在扩散过程中引起电荷累积而产生
正偏起主要作用
势垒电容
PN结正偏反偏都有
反偏起主要作用
结电容
扩散电容+势垒电容
半导体二极管
二极管的结构
点接触型
面接触型
平面型
二极管的伏安特性
开启电压
外加电压大于开启电压,二极管才导通
硅管:0.5V
锗管:0.1V
导通压降
硅管:0.7V
锗管:0.2V
反向击穿电压
外加电压大于反向击穿电压,二极管被击穿,失去单向导电性
与温度关系
温度升高,正向特性左移,反向特性下移
二极管的参数
最大整流电流
二极管长期使用时允许流过的最大正向平均电流
最高反向工作电压
二极管工作时允许加的最大反向电压
反向电流
二极管未击穿时的反向电流值
反向电流愈小,二极管的单向导电性愈好
最高工作频率
二极管工作的上限频率
二极管基本电路及其分析方法
简单二极管电路的图解分析方法
前提——已知二极管的I—V特性曲线
利用迭代法求工作点
二极管电路的简化模型分析方法
理想模型
开关等效
导通时压降为零,截止时电流为零
适用于电源电流远大于二极管的管压降时
恒压降模型
认为二极管导通后,管压降恒定
相当于开关串联电压源
适用于流经二极管的电流近似等于或大于1mA
折线模型
导通时压降与电流成正比关系,截止时电流为零
交流电阻
相当于开关串联电压源和一个交流电阻
小信号模型
电压电源上叠加微小交流信号
微变电阻与静态点Q密切相关
二极管处于正向偏置条件下,且vD>>VT
二极管的举例应用
整流电路
将双极性电压(或电流)变为单极性电压(或电流)
稳压电路
开关电路
判断二极管的工作状态
分析二极管两端电位的高低或所加电压的正负
正向电压较大者优先导通
限幅电路
让信号在预置的电平范围内有选择的传输一部分
特殊二极管
稳压二极管
特殊的面接触型二极管
正常工作时加反向电压,工作在反向击穿区
正向使用时与普通硅二极管相同
稳压电路连接方法
稳压管与限流电阻串联,与负载并联
主要参数
稳定电压
最小稳定电流、最大稳定电流
额定功耗
动态电阻
反向击穿模型
电压温度系数
发光二极管
一般用作显示器件——数码管
导通电压为1.5-3V
正向电流越大,发光越强
光电二极管
远红外接收管
将光的变化转化为电流的变化
反向电流与光照强度成正比