工艺部降耗项目规划

以下梳理了工艺部降耗项目规划，知识内容有酸耗降低、浆料降耗、特气降低、能耗降低、扩散新工艺提放、丝网无网结提放等。

工艺部降耗项目规划

酸耗降低

HF耗量降低20%

调整刻蚀槽配方，自补由27.2L/万片降低至24L/万片，降低比例11.6%

降低刻蚀后酸洗HF耗量，自补由8.4L/万片降低至4.0L/万片，降低比例52.3%

降低制绒后清洗HF耗量，由8.8L/万片，降低至7L/万片，降低比例25.7%，6/29已调整配方。

下一步计划降低至6.3L/万片，降低比例10%。

此前已完成刻蚀后酸洗降耗，为控制黑斑比例还原，预计周日重新开始动作，HF降耗预计总降低约20%。由于产线正在进行增产开线，为提高清洗效果，新开线别暂未降耗。

HNO3耗量降低

调整刻蚀槽配方

待刻蚀HF降低完成后进行，具体降低比例待评估，预计7.9出初步评估结果，7.13日全线完成

双氧水耗量降低58%

导入飞鹿前清洗添加剂，自补量预计可以由53L/万片降低至25L/万片，降低比例53%。6/28已批量使用三峰清洗剂，降低至20L/万片。

已完成三条线的拓邦清洗剂，由于商务和技术中心准备导入第二供应商，扩线计划暂停。已导入的线别降耗40%，目前单耗33L/万片。

纯水耗量降低25%

制绒溢流方式由一直溢流改为有篮溢流，同时调整溢流量，单耗由17吨/万片降低至11吨/万片。本周五全线更改

溢流量已尝试调整1000L/H降低至600L/H，已降低至约13吨/万片，7月7号溢流方式更改为有篮溢流，最终目标11吨/万片。

浆料降耗

背银耗量降低到25.5mg

纱厚由60降低至56

膜厚由10降低至8

样品实验已通过，试验网版浆重25mg，批量网版已请购

背铝耗量降低至240mg

背场膜厚由20降低至16

背场线宽120降低至105

样品实验浆重200mg，中批量网版5块已请购，7.13到货，批量使用

158正银耗量降低至60mg

无网结网版导入，同步膜厚由10降低至7

良品批量、名路63mg浆重（65mg实际单耗）网版均已签ECN，导入成功，进一步降低湿重网版正在请购

特气降低

降低硅烷、氨气耗量10%

调整正背膜SiH4和NH3比例，目前理论耗量硅烷0.73kg/万片、氨气3.10kg/万片，降耗后硅烷0.66kg/万片，氨气2.9kg/万片，降低比例11%

将射频功率未达到最大的机台，射频功率调整至最大，降低通气时间，减少特气耗量

已完成批量切换，近期由于产线开线，饱和舟较多，导致特气耗量较高

降低笑气耗量

设计梯度实验，降低ALD路线背膜工艺的N2O流量

开发新背膜工艺，调整氮氧化硅和氧化硅的膜层厚度和结构，降低CT二合一路线的N2O实验

尝试开发新工艺，取消ALD路线的SiNxOy和SiOx膜层，停用笑气

综合评估，效率损失不可接受，不再降低。

降低工艺用氮量

调整扩散工艺大氮流量，降低扩散氮气耗量（镀膜真空泵已做两次调整，再降低流量真空泵会频繁卡死）

石墨舟清洗剂鼓泡改为压空。氮气用量降低至5%。

氮气用量降低目标为293kg/万片。

能耗降低

丝网压空流量调整，降低丝网压空50%

调整烧结炉压空流量、同步匹配烧结曲线，保证效率和良率，降低压空耗量，进而降低能耗

制定烧结炉调整规则，压空调整在规定范围内，防止压空用量回调

已完成初步降耗，初步降压空耗量约50%，烧结不良跟踪稳定，效率无异常，用电量降低100度/万片。

丝网无网结提效

寻找合适网版厂家

良品

名路

乐邦

恒盛

四家网版中，寿命、单耗、效率综合考虑，良品、名路、乐邦可以作为合格供应商，乐邦由于价格较高，作为备选供应商

匹配三道网版膜厚

12膜厚

11膜厚

10膜厚

8膜厚

膜厚较厚，12微米时，单耗较高，且断栅严重，膜厚降低至8膜厚是，湿重太低，拉力和可靠性不受控，综合考量，膜厚控制在10微米与产线较为匹配

丝网印刷线宽由25依次做梯度

25线宽

23线宽

21线宽

20线宽

18线宽

线宽较宽时，印刷性提高明显，但是效率损失较大，湿重较高，线宽降低至18微米时，出现大量断栅，且效率无优势，最终线宽确定在20微米。

丝网网版参数确定后，成品网版提高效率约0.1%

扩散新工艺提效

通过大量实验，开发新工艺

氧流量梯度

前同源梯度

温度梯度

后氧化时间与温度梯度

通过组合实验，确定了降低氧流量，微调前通源，做高表面浓度浅结工艺，即0411工艺

不同方阻梯度实验

扩散方阻梯度实验

160Ω/□

170Ω/□

180Ω/□

通过多次方阻切换实验，确定170方阻再效率和良率方面比较均衡，搭配0411工艺，可以提效0.05%。

SE方阻降低实验

80Ω/□

90Ω/□

100Ω/□

方阻降低由90Ω/□，匹配至100Ω/□，效率有0.02%提升

刻蚀高背抛

调试不同酸配比的配方，对比反射率差异

富氢氟酸体系

确定氢氟酸与硝酸比例为2:1

富硝酸体系

确定硝酸与氢氟酸比例为3:1

在两种同体系中跟踪电池效率

跟踪结果显示富氢氟酸体系工艺优势较大，效率比产线高0.07，由22.60%提升至22.68%（晶澳产品）且外观无异常，富硝酸体系工艺稳定性较差，外观难以满足客户要求

超高背抛工艺储备

调试配方过程中，实验出背面反射率可达44%的工艺，由于减重较大，对碎片和返工良率影响较大，做为工艺储备

通过大量实验，确定了刻蚀配方，效率提升约0.07%