导图社区 大学物理——模电第一章：常用半导体器件
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常用半导体器件
双极晶体管（三极管）BJT
体积小、重量轻、寿命长
分类及结构
电流放大作用
基本共射放大电路
发射结正偏&集电结反偏
Vcc>Vbb
内部载流子的运动
发射结：正向电压，扩散运动
基区：复合作用
集电结：反向电压，漂移运动
放大系数
共射
共基
晶体管的共射特性曲线
输入特性曲线
输出特性曲线
温度对BJT的影响
输入特性:温度⬆正向特性左移
温度每升高1℃，大约变化2-2.5mV
输出特性:温度⬆ICBO⬆
场效应管FET
+内阻高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强
结型
P沟道（耗尽型）
N沟道（耗尽型）
绝缘栅型（MOS管）
N型
增强型
耗尽型
P型
结型FET
工作原理
ds短路时
VGS不变，改变VDS
特性曲线
转移特性
输出特性
可变电阻区
恒流区（放大工作区）
夹断区
MOS管
N沟道增强型
N沟道耗尽型
主要参数
半导体二极管
点接触
面接触
平面型
伏安特性
最大整流电流
最高反向工作电压
反向电流
最高工作频率
折线化得到的等效电路
理想二极管（远远大于Uon）
几倍大于Uon
接近Uon
典型应用
半波整流
全波整流
检波电路-智能车
稳压二极管
工作在反向电压中
反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变
半导体基础知识
本征半导体
两种载流子（自由电子&空穴）参与导电
导电性很差，且与环境温度密切相关
可制作热敏和光敏器件
杂质半导体
N型半导体-5价
多子-电子
少子-空穴
P型半导体-3价
多子-空穴
少子-电子
多子浓度=掺杂质原子的浓度（受温度影响小）少子浓度=本征激发（受温度影响大）
PN结
形成
扩散运动（多子）
空间电荷区（耗尽层）
漂移运动（少子）
单向导电性
正向偏置
反向偏置
正向特性
反向特性
雪崩击穿（低参杂，高电压）
齐纳击穿（高参杂，低电压）
电容效应
势垒电容（反向电压）
扩散电容（正向电容）
预夹断：其实存在电流
箭头方向：P→N