第三代功率半导体 碳化硅 氮化镓

这是一篇关于第三代功率半导体的思维导图，主要内容包括：【功率半导体背景】，设备制造，硅片——衬底 研磨片 抛光片 外延片，功率半导体器件/模块，代工 封测，其他。

第三代功率半导体

• 【功率半导体背景】
  • Yole Group：2025年电力电子产业现状
    • Yole Group是一家专注于半导体、光电子及电子产业分析的全球知名市场研究机构
    • 尽管全球前20大功率器件供应商的领先地位仍然被包括英飞凌、安森美、意法半导体、三菱电机等在内的欧盟、美国和日本公司占据，但中国企业正在不断提升其市场地位和份额 2024年，四家中国公司——中芯国际、士兰微、比亚迪和中车（株洲中車時代半導体 时代电气子公司）——跻身前20强。
    • 预计功率器件市场将以2024-2030年8.7%的复合年增长率增长。
    • 2024年，功率电子市场和供应链面临诸多挑战：
      • 制造能力大幅扩张，而 xEV 需求低于预期，尤其影响了 SiC 晶圆和器件市场。
      • 中国制造商的崛起、设备库存水平高、光伏发电（PV）和电池储能系统（BESS）等市场面临巨大的成本压力、地缘政治不稳定和贸易冲突。
      • 尽管纯电动汽车需求放缓，但受混合动力电动汽车（HEV 和 PHEV）、光伏发电、电池储能系统 (BESS)、数据中心电源（特别是人工智能服务电源）、电动汽车直流充电器以及铁路和高压直流输电项目等因素的推动，电力设备的整体需求仍然呈上升趋势。
    • 尽管功率模块的份额正在快速增长，但功率分立器件仍将主导市场。汽车和出行领域仍将是最大的细分市场。在对更高效率和更大系统功率密度的需求推动下，碳化硅（SiC）功率模块和功率分立器件以及氮化镓（GaN）基器件预计将引领增长。硅基IGBT和晶闸管的需求将主要来自对成熟器件和低成本的需求。
    • 双向氮化镓 (GaN) 器件和碳化硅 (SiC) 超结 MOSFET 的应用日益广泛，同时越来越多的公司开始推出 SiC JFET（碳化硅结型场效应管） 解决方案。
  • 【2025Yole Group报告提及的公司】
    • 中国大陆公司：BYD (比亚迪)、CRRC (中国中车)（中车时代电气）、Huawei (华为)、Innoscience (英诺赛科)、Silan Microelectronics (士兰微电子)、StarPower (斯达半导)、扬州扬杰电子科技 (Yangzhou Yangjie Electronic Technology)、Nexperia (安世半导体)、Sino-Microelectronics (华大半导体)、UAES (联合汽车电子)、WeEn Semiconductors (威海半导体)
    • 台湾公司：ASE Group (日月光半导体制造)、GlobalWafers (环球晶圆)、Hana Microelectronics (菱生精密)、USI (环旭电子)、Wafer Works (合晶科技)
    • 美国公司：Alpha & Omega Semiconductor (AOSL, 万国半导体)、Amkor (安靠)、Bourns (伯恩斯)、Diodes Incorporated (美台半导体)、EPC (Efficient Power Conversion)、Littelfuse (力特)、Microchip (微芯科技)、Navitas (纳维半导体)、onsemi (安森美)、Power Integrations (PI)、Tesla (特斯拉)、Vishay (威世)、Wolfspeed (WolfSpeed)
    • 欧洲公司：Bosch (博世)、Infineon (英飞凌)、Infineon (英飞凌)、Schaeffler (舍弗勒)、Semikron Danfoss (赛米控-丹佛斯)、STMicroelectronics (意法半导体)、Vincotech (温科技术)
    • 日本公司：Fuji Electric (富士电机)、Mitsubishi Electric (三菱电机)、Renesas (瑞萨电子)、Rohm (罗姆半导体)、Sanken (三垦电气)、ShinEtsu (信越化学)、Sumco (胜高)、Toshiba (东芝)
    • 韩国公司：Magnachip (美格纳半导体)、SK Siltron
  • Yole Group 在2024年发布的 《Power Electronics Market Monitor》报告。
    • 2023年全球功率电子市场（包括分立器件和模块）规模为238亿美元
      • 2023年，分立式电源市场规模为155亿美元
    • 2023年市场规模
      • 碳化硅
        • 约 53 亿美元
          • 新能源汽车、光伏、智能电网、工业电机驱动。 等较大市场，需求明确且强劲、市场空间大
      • 氮化镓
        • 约 6.5 亿美元
          • 消费电子快充、数据中心、电信
    • 2024预测
      • 碳化硅
        • 约 70 亿美元
      • 氮化镓
        • 约 8.5 亿美元
      • 弗若斯特沙利文数据显示，GaN 半导体器件市场2024 年市场规模约 32.28 亿元（同比+83.4%）。其中，数据中心领域的 GaN 半导体器件市场规模持续增长，2023 年、2024 年市场规模分别达 0.7 亿元（同比+48.9%）、1.4 亿元（同比+94.57%）
        • HVDC 赋能下一代数据中心供电。目前，普遍采用的 HVDC 供电系统输出电压为 240V 和 336V，其通过电池组直接接入直流母线实现不间断供电，有效避免了逆变损耗。服务器主要供电方式包括HVDC(高压直流供电)和 UPS(不间断电源)。HVDC 是将交流市电转换为高压直流电、为设备提供稳定高效电力支持的技术。HVDC 相较于 UPS 具备结构相对简单且可靠性高、效率高、投资成本低、能耗低等优势。HVDC 采用模块化设计，供电流程仅需"AC→DC→DC”变换;而 UPS 需经"AC→DC→AC→DC"多级变换。变换次数减少，使 HVDC 能耗降低，系统供电效率提升至 95%。
        • 随着 HVDC 电源应用于新一代数据中心，电源系统对于功率半导体的高压大电流要求进一步提升，这也加快了第三代半导体 GaN 的芯片的应用步伐
  • 需求侧数据
    • 汽车
      • （来源 国信证券25.11能源电子月报、信息来源NE时代数据）
      • 【主驱电控】
        • 主驱IGBT模块主力厂商芯联集成、时代电气、士兰微、斯达半导领先优势逐步确立，海外厂商份额逐步下降，未来行业格局将逐步收敛，竞争主要来源于头部厂商的份额切换。
          • 25年1-8月比亚迪半导体累计主驱电控搭载量约占24.5%；时代电气占16.2%，芯联集成约占9.7%，斯达半导占10.5%，士兰微约占14.4%，宏微科技约占2.8%。
        • 我国25年1-8月新能源上险乘用车主驱模块中SiC MOSFET占比为18.1%
        • 我国新能源汽车峰值功率200kW以上的主驱占比由22年的9%提升至25年1-8月的25%， 100kW以下的低功率车型占比由22年的26%降低至22%， 电驱最高峰值功率由22年255kW升至25年8月的580kW； 碳化硅车型峰值功率基本大于160kW
        • 碳化硅模块电控市占率
          • 海外品牌
            • ST份额连年下降，但依然出货量最高
            • 英飞凌份额（10.11%）持续提升
            • 安森美份额连年下降，至个位数、被英飞凌反超
          • 国产品牌
            • 芯联集成 12.57% 25年提升极大（翻倍以上的市占率提升）
              • 主要覆盖小鹏、蔚来等车型。
            • 斯达半导 5.4% 25年提升较大
              • 主力车型包括小米SU7、阿维塔等
            • 比亚迪半导体（约15？） 同24年基本持平
            • 芯聚能市占率大幅下跌（腰斩）
            • 士兰微虽归类到【其他】分类 但应有一定占比
        • 价位段下沉
          • 25年1-8月碳化硅车型中10-18万车型占比提升至9.8%，25万以下车型占比超42%
      • 800V车型相关情况
        • 800V车型渗透率约13.9%，
        • 800V车型中碳化硅渗透率为76%
• 设备制造
  • 长晶炉/外延设备
    • 晶盛机电：6-8英寸SiC外延设备已国产替代，8英寸衬底获国际订单；无GaN业务。 450亿市值 9/82.7 25.1/175.7
      • 公司官网中，关于设备的介绍已经变成了功率半导体及先进制程装备排最前面 具体到产品，有【8英寸单片式硅外延生长炉、6英寸碳化硅外延炉/立式碳化硅外延炉、6英寸双片式碳化硅外延炉】 8英寸、12英寸「炉管』
      • 碳化硅设备客户包括：瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业
      • 公司发布6英寸双片式碳化硅外延设备、8寸碳化硅外延生长设备，引领行业加速进入8英寸时代。
      • 2025年9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化
      • 2024年报：在化合物半导体装备领域，成功研发具有国际先进水平的 8 英寸单片式和双片式碳化硅外延生长设备，具备单腔同时加工 2 片晶圆的能力
      • 产能端-新增项目较多
        • 在浙江上虞，公司25万片6寸+5万片8寸碳化硅衬底项目已启动。
        • 在马来西亚投建8英寸碳化硅衬底产业化项目，强化全球供应链能力。
        • 在银川投建8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，强化技术和规模优势。
      • 公司受光伏行业业务拖累较为严重
        • 2024：晶体生长设备生产量锐减、23年1w台 24年0.27w台 去库存
      • 公司大硅片设备客户包括中环领先、上海新昇、奕斯伟、有研硅、合晶科技、金瑞泓等头部半导体材料制造企业。
      • 公司的主要客户包括 TCL 中环、长电科技、士兰微、芯联集成、有研硅、上海新昇、奕斯伟、合晶科技、金瑞泓、晶科能源、通威股份、晶澳科技、天合光能、双良节能等业内知名的上市公司或大型企业
    • 晶升股份：SiC长晶炉、外延炉、GaN设备；客户包括三安、比亚迪。 46亿市值 -0.1/1.9 0.5/4.25
      • 主营半导体晶体生长设备
    • 拉普拉斯：SiC高温退火炉批量交付，外延设备在研。 168亿市值 5.88/43.2 7.29/57.28
      • 更多还是在热制程设备、镀膜设备、光伏设备
      • 公司在半导体分立器件领域聚焦第三代半导体碳化硅设备，通过产品技术支持产业的发展。目前形成了氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列产品，并开始逐步导入到下游行业内领先企业。在具体产品方面，公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化，可适用于SiC基半导体器件生产工艺；公司LPCVD设备可满足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉积技术的应用需求，并适用于半导体分立器件的生产。
    • 北方华创
  • 切割/减薄设备
    • 高测股份：SiC切片、减薄设备，处于客户测试阶段。 80亿市值 -0.8/24.31 -0.4/44.74
      • 公司推出 GC-BG202H 碳化硅全自动减薄机，兼容 6-8英寸晶圆磨削
• 硅片——衬底 研磨片 抛光片 外延片
  • 碳化硅衬底
    • 天岳先进：国内SiC衬底龙头，导电型全球前三；12英寸衬底已发布，设计年产能已突破40万片【两个工厂产能累加】（2025半年报）。并计划向100万片迈进， 384亿市值 0.01/11.12 1.79/17.68
      • 碳化硅衬底——8英寸快速渗透
        • 当前市场仍以6英寸为主，但8英寸正加速渗透，12英寸已进入技术突破期。 根据Yo1e数据，2023年8英寸衬底占比为1.97%，2024年则快速增长至14.77%，2028年将达到49.66%。
      • 从市场地位和客户优势来看， 2024年，公司导电型碳化硅衬底市占率提升22.8%，排名第二； 高纯半绝缘领域，公司连续五年全球市占率排名第三 整体来看，天岳先进的优势在于以液相法技术为核心突破材料瓶颈，以8英寸衬底量产能力抢占成本高地，再以全球TOP3市占率绑定头部客户。
      • 业务情况：国内碳化硅衬底的龙头企业，专注于半绝缘型（用于5G射频）和导电型（用于功率器件）SiC衬底的研发与规模化生产。（没有氮化镓）2023年导电型衬底市占率已进入全球前三（日本富士经济报告）。
        • 天岳先进从2022年起逐步将重心从半绝缘型转向导电型衬底，上海临港工厂成为主要生产基地 目前正在推进二阶段产能提升。2024年上半年已实现30万片/年产能，设计年产能已突破40万片【两个工厂产能累加】（2025半年报）。并计划向100万片迈进，
        • 公司已形成以 山东济南（早期基地，承担产能转换和部分生产）、上海临港（导电型衬底主要生产基地）和 山东济宁 为主的碳化硅半导体材料生产基地网络。2024公司碳化硅衬底产量达41.02万片，同比增长56.56%
        • 截至目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立了业务合作关系，客户主要采用我们高品质的碳化硅衬底制造功率器件及射频器件，最终用于电动汽车、AI 数据中心以及光伏系统等领域
      • 于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底
        • 碳化硅半导体材料项目完成
      • 特斯拉上海工厂主供，供货占比约18%
      • 从25半年报在建工程项目来看、公司目前主要在设备类以及建造二期项目，增加的在建工程较少、暂无新增大型项目
      • 2025半年报业绩表现差：
        • 营业收入：7.94亿元，同比下降12.98%、净利润：归属于上市公司股东的净利润为1,088.02万元，同比下降89.32%、扣非净利润：为-1,094.47万元，同比下降111.37%
        • 业绩变动原因
          • 价格策略：为提升市场渗透率，公司主动下调衬底销售价格。
          • 研发投入加大：重点投向12英寸衬底、P型衬底、光学应用等领域，研发费用同比增长34.94%。
          • 财务费用增加：因银行借款增加导致利息支出上升。
    • 露笑科技：6英寸导电型SiC衬底，仍处投入期，未规模盈利。
    • ST东尼：SiC衬底小规模供货，持续亏损。
    • 晶盛机电：部分衬底业务（材料业务占比21% 内容复杂：包含碳化硅衬底、金刚石、蓝宝石、石英坩埚、金刚线 ）
    • 天富能源：通过控股天科合达涉足碳化硅衬底业务。天科合达是国内碳化硅衬底的重要供应商，6英寸衬底市占率较高，8英寸产品处于中试阶段
    • 三安光电：IDM 具有衬底业务
  • 氮化镓衬底/外延
    • 英诺赛科：全球少数8英寸GaN-on-Si IDM，月产能1.3万片，目标7万片；产品覆盖快充、汽车、AI电源。 641亿市值 -4.29/5.53（港股披露半年报） -10.4/8.28
      • 於2023年的收入為人民幣592.7百萬元，在全球氮化鎵功率半導體企業中排名第一，市場份額達33.7%。【由此倒推，全球市场规模为17.58亿元人民币（2023年）】
      • 公司的生产工艺已经实现了超过95%的良率，高于其他GaN 功率半导体公司的平均良率水平（90%-95%）
      • 2025 年 8 月 1 日,NVIDIA 官网对 800V 直流电源架构合作商名录进行了更新，英诺赛科是本次入选 NVIDIA 合作伙伴中唯一的国产芯片企业。双方合作将推动该架构在 AI 数据中心规模化应用，使单机房算力密度提升超 10 倍、单机柜功率密度突破 300kW，助力全球 Al 数据中心迈入兆瓦级供电时代。
      • 2025半年报
        • 收入增长：人民币553.4百万元，同比增长43.4% 報告期內毛利率為+6.8%，對比2024年同期的-21.6%，再次大幅提升28.4個百分點，實現毛利轉正里程碑
        • 氮化镓分立器件及集成电路：收入增长49.9%，主要得益于电动汽车、数据中心、工业等应用场景拓展。
        • 氮化镓模组：收入增长121.7%，因与客户深化合作、产品迭代获得广泛使用。
        • 氮化镓晶圆：收入下降22.2%，因部分晶圆订单转为分立器件与集成电路订单。
        • 应用领域突破：
          • 分立器件及氮化镓模组比例显著提升，尤其是氮化镓模组，急速放量
          • AI及数据中心：销售同比增长180%，进入英伟达800V高压直流方案供应链。
          • 汽车电子：车规级芯片交付同比增长128%，与联合汽车电子成立联合实验室。
          • GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。
          • 人形机器人：全球首款搭载氮化镓芯片的机器人实现量产出货。
          • 消费电子：在快充、手机、笔记本等领域保持领先，并拓展至空调、电视等家电市场。
        • 报告期内推出80余款新产品，客户导入693项，海外业务相关：海外業務收入人民幣63.7百萬元，佔總收入比例為11.5%，同比增長57.8%。
      • 招股书推测客户情况
        • 恒玄科技、杰华特、宁德时代、大联大
      • 招股书推测供应商情况
        • 华天科技、昱能科技、爱思强、奥科宁克
    • 立昂微：GaN-on-SiC通过验证，2025下半年出货，用于5G基站、卫星通信。 200亿市值 -1/26.40 -2.6/30.9
      • 碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）产品进展：6英寸碳化硅基氮化镓产品已通过客户验证、预计2025年下半年实现首批出货、公司成为国内首家实现该产品量产的供应商。
        • 应用领域：主要用于射频前端、5G通信基站、低轨卫星通信等高频高功率场景
      • 化合物半导体射频芯片客户覆盖：晶瑞微、唯捷创芯、慧智微、康希通信、瑞识科技、禾赛科技、速腾聚创等。
• 功率半导体器件/模块
  • 三安光电：SiC IDM、与意法合资项目推进中。 645亿市值 0.8/138.1 2.5/161（扣非都负）
    • 湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台（IDM），产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，
      • 湖南三安已完成建筑面积39.40 万平方米，均已投入使用。湖南三安在职员工 1,560 人，购置到厂设备 4,877 台套
      • 2025半年报：报告期内，湖南三安实现销售收入 5.32 亿元，净利润-1.41 亿元。
      • 6英寸碳化硅配套产能：16,000片/月
      • 8英寸碳化硅衬底产能：1,000片/月 外延产能：2,000片/月
      • 8英寸碳化硅芯片产线：已通线，产能逐步释放
    • 重庆三安
      • 配套供应碳化硅衬底给安意法，首次建设产能2,000片/月；
        • 9.31亿元/70亿、规划48万片/年 【截至报告期末，在职员工 135 人，购置到厂设备205 台套，首次建设产能 2,000 片/月，项目已建设建筑面积 14.68 万平方米，其中已投入使用10.14 万平方米，剩余部分处于装修阶段。】
    • 安意法半导体有限公司（与意法半导体合资）：
      • 2025年2月实现通线，芯片产品已交付意法半导体进入可靠性验证；
      • 规划达产后8英寸外延、芯片产能48万片/年。
  • 斯达半导：SiC MOSFET模块已量产，GaN模块获定点，2026年装车。 226亿市值 3.8/29.9 5.08/33.9
    • 公司已完成SiC芯片产线建设（“SiC芯片研发及产业化项目”），具备6万片/年的车规级SiC MOSFET芯片产能，
    • 2025年上半年
      • 新能源汽车行业收入121,322.75万元，同比+52.82% 新能源汽车用IGBT/SiC模块持续放量，海外市场拓展顺利
    • 2024年年报
      • 公司自建的6英寸SiC芯片产线流片的自主车规级SiC MOSFET芯片已开始批量装车
      • 公司新增了多个海外一线品牌Tier1的SiC MOSFET主电机控制器项目平台定点，为2025-2030年的销售增长提供持续推动力
    • 2025.10发行可转换公司债券拟募集资金 合计20亿 补充流动资金项目 4.3亿
      • 车规级 SiC MOSFET 模块制造项目 投资10亿 浙江省嘉兴市南湖区新建厂房 本项目建设周期为3年 项目建成后，达产年的预计销售收入为 18亿元。
      • IPM（变频白色家电） 模块制造项目 投资3亿 本项目建设周期为4年 项目建成后，达产年的预计销售收入为 6.6亿元。本项目由斯达半导体（重庆）有限公司实施，项目实施地点为重庆市高新区
      • 车规级 GaN 模块产业化项目 投资3亿 本项目拟于上海市嘉定区购买土地、新建厂房 本项目建设周期4年 达产年的预计销售收入为 4.5亿元。
    • 2025半年报：重要项目全部在转固阶段
      • 高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目 预算15亿 累计投入占预算比例151.54%【本期转固9.96亿 数额较大 目前在建余额6.79亿】
      • SiC芯片研发及产业化项目 预算5亿 累计投入占预算比例143.64%【本期转固2.56亿 在建余额13.2亿】
      • 功率半导体模块生产线自动化改造项目 预算7亿 累计投入占预算比例103.93%【目前在建余额5.1亿】
  • 士兰微：6英寸SiC MOSFET量产，8英寸线2025年通线；GaN车规器件在研。 461亿市值 3.49/97.1 2.2/112.2
    • 老牌IDM企业、厦门基地50万片/年SiC产能。中科院合作背景，车规模块验证进度领先
    • 士兰明镓（6吋SiC）：已形成月产 10,000片 6吋SiC MOSFET芯片的生产能力。
      • 预计2025年下半年SiC芯片出货量将较快上升。
    • 士兰集宏（8吋SiC）：
      • 项目一期投资70亿元，二期50亿元，总产能规划为 72万片/年。
      • 2025年2月28日项目封顶，6月底首台设备搬入，预计2025年四季度通线。
    • SiC MOSFET：
      • 第IV代SiC芯片与模块已送客户评测，预计2025年下半年上量。
    • SiC模块：
      • 基于II代SiC-MOSFET的电动汽车主驱模块累计出货 2万颗，客户反馈良好。
      • 应用于汽车、光伏的IGBT和SiC模块营收同比增长 80%以上
    • 2025重要在建工程情况：
      • SiC功率器件生产线建设项目 预算15亿 工程进度75%
      • 年产36万片12英寸芯片生产线项目 预算39亿 工程进度15%
      • 汽车半导体封装项目（一期） 预算30亿 工程进度45%
  • 扬杰科技：SiC MOS第三代量产，车规模块投产。 348亿市值 9.7/53.48 10/60.3
    • SiC MOS平台升级：从第二代升级至第三代，覆盖650V/1200V/1700V，对标国际水平。
    • SiC模块产品、车载SiC模块、半桥功率模块、已获多家Tier1和车企测试与合作意向。半年报表示：在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，已进入多家汽车客户供应链。
    • 产能与量产情况：SiC芯片产线：实现量产爬坡，良率和工艺水平国内领先。 车规级SiC模块封装线：已建成投产，年产三相桥HPD模块16.8万只。
    • 24-25半年业绩表现：持续增长
      • 25半年报
        • 营业收入：34.55亿元，同比增长20.58%、净利润：6.01亿元，同比增长41.55%、毛利率：同比提升。高附加值产品如MOSFET、IGBT、SiC等销售占比提升。越南封装基地（MCC）一期满产，二期通线，海外市场拓展加速。
      • 24年报
        • 营业收入：60.33亿元，同比增长11.53%。扣非净利润：9.53亿元，同比增长35.43%，汽车电子业务：收入同比增长超60%，成为最大增长点。海外市场复苏：海外去库存结束，越南工厂投产，海外订单增加。工业与消费电子复苏：工业、消费电子收入同比增长超20%。新产品上量：MOSFET、IGBT、SiC等产品在新能源汽车、AI服务器、光伏储能等领域快速放量。
    • 在建工程
      • 从工程进度角度来看，目前的工程进度基本都超过70% 有多个项目工程进度90%多
      • 8寸晶圆项目最大 为7亿 其他扩产及产线升级项目3.2亿 车规级功率芯片制造项目2.76亿 越南生产基地1.89亿 25半年报中，在建工程增加3个亿 显示了公司正在加大投入积极扩产（13.5-16.7亿）
    • 布局沿革
      • 2024年，公司完成了SiC晶圆厂房的装修和设备搬入，并成功实现了650V/1200V SiC SBD从第二代到第四代、MOSFET从第二代到第三代的升级。
        • 同年底，扬杰科技又投产了两条车规级SiC模块封装产线，并已研发出车载SiC模块样品，赢得了多家Tier-1及整车厂的测试合作意向，计划于2025年实现国产主驱SiC模块的批量装车。
  • 中瓷电子：SiC功率模块、GaN射频芯片，已供货比亚迪、格力。 235亿市值 4.43/21.43 5.39/26.48
    • 三代半占比最高
      • 25年半年报：第三代半导体器件及模块：6.3亿营收 2.42亿利润 38%毛利 占营业收入45%
    • 国联万众为碳化硅功率模块业务主体，2024年成为中瓷电子全资子公司。
    • 碳化硅（SiC）业务情况
      • 产线升级：子公司北京国联万众的碳化硅芯片晶圆工艺线已完成从6英寸升级为8英寸，目前已通线，处于产品升级及客户导入阶段。现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列，应用领域：中低压：新能源汽车、工业电源、新能源逆变器；高压：智能电网、动力机车、轨道交通；
      • 客户进展：已与比亚迪、格力等重要客户签订供货协议并开始供货。主未来方向：计划攻关高压SiC功率模块，瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等高压领域，实现对硅基IGBT的部分替代。
    • 氮化镓（GaN）业务情况
      • 产品类型：大功率基站GaN射频芯片及器件、MIMO基站GaN射频芯片及器件、微波点对点通信射频芯片与器件、
      • 芯片能力：覆盖4/6英寸GaN射频芯片，频率覆盖400MHz~6.0GHz，功率覆盖2-1000W。
      • 市场地位：在细分领域市场占有率国内第一，产品性能达到国内领先、国际先进水平。产品广泛应用于通信基站、点对点通信数据无线回传系统。
    • 2024：在建工程同比增长162.58%，主要由于：电子陶瓷外壳生产线建设项目；第三代半导体工艺及封测平台建设项目；碳化硅高压功率模块关键技术研发项目等；
      • 2025在建工程
        • 在安装设备 期初1.25亿 期末2.03亿
        • 电子陶瓷外壳生产线建设项目预算 9.5亿 进度47%
        • 通信功放与微波集成电路研发中心建设项目 预算2亿 进度8%
        • 氯化镓微波产品精密制造生产线 预算5.5亿 进度4%
  • 闻泰科技 501亿市值 15.13/297.69 -28.33/735.98
    • 安世半导体是全球领先的分立器件IDM
      • 碳化硅
        • 公司正式推出了1200V车规级SiC MOSFET，适用于电动汽车充电基础设施、光伏逆变器及电机驱动。推出了1200V、20A SiC肖特基二极管，专为AI服务器、电信设备电源和太阳能逆变器设计。2025年下半年，1200V车规级SiC MOS将实现国内与海外汽车客户的量产出货。
        • 在汉堡工厂建设SiC生产线，200毫米SiC MOSFET生产测试线即将通线。
      • 氮化镓
        • 推出了覆盖40~700V的新型低压和高压E-mode GaN FET产品组合，适用于消费电子快充、数据中心DC-DC转换器、光伏微型逆变器等。在消费电子快充客户中已实现GaN FET芯片的量产。
        • 在汽车领域，吉利与雷诺合资公司浩思动力使用了安世半导体的氮化镓器件，应用于Gemini小型增程器，通过650V高压GaN HEMT H4技术优化系统性能。
        • 首条高压D-Mode GaN晶体管生产线已于2024年6月投入运行，低压GaN HEMT生产测试线也即将通线
  • 华润微 612亿市值 5.26/80.69 7.62/101.19
    • 目前来看，sic gan相关投入以及业务占比都很小
      • 围绕OBC/DCDC、车载空压机、主驱逆变的多款车规级SiC MOS和模块均已出样，并在行业头部客户处进行测试认证和量产导入
      • 已推出GaN功率器件，主要应用于快充市场，并积极向其他工业领域拓展
    • 总在研占比 1.65亿预算/4.75亿预算
      • 汽车级 SiC MOSFET 设计及工艺研发
      • SiC沟槽MOS器件及工艺研发
  • 锴威特：SiC MOS平台覆盖750V~3300V，GaN驱动芯片已推出。 27亿市值 -0.48/1.85 -1 /1.30
    • 24-25半年持续亏损
    • SiC MOSFET
      • 1200V SiC MOSFET 工艺平台已进入中试阶段；2600V 和 3300V SiC MOSFET 产品已推出，并进入小批量验证阶段
    • GaN 驱动芯片：
      • 公司推出了 180V GaN专用半桥驱动芯片，工作频率高达1MHz以上。主要应用于高频、高效率电源系统，如工业电源、高可靠领域。但占比应该极小
    • 在建工程情况：
      • 智能功率半导体研发升级项目 预算1.45亿 工程29%
      • SiC功率器件研发升级项目 预算0.87亿 工程 15%
      • 功率半导体研发工程中心升级项目 预算1.68亿 工程 18%
  • 芯导科技：SiC SBD/MOS在验证，GaN HEMT量产出货。 80亿市值 0.73/2.91 1.12/3.53
    • 氮化镓代表性产品：40V双向GaN产品已在客户端实现量产出货。
    • SiC SBD系列：包含650V/1200V/1700V电压档。但只有650v的pd产品有出货。1200V在验证。
    • SiC MOSFET系列：包含650V/1200V/1700V电压档、在充电桩、逆变器等领域均有客户验证测试中
  • 新洁能：SiC MOS平台量产，GaN在研。 144亿市值 3.35/13.85 4.35/18.28
    • Fabless设计公司 第二代SiC MOSFET平台已全面量产：电压覆盖：650V/750V/900V/1200V 2.5代SiC MOSFET平台：已通过车规认证，处于小批量供货阶段 第三代SiC MOSFET平台：已完成工艺流程设计，处于开发阶段 SiC功率模块：开发完成2款，处于客户验证阶段 GaN HEMT产品：正在开发100V/200V GaN产品目前尚未量产，处于研发阶段。
      • 公司2021 年下半年，通过向资本市场融资，计划实施募投项目：
        • 第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化 0.14/2亿
        • 功率驱动 IC 及智能功率模块（IPM）的研发及产业化 2.2/6亿
        • SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化 0/5亿
      • 项目延期至2027年8月完成
  • 宏微科技：SiC MOS/模块小批量，GaN芯片送样。 48亿市值 0.05/9.83 -0.14/13.31
    • 公司似乎在各类sic gan都有布局，但整体都是小批量供货，送样验证中、官网目前还没有显示氮化镓相关产品
      • 2024口径：SiC相关产品：处于研发和小批量阶段，尚未形成大规模收入贡献
      • 2025半年报口径：SiC模块等高端产品批量交付。技术突破与产品迭代：自主研发的第七代IGBT芯片、SiC MOSFET、GaN芯片等实现技术突破并进入客户验证或量产阶段。
    • 与汇川技术、台达集团、英威腾等头部客户保持稳定合作，并拓展新客户。
    • 与华虹宏力签署5年期战略合作，推进SiC产品性能对标国际水平
    • 车规级功率半导体项目：募投项目“车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一期）”预计2027年6月完工，将进一步提升车规级SiC、IGBT产能。
  • 东微半导：SiC MOS量产，GaN HEMT验证中。 80亿市值 0.48/9.64 0.4/10
    • 已开始研发并推出1200V SiC二极管等产品，进军高压SiC领域。SiC MOSFET第二代、第三代 650V / 1200V 第四代SiC MOSFET（650V/750V/1200V）已完成研发，正在客户验证阶段。平台产品已稳定交付，销量增长。1400V SiC系列已推出并通过客户测试，获得订单。SiC SBD（肖特基二极管）：已实现规模化量产。
      • GaN HEMT：公司正在推进GaN HEMT器件的开发，目前处于研发与客户验证阶段。
    • 季度来看，营收和利润端在25年稳步爬升
    • 在研项目：非常多 一共16个
      • 其中-与三代半相关的：
        • 1200V SiC 功率器件平台拓广研发
        • 新一代算力中心专用 650V SiC功率器件平台拓广研发
        • 激光雷达及高密度电机驱动用低压GaN器件研发
      • 但资金规模都很低，所有在研项目一共2.5亿 三代半占比0.4亿，占比18%
  • 捷捷微电：SiC SBD已量产，MOSFET合作研发完成 225亿市值 3.47/25.02 4.73/28.45
    • 碳化硅器件是公司主营产品系列之一。主要产品：塑封碳化硅肖特基二极管器件（SBD）。应用领域：主要用于电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等领域。
    • “第三代半导体 SiC MOSFET 的合作研发”：该项目已完成。公司与中科院联合攻坚，目标是搭建800V~1200V车规级SiC MOSFET平台，通过AEC-Q101可靠性认证并实现规模化量产。
    • “新型高功率密度芯片研发及产业化”：该项目进行中。目标之一是完善公司SiC产品系列，实现主流SiC芯片开发及产品化，面向消费级、工业级及车规级市场推广。
  • 银河微电：SiC/GaN投入期，未形成规模。 33亿市值 0.46/7.45 0.71 /9.09
  • 燕东微：6英寸SiC芯片在研，未量产。 354亿市值 -0.13/11.67 -1.78 /17.04
    • 为何市值如此高
      • IDM模式
      • 燕东微的前几大股东包括北京电控（北京半导体产业的核心平台）、国家集成电路产业投资基金（大基金）二期、京东方
      • 注于模拟芯片、混合信号芯片等特色工艺平台
    • 6英寸SiC生产线已建立，工艺平台涵盖：SiC SBD/MOSFET
      • 公司暂无氮化镓 只有碳化硅项目
    • SiC研发进展
      • 6英寸SiC芯片研发项目（预计总投资1,200万元）：完成低导通电阻小pitch MOSFET芯片结构优化、应用：光伏逆变器、新能源汽车、充电桩、工业控制电源等
• 代工 封测
  • 芯联集成：SiC/GaN代工与模组封装，车规级IGBT/SiC模块出货领先。 534亿市值 -4.63/54.22 -9.62/65.09
    • 公司已成为亚洲SiC MOSFET出货量前列的企业，并是国内率先突破主驱用SiC MOSFET的头部企业（集成电路晶圆制造代工85% 模组封装9%）
      • SiC MOSFET工艺平台覆盖650V至3300V系列，产品关键指标处于国内领先水平。在6英寸SiC MOSFET方面，新增项目定点超10个，新增5家汽车客户进入量产阶段。 8英寸SiC MOSFET工程批已通线，预计2025年下半年量产。
      • 模组封装方面：公司的功率模块出货量位居中国市场前列。根据盖世汽车研究院发布的 2024年功率器件（驱动）供应商装机量数据，公司在国内新能源乘用车终端销量排行榜位列第三
      • 功率GaN技术研发已被列为在研项目，产线已通线，平台工艺验证完成。目标是覆盖高中低压产品，性能达到国际同类厂商水平。主要瞄准消费电子、数据中心、AI服务器电源、新能源汽车等领域。目前尚未形成大规模量产，处于工艺平台搭建与产品验证阶段。
    • 在研项目：SIC GAN占比较高
    • 特殊：收购芯联越州
      • 2025.6，芯联集成购买芯联越州72.33%股权、81.52亿
      • 标的公司芯联越州，专注于车规级功率器件封装测试的企业
      • 标的公司是上市公司功率器件领域晶圆代工的重要实施主体。
      • 上市公司已有的月产10万片8英寸硅基晶圆生产线将与芯联越州的月产7万片8英寸硅基晶圆生产线合并，进行一体化管理，总产能达到月产17万片。
    • 2025半年报：
      • 营业收入 34.95亿元，同比增长 21.38%。归属于上市公司股东的净利润为 -1.70亿元，但同比减亏63.82%。二季度单季度归母净利润转正（0.12亿元），为首次实现。毛利率 3.54%，同比提升7.79个百分点。
      • 公司实现车载领域收入同比增长 23%；工控领域收入同比增长 35%；消费领域收入同比增长 2%。公司车载、工控、消费领域的收入占比分别为 47%、19%、28%。
      • 业务板块增长
        • 模组封装业务收入同比增长超100%，其中车规功率模块增长超200%。
        • 晶圆代工业务保持稳定增长，同比增长14%
    • 2024年产能与业绩情况
      • 2024年SiC业务收入：10.16亿元，同比增长超100%。
      • 主营业务收入：62.76亿元，同比增长27.80%。
      • 增长驱动因素：
        • 晶圆代工业务：收入同比增长25.11%，主要得益于中国最大的车规级IGBT生产基地之一地位的确立。
        • 模组封装业务：收入同比增长54.54%，其中车规级功率模组收入同比增长106%。
        • 应用领域结构优化：
          • 车载领域收入占比51.78%，同比增长40.87%；
          • 高端消费领域收入占比30.61%，同比增长66.02%。
  • 国星光电 53亿市值 0.3/25 0.5/34
    • 公司通过子公司风华芯电开展半导体封测业务 其中包括第三代化合物半导体封测
      • SiC 封测器件与模组 SiC-SBD系列、SiC-MOS系列、NSiC功率模块 光伏逆变、工业电源、充电桩、轨道交通、智能电网、UPS等
      • GaN 封测器件与模组 NSGaN系列、E-mode系列、Cascode系列、LED驱动电源 LED驱动电源、适配器、插座充电面板等消费类领域
      • 子公司风华芯电表现：营业收入：7381.67万元，同比增长13.75%、净利润：-106.79万元，同比亏损扩大61.39%。原因：积极实施技改项目，设备改造与工艺升级投入较大，尚未完全转化为盈利。
  • 三安光电：有部分代工业务
• 其他
  • 比亚迪
    • 【车企应用 自供为主 业绩相关性小】
      • 碳化硅技术应用
        • e平台3.0 Evo：搭载1200V碳化硅电控，提升系统效率实现极速225km/h以上，续航与性能兼优
        • 易四方技术平台（仰望U8/U9）：采用碳化硅电控，最高效率达99.8%提升功率密度与热管理能力
        • 第五代DM技术：电驱系统中使用碳化硅功率器件，助力实现低油耗（2.9L/百公里）与长续航（2100公里）
        • 超级e平台（2025年展望）：明确提出将推出“全新一代车规级碳化硅功率芯片”，进一步提升充电与能效表现
  • 时代电气
    • 业务复杂 主要看成轨道交通装备公司
    • SiC模块与应用：完成首款车规级SiC模块小批量交付、开发750V~3300V SiC器件，应用于新能源汽车、光伏、工业传动等领域
    • 6英寸SiC产线已建成并实现量产、8英寸SiC平台已完成设计，即将拉通，
    • 2024年，时代电气在新能源乘用车功率模块装机量达225.6万套，市占率约13.7%，仅次于比亚迪排名第二。
  • 民德电子 36亿市值 -0.1/2.24 -1.14/4.09
    • 业务杂：手持式条码扫描器、固定式POS扫描器、固定式工业类扫描器、MOS场效应二极管（MFER）、分离栅低压场效应晶体管（SGT-MOSFET）、超级结MOSFET、快恢复二极管（FRD）、电子元器件分销业务
    • “碳化硅功率器件的研发和产业化项目”已于2024年7月结项。未达到预计收益，原因包括：
      • 碳化硅功率器件产业链尚未成熟；
      • 受价格等因素影响，报告期内尚未对碳化硅功率器件进行量产；
      • 目前仅通过设备租赁（租给广芯微电子）获得部分收益。
    • 技术布局：
      • 芯微泰克计划在2025年开发 “SiC薄片背道工艺”；
      • 晶睿电子已实现 “SiC外延片” 的量产，并快速提升产销量。
  • 露笑科技 152亿市值 2.46/27.61 2.58/37.17
    • 较早布局碳化硅衬底制造，SiC业务为公司四大主业之一，主要聚焦于 6英寸导电型碳化硅衬底片 的研发、生产和销售。
    • 碳化硅业务主体合肥露笑半导体材料有限公司（控股55.65%）：
      • 主营业务：半导体器件专用设备制造、半导体材料制造与销售。
      • 2025年上半年营业收入：9.56万元、净利润：-2152.25万元（仍处于投入期）
    • 项目缓慢
      • 碳化硅产业园项目：投资进度 6.30%（截至2025年6月30日）
      • 研发中心项目：投资进度 13.91%
      • 项目延期：原定2025年6月完工，延期至2026年6月30日
  • ST东尼 40亿市值 -0.14/14.57 0.1/19.81
    • 相关业务缩没了 持续亏损
    • 2025年上半年表现
      • 营收：166.46万元、净利润：-1.09亿元、存货计提跌价：约0.76亿元
      • 状态：未实现大规模生产供货，价格持续下行，生产成本高
    • 2024年状态：
      • 主要进行6英寸和8英寸衬底的研发验证，小规模生产供货。营收下降：7081.52万元，同比-45.28%。毛利率为负：-28.34%，仍在亏损状态。存货跌价：计提约1.71亿元，反映产品尚未实现规模化盈利。
  • 苏州固锝 76亿市值 0.62/30.2 0.73/56.38
    • 2024年报：
      • SiC：已纳入产品线
      • GaN：有研发项目并进入小批量生产阶段。
  • 派瑞股份 42亿市值 0.2/1.02 0.56/1.92
    • 技术路线仍以硅基功率半导体为主，未涉及碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料。
    • 公司提到的“新型功率器件”主要指：IGCT、FRD、精准击穿旁路晶闸管
  • 台基股份 82亿市值 0.56/2.71 0.25/3.54
    • SiC/GaN进展 处于技术研发与跟踪阶段，尚未形成规模收入
  • *ST华微 75亿市值 1.5/17.45 1.2/20.5
    • 2024 年度的财务会计报告被出具无法表示意见的审计报告