晶体结构

这是一篇关于晶体结构的思维导图，主要内容包括：硅酸盐晶体结构，无机化合物结构，单质晶体结构，晶体中质点的堆积，晶体中质点的结合能与结合力，晶体学基础。

晶体结构

• 晶体学基础
  • 布拉菲点阵
    • 三斜
      • 简单
    • 单斜
      • 底心
      • 简单
    • 斜方（正交）
      • 简单
      • 底心
      • 体心
      • 面心
    • 三方
      • 简单
    • 正方
      • 简单
      • 体心
    • 六方
      • 简单
    • 立方
      • 简单
      • 体心
      • 面心
  • 结晶学指数
    • 晶向指数
    • 晶面指数
  • 晶带轴
• 晶体中质点的结合能与结合力
  • 键
    • 化学键
      • 共价键
        • 原子晶体
      • 离子键
        • 离子晶体
      • 金属键
        • 金属晶体
    • 物理键
      • 范德华键
      • 氢键
      • 分子晶体
  • 晶体的结合能与结合力
• 晶体中质点的堆积
  • 最密堆积原理
  • 最密堆积方式
    • 六方最密堆积
    • 面心最密堆积
• 单质晶体结构
  • 常见的金属晶体
    • 面心立方：Au，Ag，Cu，Al，等
    • 体心立方：V,Mo等
    • 密排六方：Zn，Mg，Li等
  • 非金属
• 无机化合物结构
  • AX型
    • NaCl，立方，Cl离子做面心立方紧密堆积，Na离子填充八面体空隙的100%，正负离子配位数为6
    • CsCl，立方，正负离子做简单立方紧密堆积，CN=8
    • 立方ZnS，S离子做面心立方紧密堆积，Zn离子占据四面体空隙的一半
  • AX2型
    • 萤石（CaF2），立方，Ca离子做面心立方紧密堆积，
    • 方英石
    • 金红石（TiO2），四方，O离子做变形六方紧密堆积，Ti离子填充八面体空隙的一半
    • CdI，三方，I离子做变形六方紧密堆积，Cd离子填充一半的八面体空隙
  • A2X3型
    • 刚玉（a-Al2O3），三方，O离子做近似HCP，Al离子填充八面体空隙的三分之二
  • ABO3型
    • 钛铁矿（FeTiO3）
      • O离子做HCP排列，Al离子填充八面体空隙的三分之二
  • ABO4型
    • 白钨矿（PbWO4），四方
  • AB2O4型
    • 尖晶石（MgAl2O4)，立方，
  • 鲍林规则
    • 配位多面体，电价，多面体共顶、面、棱，不同多面体连接，节约
• 硅酸盐晶体结构
  • 硅酸盐的共同特点（4条）
  • 类型
    • 岛状结构（1：4），[SiO4]彼此孤立
      • Zr[SiO4],四方，硅氧四面体彼此孤立，依靠Zr离子连接
      • Mg2[SiO4]，斜方，O离子近似HCP，Si离子填充八面体空隙的一半，[SiO4]彼此孤立，靠[MgO6]连接
    • 组群状，[SiO4]通过公用O连接
      • 双四面体（2：7）
        • Ca2Mg[SI2O7]，标高45的[SiO4]与标高55的[SiO4]方向相反，双四面体利用Mg和Ga离子连接
      • 三节环（1：3）
      • 六节环（1：3）
        • 绿宝石（Be3Al2[Si6O18]，六方，[SiO4]与[BeO4],[AlO6]之间共顶连接，[AlO6]与[BeO4]共棱
      • 四节环（1：3）
    • 链状，[SiO4]通过共用O连接
      • 单链（1：3）
      • 双链（4：11）
    • 层状（平面层）（4：11），[SiO4]通过3个桥氧连接
      • 单网
        • 高岭石，三斜Z=1
      • 复网
        • 滑石，蒙脱石，白云母
    • 架状（1：2），[SiO4]每个顶点均为桥氧
      • a-石英，六方，b-石英，三方
      • 长石
        • 正长石，斜长石
      • a-鳞石英，六方