导图社区 原子的壳层结构 (5)
原子物理学知识整理,包括:依据理论、壳层结构、电子组态、元素周期表、确定基态、光谱项、确定原子基态、解题方法。
《半导体工艺与制造技术》第四章 氧化,氧化过程是在半导体表面生成一层氧化膜的过程,这层氧化膜在半导体器件的制造中具有重要作用,如作为绝缘层、掩蔽层、钝化层等。
“半导体工艺与制造技术 - 扩散”从掺杂概述切入,介绍杂质相关基础。进而详细阐述扩散工艺,含工艺分类、流程等。接着深入讲解杂质扩散机制与效应、扩散系统与扩散方程。还涉及扩散杂质的分布、影响其分布的其他因素、分析表征以及杂质分布的数值模拟 ,全面且系统地呈现了半导体扩散工艺的知识体系。
围绕半导体工艺与制造技术展开,涵盖多方面内容。开篇介绍半导体产业政策、发展现状、基础概念及产业链。接着阐述基本材料知识,如相图、晶体结构和缺陷类型 。然后讲解晶圆制备,包括直拉法、布里奇曼法等生长方法,以及掺杂、制备流程、规格和清洗工艺,全面呈现了半导体制造从基础理论到关键制备环节的要点。
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原子的壳层结构
依据理论
泡利不相容原理
能量最低原理
壳层结构
理解2(2l+1):自旋向上和自旋向下
根据能量排布情况
能级交错情况
能量最低原理的补充
半满指的是相同自旋方向全部占满,另一自旋方向全空
电子组态
结合电子组态,洪特,泡利,能量最低确定基态(S,L,J就可写出基态原子态)
两个支壳层都未满的情况,求基态原子态
元素周期表
确定基态光谱项
确定原子基态解题方法
根据能级交错在次壳层按顺序排布电子
单独拿出最外层价电子的电子态考虑
由最外层电子态确定总轨道量子数L和磁轨道量子数ml
根据泡利不相容原理和能量最低原理确定自旋的方向
求出S,L,J;并写出原子态
其中L=ml的求和的绝对值