导图社区 模拟电子电路
下图汇总了模拟电子电路的内容,包括双极型三极管、半导体二极管、集成运放的应用、基本交流放大电路、放大电路中的负反馈等。
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模拟电子电路
半导体二极管
PN结及其单向导电体
在常温下,当温度升高或受到光照后,少数价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚, 形成自由电子,在共价键上留下一个空位,称为空穴。
这种由于温度的影响而产生电子,空穴对的现象称为本征激发,也称为热激发。
如果自由电子填补了空穴,则电子和空穴成对消失, 这种现象称为复合
半导体与导体的本质区别:半导体中同时有两种载流子(自由电子、空穴) 参与导而导体中只有自由电子一种载流子参与导电。
掺入五价元素磷(P),形成电子型半导体,也叫N型半导体, 自由电子是多子,空穴是少子。
掺入三价元素硼(B)形成空穴型半导体,也叫作P型半导体, 空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。
PN结的形成
PN结的“正向导通,反向截止”的特征
PN结的单向导电性
反向击穿(电击穿:可逆;热击穿:不可逆)
二极管的基本应用
a. 开关电路
b. 整流电路
c. 限幅电路
稳压二极管
1| 稳压二极管工作在反向击穿区
2| 二极管并未损坏,这种击穿属于可逆性击穿
双极型三极管
三极管的基 本结构和类型
发射极,基极,集电极
内部条件
体积:集电区>发射区>基区
浓度:发射区>集电区>基区
外部条件
发射结正偏
集电结反偏
三极管内部载流子 的运动和放大原理
真正实现电流放大还必须满足 外部条件,即发射结正偏,集电结反偏。
Iᴱ=Iᴮ+Iᶜ
晶体三极管的特 征曲线与主要参数
β=NC/NB
三极管工作状态
1| 放大区
发射结为正向偏置,集电结为反向偏置
2| 截止区
发射结为反向偏置
3| 饱和区
发射结和集电结均为正向偏置
基本交流放大电路
交流放大电路的概念
基本放大电路工有三种组态,即共发射极 放大电路、共集电极放大电路和基极放大电路
基本交流放大电路的组成
基本交流放大电路的静态分析
直流应遵循以下规则
1| 电容视为开路
2| 电感线圈视为短路
3| 信号源视为短路,但应保留其内阻
分压式偏置共射放大电路静态工作点的估算
I. Q点过高,发生饱和失真
II. Q点过低,发生截止失真
多级型放大电路与功率放大电路
多级放大电路
a. 直接耦合
b. 阻容耦合
c. 变压器耦合
d. 光电耦合
功率放大电路的分类
a. 甲类放大器
特点是失真小,但效率低, 理想情况下最高效率约为50%,功率损耗大
b. 乙类放大器
特点是效率较高,约为78%, 但是容易发生交越失真
放大电路中的负反馈
负反馈对放大电路的影响
1| 提高放大电路的稳定性
2| 改变输入、输出电阻
3| 展宽频带
4| 减少非线性失真
集成运算放大电路简介
集成运放的构成
I. 输入级
II. 中间级
III. 输出级
IV. 偏置电路
集成运放的应用
比例运算电路
反相比例运算电路
同相比例运算电路
电压跟随器