集成电路制作工艺概况

这是一个关于集成电路制作工艺概况的思维导图，详细的总结了硅片制造分区，CMOS制作步骤的内容。希望对各位小伙伴有所帮助！

集成电路制作工艺概况

• 硅片制造分区
  • 扩散区
    • 进行高温工艺及薄膜淀积
    • 主要设备：高温扩散炉及湿法清洗设备
  • 光刻区
    • 将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶
    • 主要设备：涂胶显影设备、步进光刻机
  • 刻蚀区
    • 刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下图形
    • 主要设备：等离子体刻蚀机、等离子体去胶机、湿法清洗设备
  • 薄膜区
    • 薄膜区主要负责生产各个步骤中的介质层和金属层的淀积
    • 主要设备：化学气相淀积CVD和物理气相点几PVD、SOG系统、快速退火装置、湿法清洗设备
  • 离子注入区
    • 例子注入机是亚微米工艺中最常见的掺杂工具
  • 抛光区
    • CMP化学机械平坦化工艺的目的是使硅片表面平坦化
    • 主要设备：抛光机、刷片机、清洗设备、测量工具
• CMOS制作步骤
  • 双阱工艺
    • n阱的形成
      • 外延生长
      • 原氧化生长
      • 第一层掩膜，n阱注入
      • n阱注入（高能）
      • 退火
    • p阱的形成
      • 第二层掩膜，p阱注入
      • p阱注入（高能）
      • 退火
  • 浅槽隔离工艺
    • STI槽刻蚀
      • 隔离氧化层
      • 氮化物淀积
      • 第三层掩膜，浅槽隔离
      • STI槽刻蚀
    • STI氧化物填充
      • 沟槽衬垫氧化硅
      • 沟槽CVD氧化物填充
    • STI氧化物抛光－氮化物去除
      • 沟槽氧化物抛光
      • 氮化物去除
  • 多晶硅栅结构工艺
    • 栅氧化层生长
    • 多晶硅淀积
    • 第四层掩膜，多晶硅栅
    • 多晶硅栅刻蚀
  • 轻掺杂漏注入工艺
    • n轻掺杂漏注入
    • p轻掺杂漏注入
  • 侧墙的形成
    • 淀积二氧化硅
    • 二氧化硅反刻
  • 源漏注入工艺
    • n源/漏注入
    • p源/漏注入
  • 接触孔的形成
    • 钛的淀积
    • 退火
    • 刻蚀金属钛
  • 局部互连工艺
    • 氮化硅化学气相淀积
    • 掺杂氧化物的化学气相淀积
    • 氧化层抛光
    • 第九层掩膜，局部互连刻蚀
  • 通孔1和金属塞1的形成
    • 第一层层间介质氧化物淀积
    • 氧化物磨抛
  • 金属1互连的形成
    • 金属钛阻挡层淀积
    • 淀积铜铝合金
    • 淀积氮化钛
    • 金属刻蚀
  • 通孔2和金属塞2的形成
    • ILD－2间隙填充
    • ILD－2氧化物淀积
    • ILD－2氧化物平坦化
  • 金属2互连的形成
    • 淀积、刻蚀金属2
    • 填充第三层层间介质间隙
    • 淀积、平坦化
    • 刻蚀
  • 参数测试