导图社区 静电场
以下是一篇关于静电场的思维导图,介绍了基本现象和基本规律、电场强度、高斯定理、电势及其电势梯度、带电体系净电能。
《半导体工艺与制造技术》第四章 氧化,氧化过程是在半导体表面生成一层氧化膜的过程,这层氧化膜在半导体器件的制造中具有重要作用,如作为绝缘层、掩蔽层、钝化层等。
“半导体工艺与制造技术 - 扩散”从掺杂概述切入,介绍杂质相关基础。进而详细阐述扩散工艺,含工艺分类、流程等。接着深入讲解杂质扩散机制与效应、扩散系统与扩散方程。还涉及扩散杂质的分布、影响其分布的其他因素、分析表征以及杂质分布的数值模拟 ,全面且系统地呈现了半导体扩散工艺的知识体系。
围绕半导体工艺与制造技术展开,涵盖多方面内容。开篇介绍半导体产业政策、发展现状、基础概念及产业链。接着阐述基本材料知识,如相图、晶体结构和缺陷类型 。然后讲解晶圆制备,包括直拉法、布里奇曼法等生长方法,以及掺杂、制备流程、规格和清洗工艺,全面呈现了半导体制造从基础理论到关键制备环节的要点。
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第14章DNA的生物合成读书笔记
第一章 静电场
1. 知识框架
2. 基本现象和基本规律
静电现象
库伦定律
静电场领域的基础公式,将研究相互作用的问题,进一步提升到研究场和能量的问题
从数学角度去理解
电势梯度负值为电场强度
电场强度散度(高斯定理):有源
电场强度旋度(环路定理):无旋
3. 电场 电场强度
电场
电场线
等势面
电场强度矢量
三种求法
叠加原理
点系
连续带电体
高斯定理
要求体系具有高度的对称性,使E能拿出积分符号外
电势梯度的负数(梯度算符作用在势场函数上)
这是一种重要优先考虑方法,因为计算电势是标量叠加,再进一步梯度求E(省去了电场强度叠加过程中的方向性问题)
几种模型E的结论
点电荷
无限长均匀带电直导线
无限大带电平面
环带
圆盘
半圆
半球
电场叠加原理
4. 高斯定理
电场强度通量
5. 电势及其电势梯度
做功与路径无关
静电场安培环路定理
电势差
电势
求法
定义
叠加
此处引申出一类问题,已知接地电势为0,利用电势为0列方程求出分布的电荷量q
由单位试探电荷的做功问题引出势场
电势叠加原理
电势梯度
6. 带点体系静电能
点电荷之间的相互作用能
电荷连续分布情形的静电能
物理意义的理解
把各带电体从无穷远处迁移到固定的位置所做的功等于他们之间的相互作用能;再把带电体上各部分电荷从无限分散状态聚集起来到固定结构所做的功,就是带电体的自能
对于单个独立带电体,静电能等于自能
电荷在外电场中的能量
电偶极矩与电场点乘的相反数
带点体系受力问题
电偶极矩
物理意义
在数值上可以理解成将一个电偶极子垂直放在一个单位场强的电场中时受到的力偶矩。
在物理学里,电偶极矩衡量正电荷分布与负电荷分布的分离状况,即电荷系统的整体极性。
对于分别带有正电量+q 、负电量-q的两个点电荷,电偶极矩p为:p=qd。
方向
其中,d是从负电荷位置指至正电荷位置的位移矢量。电偶极矩p的方向是从负电荷指向正电荷,电偶极矩与电荷的位置有关,与电场线无关。
偶极矩
偶极矩(dipolemoment)是正、负电荷中心间的距离和电荷中心所带电量的乘积,它是一个矢量,方向规定为从正电中心指向负电中心,用符号μ表示,单位为D(德拜)
偶极矩的数学表达式为μ=qd。根据讨论的对象不同,偶极矩可以指键偶极矩,也可以是分子偶极矩。分子偶极矩可由键偶极矩经矢量加法后得到。实验测得的偶极矩可以用来判断分子的空间构型。