半导体物理学思维导图

迁移率和杂质浓度和温度的关系、平均自由时间和散射概率的关系、电导率迁移率与平均自由时间的关系、迁移率与杂质和温度的关系。

半导体物理学

• 第一章 半导体中的电子状态
  • 半导体的晶格结构和结合性质
    • 金刚石型结构和共价键
    • 闪锌矿型结构和混合键
    • 铅锌矿型结构
  • 半导体中电子状态和能带
    • 原子能级和晶体的能带
    • 半导体中电子的状态和能带
    • 导体半导体绝缘体的能带
  • 半导体中电子的运动，有效质量
    • 半导体中E(k)和k的关系
    • 电子的平均速度
    • 有效质量的意义
    • 电子的加速度
  • 本征半导体的导电机构 空穴
  • 回旋共振
  • 硅和锗的能带结构
  • Ⅲ，Ⅴ族化合物半导体的能带结构
• 第二章 半导体中杂质和缺陷能级
  • 硅锗晶体中的杂质能级
    • 替位式杂质，间隙式杂质
    • 施主杂志，施主能级
    • 受主杂质，受主能级
    • 潜能级杂质电离能的计算
    • 杂质的补偿作用
    • 深能级杂质
  • Ⅲ，Ⅴ族化合物中的杂质能级
  • 缺陷，位错能级
    • 点缺陷
    • 位错
• 第三章 半导体中载流子的统计分布
  • 状态密度
    • k空间中量子态的分布
    • 状态密度
  • 费米能级和载流子的统计分布
    • 费米分布函数
    • 玻尔兹曼分布函数
    • 导带中电子浓度和价带中空穴浓度
    • 载流子浓度乘积
  • 本征半导体的载流子浓度
  • 杂质半导体的载流子浓度
    • 杂质能级上的电子和空穴
    • n型半导体的载流子浓度
  • 一般情况下的载流子统计分布
  • 简并半导体
    • 简并化条件
    • 简并半导体的载流子浓度
    • 低温载流子的冻析效应
    • 禁带变窄效应
  • 电子占据杂质能级的概率
    • 讨论
    • 求解统计分布函数
• 第四章 半导体的导电性
  • 载流子的漂移运动和迁移率
    • 欧姆定律
    • 漂移速度和迁移率
    • 半导体的电导率和迁移率
  • 载流子的散射
    • 载流子散射的概念
    • 半导体的主要散射机构
  • 迁移率和杂质浓度和温度的关系
    • 平均自由时间和散射概率的关系
    • 电导率迁移率与平均自由时间的关系
    • 迁移率与杂质和温度的关系
  • 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
    • 电阻率和杂质浓度的关系
    • 电阻率随温度的变化
  • 玻尔兹曼方程，电导率的统计理论
  • 强电场下的效应，热载流子
    • 欧姆定律的偏离
    • 平均漂移速度和电场强度的关系
  • 多能谷散射，耿式效应
• 第五章 非平衡载流子
  • 非平衡载流子的注入与复合
    • 非平衡状态
    • 非平衡载流子的产生
  • 非平衡载流子的寿命
  • 准费米能级
  • 复合理论
    • 直接复合
    • 间接复合
    • 表面复合
    • 俄歇复合
  • 陷阱效应
  • 载流子扩散运动
  • 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式
  • 连续性方程
  • 硅的少数载流子寿命与扩散长度
• 20电科王文怀