导图社区 双极性晶体管及其基本放大电路
这是一篇关于双极性晶体管及其基本放大电路的思维导图,主要内容包括:分析电路,建立模型,电路应用,搭建电路,认识器件。
编辑于2025-11-05 23:29:13双极性晶体管及其基本放大电路
分析电路
静态分析
直流通路
电容视为开路
电感线视为短路
交流电源短路,保留电阻Rs
静态分析估算法
列方程,导通压降认为是0.7V
静态分析图解法
各个参量对Q点的影响
Rb
输入曲线的纵截距(Vcc/Rb)变低,但是横截距不变,所以负载线变得更趴,Q下移
Rc
k=-1/Rc,变得更趴,Q左移(同一高度)
Vcc
纵截距和横借据等比例减小,负载线平行下移,Q下移
β
Uceq减小就是横坐标往回缩嘛,直流负载线形状又不变,Q点会沿直流负载线上移
动态分析
交流通路
电容视为短路
直流电源视为短路
Vcc接地置零
围绕三极管来画!
图解法
分析非线性失真(以NPN管为例)
截止失真
Q过低,进入截止区
减小Rb
顶部失真
饱和失真
Q过高
增大Rb,减小Rc
底部失真
最大不失真输出电压
直流负载线与交流负载线
斜率比较
有负载的情况下,交流负载线更加陡峭
拓展:直接耦合放大电路的负载线
结论:无论是空载还是带负载情况,直流负载线与交流负载线都是重合的
静态工作点稳定技术
定义
Q点稳定 和Uoe在温度变化时基本不变。
必要性
温度对静态工作点的影响 Q点不仅决定电路是否会产生失真,还影响着电压放大倍数,输入输出电阻等动态参数,合理选择Q点并使之稳定,就成为电路正常且稳定工作的关键。
因素
Q不稳定的因素: 1)电源电压的波动 2)元件的老化 3)温度的变化
方法
二极管温度补偿
直流负反馈补偿(Ub恒定)
前提
在I1>>lbq的情况下,Ubq在温度变化是基本不变
温度升高的过程
T.上升-->Ie上升-->Ue上升-->Ube下降-->Ib下降-->Ic下降.
温度下降的过程
下降-->Ie下降-->Ue下降--> Ube升高--> Ib升高-->Ic升高
动态分析
静态:旁路电容相当于开路,不影响Re对Q的稳定作用
动态:旁路电容相当于短路,消除了Re对电压放大倍数的影响
建立模型
h参数微变等效模型 (由数学推导到电路结构的思想)
所谓微变等效,就是把非线性元件(晶体管)线性化,把放大电路等效一个线性电路
1.晶体管微变等效电路模型成立的前提:微变小信号(由于没有考虑结电容的作用) 2.不能用来分析静态特性和求解静态直流工作点Q 3.晶体管微变等效电路模型中,电流源,其大小和方向均受控制,
具体步骤
Step1:画出交流通路,标出b、c、e三极
Step2:b和e之间画rbe并标ib,c和e之间画一个流控电流源,标βib(注意两个电流的方向)!!
Step3:用基本定律分析即可
rbe的意义
晶体管的动态等效输入电阻
只有通过静态分析,才能求得rbe的值
rbe与静态工作点密切相关
架起了动态与静态的桥梁
应用:求解其他参量
电压放大倍数
当信号源有内阻Rs时
这里的Uo是输入电阻和内阻的分压
输入电阻
越大越好
信号拾取能力
输出电阻
越小越好
带负载能力
如何求解
电路应用
放大
共射放大电路
信号拾取能力、带负载能力弱
阻抗匹配
共集放大电路
也叫做射极跟随器
只能实现电流放大,电压放大倍数<1并且趋于1
功率放大√
优点
同相放大
输入阻抗大(与负载有关),输出阻抗小(与信号源内阻有关)
信号拾取能力和带负载能力都比较强
应用
1.放在多级放大器的输入端,提高整个放大器的输入电阻。 2.放在多级放大器的输出端,减小整个放大器的输出电阻。
超宽带放大电路
共基放大电路
电压放大作用, 没有电流放大
电流跟随器
输入电阻小,输出电阻大
高频特性较好,常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合
总结
搭建电路
放大的本质和基本要求
左:信号源source 右:负载 注:上面两个都不是放大电路!只有中间的部分是放大电路
本质是能量的转换和控制
必须有直流电源供电,才能保证能量守恒!
不失真是放大的前提
由于有两个源,所以必须用叠加定理
静态:没有输入信号,各点的电流和电压都是直流量
动态:有输入信号,随交流信号而变化
静态“驼载”着动态
符号规定:IB:直流分量 ib交流分量;iB总瞬时值(交流波形平移直流的高度) Ib有效值
技术指标
静态
1.静态工作点Q
IB,UBE,IC,UCE,两两配对,在输入和输出的特性曲线上唯一确定了一个点
三个参数
1.放大倍数(无单位/单位为分贝)
电压是重点!!
2.输入电阻Ri
从输入端看进去的电阻(不是信号源!!)
Ri=Ui/Ii
电压放大时,R越大越好
分压更大,能够索取信号源更多
信号拾取能力更强
电流放大时,R越小越好
3。输出电阻
从输入端看进去的等效电阻,也就是戴维南等效电阻
1.负载开路 2.电源置零 3.外接电源求激励
电压放大时越小越好
与负载抢的越少,带负载能力越强
电流放大时,越大越好
组成原则与组态划分
组成原则和组态划分
偏置
Rb:确定静态工作点Q Rc:集电极电阻):将集电极电流 IcIc 的变化转化为电压变化,实现电压放大。
组态
快速判断:找到交流信号的输入端管脚,再找负载从哪个管脚去输出,剩下的极就是共的极 判断组态一定得是交流,会优先走电容,短路电阻
工作原理
链式反应(最终共射实现反向放大)
直流是基础,交流是目标!
认识器件
三极管(晶体管)
结构和符号
结构
三个极、三个区、两个结
三个区的特点
发射区:掺杂浓度最高,发射载流子
基区:最薄,掺杂浓度最低,传送和控制载流子
集电区;面积最大,收集载流子
成功放大对两个结的要求: 发射结正偏,集电结反偏
符号
题型1:根据电位关系,在放大条件下确定管子类型和三个极
判管子类型: 0.7V硅管
1.电位大小在中间的,一定是基极b 2.由于保证发射结正偏,所以比基极小0.7的一定是发射极e 3.剩下的就是集电极c 若集电极电势最高,所以是NPN型三极管 否则为PNP型三极管
题型2:判断三极管工作状态
法1:结偏置法
法2:电流关系法
主要参数
放大倍数
极限参数
都是纳安级别,受温度影响大,故越小越好,温度稳定性越好
穿透电流就是Ib=0时,Ic略微>0的原因
Iceo=(1+β)Icbo
决定安全工作区
电流关系Ie=Ib+Ic
伏安特性
输入特性曲线
控制Uce不变,调整Vbb,得到Ib和Ube的关系
输出特性曲线
1.每一个确定的Ib,对应一条输出曲线
2.在恒流区确定Ib,读出Ic,可确定β拔和β,读图即可 3.在恒流区,Ic不受Uce影响,只受Ib控制(电流控制元件BJT) 4.等效成一个电流控制电流源
温度的影响
对输入特性曲线的影响
对输出特性曲线的影响
三个区
放大区
发射结正偏,集电结反偏
截止区
发射结反偏,集电结反偏
Ic≈0
Uce三个区最大,接近电源电压
饱和区
发射结正偏,集电结正偏
Uces这个参数(缺b,故b极开路,是C和E之间的电压降) 本来应该是一个理想的闭合的开关,不应该有压降,实际却有压降 越小越好,说明功率损耗越小!
晶体管的开关作用
截止区:输入低电平,输出高电平 饱和区:输入高电平,输出低电平 逻辑“非”
学习重点与难点
一、学习重点
1. 晶体管结构与工作原理
三极管三个区(发射区、基区、集电区)的特点与作用。
放大条件:发射结正偏,集电结反偏。
电流关系:Ie = Ib + Ic。
2. 三极管工作状态判断
结偏置法:根据偏置状态判断放大、饱和、截止区。
电流关系法:通过电流大小判断状态。
3. 静态工作点(Q点)
Q点的定义与重要性:决定电路是否失真、影响动态参数。
静态分析方法:
估算法(列方程,假设 Ube ≈ 0.7V)
图解法(负载线与特性曲线交点)
4. 放大电路性能指标
电压放大倍数 Au
输入电阻 Ri(越大越好,信号拾取能力强)
输出电阻 Ro(越小越好,带负载能力强)
5. 三种基本组态
共射:电压放大能力强,反向放大。
共集(射极跟随器):电压放大≈1,输入电阻大,输出电阻小。
共基:高频特性好,输入电阻小。
6. 微变等效电路(h参数模型)
将非线性晶体管线性化。
rbe 的计算与意义:连接静态与动态分析的桥梁。
分析步骤:画交流通路 → 替换为等效模型 → 求解动态参数。
7. Q点稳定技术
温度对 Q 点的影响机制。
稳定方法:
二极管温度补偿
直流负反馈(如 Re 电阻)
二、学习难点
1. 三极管工作状态判断
尤其在复杂电位下判断 NPN/PNP 类型及三个极。
区分饱和、放大、截止状态的条件。
2. 静态与动态分析的切换
直流通路 vs 交流通路:
电容、电源的处理方式不同。
容易混淆“开路”与“短路”的条件。
3. 微变等效模型的理解与应用
rbe 与静态电流 IE 的关系:
电流源的方向与控制关系(β·ib)容易画错。
4. 交流负载线与直流负载线的区别
有负载时,交流负载线更陡峭。
图解失真分析时,Q点位置对失真的影响(截止失真 vs 饱和失真)。
5. 三种组态的性能比较与应用场景
共射、共集、共基的输入/输出电阻、放大能力、频率特性差异。
如何根据需求选择合适的组态(很重要!)
6. Q点稳定机制的理解
负反馈稳定过程(如:T↑ → Ie↑ → Ue↑ → Ube↓ → Ib↓ → Ic↓)
旁路电容 Ce 在静态和动态下的不同作用。