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计算机组成原理—— 第三章、存储系统 第三章、存储系统
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存储系统
层次结构
结构
cache
主存
磁盘
主要体现
cache-主存层次
对CPU的访存加速
硬件自动完成
主存-辅存层次
扩容
虚拟存储技术
半导体存储器
组成
存储矩阵
译码驱动
读写电路
地址线
片选线
读写控制线
单向
数据线
双向
分类
RAM
SRAM
双稳态触发器记忆信息,不需要刷新
集成度低、功耗大、速度快
DRAM
栅极电容来存储信息,电荷易失,需要刷新
大容量主存系统
集成度高、价位低、容量大、功耗低
刷新
刷新周期
2ms
死时间
刷新方法
集中
分散
无死时间
异步
地址复用
地址线减半
片选线翻倍
ROM
MROM
生产写,后不能修改
PROM
用户专门设备写,写后不能更改
EPROM
用户写入,多次修改
可改写,但次数有限且慢,不能作为随机存储器
flash
不加电可长期保存信息,且快速擦写
属于只读存储器
主存与CPU的连接
扩展
字扩展
地址线、数据线、读写线并联
片选译码
可以不同时工作
位扩展
地址线、片选线、读写线并联
数据端分别引出
同时工作有效
字位扩展
组间字扩展、组内位扩展
片选
线选法
译码片选法
提速方法
双端口RAM
两个独立端口,允许两个独立控制器同时异步访问
多模块存储器
单体多字
多体并行
高位交叉
低位交叉
流水线技术
Cache
目的:解决主存与CPU在速度上的矛盾
CPU
主存信息的副本,不单独计入存储系统容量中
命中率
映射
直接映射
固定位置mod
全相联
任意位置
组相联
组内全相联,组间直接
替换
随机-RAND
先进先出-FIFO
最近最少使用-LRU
最不经常使用-LFU
写
全写
同时写入cache和主存
写回
命中只写cache,替换写回主存
虚拟存储器
目的:解决主存不足
基本分类
页式
固定块,物理结构划分,内部碎片
段式
块大小不定,逻辑结构划分,外部碎片
段页式
分段+分页,内部碎片
组成部分
页表机制
查表
中断机构
缺页中断
地址变换机构
逻辑地址变物理地址
内存和外存
硬件支持
置换算法
OPT
置换以后不用
FIFO
LRU
最近最久未用
CLOCK
最近未用
改进CLOCK
地址翻译
TLB->页表(TLB不命中)->cache->主存->外存