导图社区 模拟电子技术基础
模电半导体的知识，半导体是一种导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其导电性可以通过掺杂、温度变化和电场效应等来控制。
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民法分论
半导体
基础知识
本征半导体
晶体结构
两种载流子（电子，空穴）
杂质半导体
N型半导体（电子为多子）
P型半导体（空穴为多子）
载流子浓度
热平衡条件（多子*少子浓度=载流子浓度的平方）；电中性条件（多子=参杂+少子）
多子浓度近似等于参杂浓度，与温度无关；少子浓度随温度升高而显著增加
当温度升高杂质半导体会变成本征半导体
PN结
两种导电机理
扩散运动（浓度差）
漂移运动（电场力）
PN结的形成
浓度差，多子扩散，产生空间电荷区，内建电场（阻碍多子扩散，利于少子漂移），动态平衡
单向导电性
正向电压，外电场与内电场方向相反，耗尽层变窄，（多子浓度增大）扩散运动加剧，导电能力增强
T=300K时，UT=26mv，为温度的电压当量
伏安特性
正向导通，反向截止
反向击穿
齐纳击穿（高参杂）
雪崩击穿（反向电压较大）
电容特性
势垒电容（变容二极管）
扩散电容
温度特性

二极管
结构
点接触型，面接触型，平面二极管
图，开启电压，反向电流（二者对温度敏感）
主要参数
最大整流电流（平均）IF，最高反向工作电压UR=0.5UBR，反向电流IR（饱和IS），最高工作频率
模型
数学模型（计算机辅助分析）
曲线模型
直流简化模型
理想模型
恒压（降）模型
折线模型
微变等效模型
在静态工作点时，将二极管等效为动态电阻（交流电阻），rd=UT/ID，Q点越高，rd越小
特殊二极管
稳压二极管
伏安特性（击穿区很抖）
稳压二极管（必须串联一个限流电阻）可以用作普通二极管，反之不行。
稳定电压UZ（反向击穿电压）
稳定电流IZ（IZmin，IZmax）
额定功耗PZM，动态电阻rz=DUZ/DIZ
解题
假设二极管开路，计算其两端电压U，若U>UZ，则可能处于稳压状态；再计算二极管I（U=UZ），若I<Imax，则处于稳压状态。
光电二极管
利用PN结对光敏感
发光二极管
正偏导通特性（LED灯，显示屏）
变容二极管
势垒电容特性
三极管
三个极，三个区，两个结
三种工作模式与主要特性
截止模式，放大模式（发射结正偏，集电结反偏）（正向受控特性），饱和模式。
放大原理
内部载流子运动
电流传输方程
三种组态
共基极cb，共发射极ce，共集电极cc

电流放大系数：共射b，共基a
两个方程（IE=IB+IC，IC»bIB）
伏安曲线（共射）
输入特性
输出特性
截止区，饱和区，放大区
理想输出特性
直流，交流，极限参数
温度对参数的影响
温度升高，UBE（on）开启电压减小，ICBO集电结反向饱和电流增大，b增大
等效模型
数学模型，曲线模型
放大模式
饱和模式
截止模式
h参数等效模型（混合Π型小信号模型）,rbe=rbb`(题干给出）+bUT/ICQ
