大学物理——模电第一章：常用半导体器件

模电很重要也很难学，希望可以帮助到你

常用半导体器件

• 双极晶体管（三极管）BJT
  • 体积小、重量轻、寿命长
  • 分类及结构
  • 电流放大作用
    • 基本共射放大电路
      • 发射结正偏&集电结反偏
      • Vcc>Vbb
    • 内部载流子的运动
      • 发射结：正向电压，扩散运动
      • 基区：复合作用
      • 集电结：反向电压，漂移运动
    • 放大系数
      • 共射
      • 共基
  • 晶体管的共射特性曲线
    • 输入特性曲线
    • 输出特性曲线
  • 温度对BJT的影响
    • 输入特性:温度⬆正向特性左移
      • 温度每升高1℃，大约变化2-2.5mV
    • 输出特性:温度⬆ICBO⬆
• 场效应管FET
  • +内阻高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强
  • 分类及结构
    • 结型
      • P沟道（耗尽型）
      • N沟道（耗尽型）
    • 绝缘栅型（MOS管）
      • N型
        • 增强型
        • 耗尽型
      • P型
        • 增强型
        • 耗尽型
  • 结型FET
    • 工作原理
      • ds短路时
      • VGS不变，改变VDS
    • 特性曲线
      • 转移特性
      • 输出特性
        • 可变电阻区
        • 恒流区（放大工作区）
        • 夹断区
  • MOS管
    • N沟道增强型
    • N沟道耗尽型
    • 主要参数
• 半导体二极管
  • 分类及结构
    • 点接触
    • 面接触
    • 平面型
  • 伏安特性
  • 主要参数
    • 最大整流电流
    • 最高反向工作电压
    • 反向电流
    • 最高工作频率
  • 折线化得到的等效电路
    • 理想二极管（远远大于Uon）
    • 几倍大于Uon
    • 接近Uon
  • 典型应用
    • 半波整流
    • 全波整流
    • 检波电路-智能车
  • 稳压二极管
    • 工作在反向电压中
    • 伏安特性
      • 反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变
    • 主要参数
• 半导体基础知识
  • 本征半导体
    • 两种载流子（自由电子&空穴）参与导电
    • 导电性很差，且与环境温度密切相关
    • 可制作热敏和光敏器件
  • 杂质半导体
    • N型半导体-5价
      • 多子-电子
      • 少子-空穴
    • P型半导体-3价
      • 多子-空穴
      • 少子-电子
    • 多子浓度=掺杂质原子的浓度（受温度影响小）少子浓度=本征激发（受温度影响大）
  • PN结
    • 形成
      • 扩散运动（多子）
      • 空间电荷区（耗尽层）
      • 漂移运动（少子）
    • 单向导电性
      • 正向偏置
      • 反向偏置
    • 伏安特性
      • 正向特性
      • 反向特性
        • 雪崩击穿（低参杂，高电压）
        • 齐纳击穿（高参杂，低电压）
    • 电容效应
      • 势垒电容（反向电压）
      • 扩散电容（正向电容）
• • 预夹断：其实存在电流
• • 箭头方向：P→N