导图社区 晶体缺陷
这是一篇关于晶体缺陷的思维导图,晶体缺陷(crystal defects)是指晶体内部结构完整性受到破坏的所在位置。主要内容包括:位错,面缺陷,点缺陷。
这是一篇关于第一章 晶体学基础的思维导图,主要内容包括:1.5 晶面间距、晶面夹角和晶带定理,1.4 Miller指数,1.3 晶体的对称性(了解),1.2 布拉菲点阵,1.1 晶体的周期性和空间点阵。
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晶体缺陷
点缺陷
类型
空位
间隙原子
置换原子
本征缺陷分类
弗兰克缺陷
肖特基缺陷
平衡浓度
C=n/N=Aexp[-E/kT]=Aexp[-Q/RT]
运动
迁移
复合(湮灭)
过饱和点缺陷
途径
高温淬火
高能粒子辐射
冷加工塑性变形
影响
热导率减小
电导率降低
提高金属屈服强度
面缺陷
位错
刃型位错
有多余半原子面
位错滑移面唯一
有正应变,又有切应变,下方拉应力,上方压应力
位错线不一定是直线,也可是折线或曲线
正刃和负刃相对存在,晶体旋转180°则正负号改变
螺型位错
无多余半原子面
位错滑移面不唯一
只有平行于位错线的切应变,无正应变(只引起剪切畸变)
位错线只能是直线
左螺和右螺客观存在,不会改变左右
混合位错
滑移面唯一
位错线不能终止在晶体内部
柏氏矢量
柏氏矢量与刃型位错线垂直
右手定则
b顺时针转到ξ,正刃
b逆时针转到ξ,负刃
柏氏矢量与螺型位错线平行
b与ξ同向为右螺
b与ξ反向为左螺
位错的运动
滑移
交滑移(螺型位错)
刃型位错的攀移
正攀移
压应力,空位迁移到位错线,半原子面减小
负攀移
拉应力,原子扩散到位错处,半原子面扩大
位错的弹性性质
位错的应力场
正应力分量与切应力分量同时存在 (滑移面上正应力为零,只有切应力)
各应力分量与z值无关,表明与刃型位错线平行的直线上各点应力相同
应力场对称于y轴
没有正应力分量
切应力分量只与距位错中心的距离r有关 距位错中心越远,切应力分量越小
位错的应变能 (与b²成正比)
位错运动的动力与阻力
派-纳力
位错的线张力 (使位错变直变短)
位错间的相互作用、位错的塞积、位错的交割、位错与点缺陷的交互作用
位错的生成与增殖
位错密度
ρ=L/V 单位体积晶体中所含位错线的总长度
ρ=n/S 垂直于位错线的单位截面中所穿过的位错线数目
实际晶体位错
堆垛层错
不全位错(分位错)
位错反应
位错反应是否能进行: 几何条件:Σb前=Σb后 能量条件:Σb²前>Σb²后