模电的思维导图

模电的思维导图，整理了半导体基础知识、半导体二极管、晶体三极管的内容，喜欢的可以点个赞收藏一下哟~

模电第一章

• 1.1半导体基础知识
  • 半导体的特性
    • 常用的半导体材料：硅、锗、砷化镓、磷化铟
    • 半导体材料的特性
      • 热敏性
      • 光敏性
      • 掺杂性
  • 本征半导体
    • 定义：纯净的晶体结构的半导体
    • 导电机理：本征激发出两种载流子：自由电子（负电）和空穴（正电）。温度一定，载流子数目一定，激发和复合保持动态平衡。温度上升，载流子数目上升，导电能力增强。
  • 杂质半导体
    • 定义：在本征半导体中，掺入少量杂质元素（掺杂性）
  • PN结（重、难点）
    • N型半导体
      • 形成：在本征半导体中掺入五价元素
      • 多子：电子，由掺入的杂质产生
      • 少子：本征激发产生，受温度影响大
    • P型半导体
      • 形成：在本征半导体中掺入三价元素
      • 多子：空穴，由掺入杂志产生
      • 少子：自由电子，本征激发产生，受温度影响大
    • 杂质半导体导电机理
      • 杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为多数载流子和少数载流子
      • 杂质半导体中起导电作用的是多子
      • 杂质半导体中多数载流子的数量决定于掺杂浓度，少数载流子的数量决定于温度。掺杂浓度高，多数载流子数量多，温度高少数载流子数量增多
    • PN结的形成：把P型半导体和N型半导体制作在一起，交界面处，无外电场和其他激发作用下，参与扩散运动的多子数目和参与漂移运动的少子数目相等，形成PN结
    • PN结的单向导电性
      • PN结加正向电压导通：外电场削弱内电场，pn结变窄，扩散运动大于漂移运动，pn结电阻小，I与外加电压有关
      • PN结加反向电压截止：外加电场加强内电场，pn结变宽，扩散运动小于飘移运动，pn结电阻大，I的大小与温度有关
    • PN结的电容效应
      • 势垒电容Cb，在高频、反向偏置时起主要作用
      • 扩散电容Cd，在高频、正向偏置时起主要作用
• 1.2半导体二极管
  • 二极管的基本结构（PN结+封装+引线=二极管）
    • 点接触型
    • 面接触型
    • 平面型
  • 二极管的伏安特性
    • 电流方程：i=Is[e^(u/UT)-1]
  • 二极管的主要参数
    • 最大整流电流IF：长期运行时允许通过的最大正向电流
    • 最高反向工作电压UR：二极管在使用时允许加的最大方向电压（瞬时值）
    • 反向电流IR：二极管未击穿时的反向饱和电流，即IS
    • 最高工作频率fM:工作频率超过此值时，由于结电容的作用，二极管的单向导电性将不能很好的体现
  • 二极管的等效电路
    • 子主题
    • 子主题
  • 二极管的应用电路
    • 分析方法：1、先假定二极管截止，求两极点位VP和VN，若VP>VN,即UD>0,则二极管导通。2、若多个二极管共阴极或共阳极连接，正向压降高的管子优先导通
  • 稳压二极管
    • 正向导通，反向截止，反向击穿（稳压）;须串联合适的限流电阻
  • 其他类型二极管
    • 发光二极管，工作条件正向偏置
    • 光电二极管，工作条件反向偏置
    • 变容二极管，工作条件反向偏置
• 1.3晶体三极管
  • 晶体管的结构及类型
    • 集电区，基区，发射区；集电极，基极，发射极；集电结，发射结
    • NPN PNP型
  • 晶体管的电流放大作用
    • 晶体管的放大作用是在一定外部条件（发射结正偏，集电结反偏）控制下，通过载流子传输体现出来的
  • 晶体管的共射特性曲线
  • 晶体管的主要参数
    • 直流参数
      • 共射直流电流放大系数
      • 共集直流电流放大系数
      • 极间反向电流：发射极开路时集电结的反向饱和电流ICBO，ICEO=(1+β）ICBO
    • 交流参数
      • 共射交流放大系数
      • 共射直流放大系数
      • 特征频率fT：信号频率增加，β下降，当β=1时对应的频率
    • 极限参数
      • 极间反向击穿电压
  • 温度对晶体管特性及参数的影响
    • 温度升高，输入特性曲线左移，输出特性曲线上移