导图社区 半导体三极管
半导体三极管,整理了结构、伏安特性、放大电路的知识,用思维导图整理,简单易懂方便记忆。
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半导体三极管
结构
分类
按频率
低频
高频
按结构
NPN型:Uc>Ub>Ue
PNP型:Ue>Ub>Uc
Uc:集电极;Ub:基区;Ue:发射极
按材料
锗管
硅管
按功率
小,中,大
特点
基区薄,掺杂浓度低
发射区的杂质浓度很高
集电结比发射结厚
工作条件
内部条件:发射区掺杂高,基区掺杂低且薄,集电结厚
外部条件:发射结正偏,集电结反偏
三级电流
形成:IE:多数载流子向基区扩散 IB:自由电子在基区与空穴复合 IC:集电区收集的自由电子
关系
主要关系
IE=IB+IC
IE>IC,IC>IB,IE>IB
IC与IB的关系:β=IC/IB,β共发射极直流放大系数
IC与IE关系:α=IC/IE,α为共基级电流放大系数
伏安特性
伏安特性曲线
输入
当Uce<1V时:发射结正偏、集电结正偏
当UcE≥1V时:发射结正偏、集电结反偏
输出
放大区
条件:发射结正偏,集电结反偏
特点:
基极控制集电集, IC=βIB
硅管0.7V;锗管0.3V
截止区
条件:发射结反偏,集电结反偏
基级电流IB=0,集电极IC小, IC≈IE≈0
集电极和发射极相当于断开
饱和区
条件:发射结正偏,集电结正偏
Uce增,Ic升
饱和电压:硅Uces=0.3V,锗Uces=0.1V
发射结正偏:硅0.7V,锗0.3V
放大电路
基本原理
本质:直流电源的能量转交流信号的能量
定义:能够放大微弱信号的模拟电路
按信号强弱
电压放大电路
功率放大电路
按信号频率
直流放大电路
低频放大电路
高频放大电路
按使用器件
电子管放大电路
晶体管放大电路
场效应管放大电路
集成运算放大电路
性能
放大倍数A
电压:Au=uo/ui
电流:Ai=io/ii
功率:Ap=Po/Pi
输入电阻Ri 定义:输入端看向输出端
输出电阻Ro 定义:输出端看向输入端
放大电路的等效电阻
失真
非线性
截止失真:导致输出波形顶部失真
饱和失真:导致输出波形底部失真
频率失真:电容很电感不同频率造成
组成原理
直流电路
放大信号提供能量
三极管处于放大状态
耦合电容
输入信号能加到三极管的发射结
放大的信号有效的输给负载
规定
直流分量:用lb、 lc、Ube丶Uce
交流分量的瞬吋値:用ip丶 ic、 ube丶uce
交流分量的有效値:用Ib、lc、Ube、 Uce
总量変化 :用ib、ic丶UBE丶UcE
直流通路:交流信号源置零,电容对直流开路
交流通路:直流电压源置零;耦合电容视为短路
分析
静态分析
估算法 直流负载线方程:
Ucc=IbqRb+Ubeq
Uce=Vcc-IcRc
作图法
根据方程作曲线
作出输出直流负载线
找到输出曲线的Q点
Rb对Q的影响:Ibq=(Ucc-Ube)/Rb
Rc对Q的影响:Uce=Ucc-IcRc
Vcc对Q的影响:平行原位置上下移动
动态波形分析:ic=Icq+ic, Uce=Uceq+Uce