导图社区 晶体结构缺陷
材料科学基础(武汉理工大学出版)之晶体结构缺陷
编辑于2019-11-13 13:49:39三、晶体结构缺陷
通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷
点缺陷
一、点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号

空位V
间隙原子i
错位原子
概要

自由电子e与电子空穴 h
带电缺陷
概要

二、缺陷反应方程式的写法
位置关系
在化合物MaXb中,无论是否存在缺陷,其正负离子位置数(即格点数)的之比始终是一个常数a/b,即:M的格点数/X的格点数=a/b。如NaCl结构中,正负离子格点数之比为1/1,Al2O3中则为2/3。
质量平衡
与化学反应方程式相同,缺陷反应方程式两边的质量应该相等。 注意:缺陷符号的右下标表示缺陷所在的位置,对质量平衡无影响;空位质量为零。
电中性
电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等,晶体必须保持电中性
三、热缺陷的平衡浓度
在一定温度下,热缺陷是处在不断地产生和消失的过程中,当单位时间产生和复合而消失的数目相等时,系统达到平衡,热缺陷的数目保持不变。
肖脱基缺陷的平衡浓度
 ΔGs为形成一对正负离子空位时系统自由焓的变化
弗伦克尔缺陷的平衡浓度
 ΔGF为形成一个弗伦克尔缺陷时系统自由焓的变化
四、热缺陷在外力作用下的运动
间隙质点在外力作用下的运动
空位在外力作用下的运动
间隙质点的运动方向与外力方向相同。 空位的运动方向与外力方向相反。
五、热缺陷与晶体的离子导电性
线缺陷
滑移的定义:在外力作用下,一部分相对另一部分(晶面、晶向)的平移。 滑移的结果:塑性变形,表面形成台阶。 晶体滑移的临界分切应力(tc) :开动晶体滑移系统所需的最小分切应力。 滑移的可能性(滑移系统):在最密排晶面(称为滑移面)的最密排晶向(称为滑移方向)上进行。
位错的类型
刃位错
 
几何特征
1)位错线与原子滑移方向相垂直
2)滑移面上部位错线周围原子受压应力作用,原子间距小于正常晶格间距
3)滑移面下部位错线周围原子受张应力作用,原子间距大于正常晶格间距。
分类
正刃位错
“”
负刃位错
“T”
水平线代表滑移面,垂直线代表半个原子面
螺位错
 
几何特征
1)位错线与原子滑移方向相平行
2)位错线周围原子的配置是螺旋状的
分类
左旋
右旋
概要
中小圆点代表与该点垂直的位错,旋转箭头表示螺旋的旋转方向。它们之间符合左手、右手螺旋定则(拇指:前进方向,其余四指:旋转方向)。
混合位错
在外力t作用下,两部分之间发生相对滑移,在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向 位错线上任意一点,经矢量分解后,可分解为刃位错和螺位错分量。
位错的伯格斯矢量及位错的性质
伯格斯矢量:晶体中有位错存在时,滑移面一侧质点相对于另一侧质点的相对位移或畸变。 性质:大小表征了位错的单位滑移距离,方向与滑移方向一致。
伯格斯矢量的确定及表示
 
确定伯格斯矢量的步骤
(1)在实际晶体中,从一原子出发,围绕位错以一定的步数做一闭合回路。
(2) 用右手螺旋定则确定伯格斯回路方向
(3)在完整晶体中,按照同样的方向和部署做相同的回路,最后封闭回路的矢量即要求的伯氏矢量
伯氏矢量的表示方法

b=ka[uvw]
伯氏矢量的特性
守恒性
对一条位错线而言,其伯氏矢量是固定不变的
唯一性
一条位错线只有一个伯氏矢量
连续性
位错线不可能中断于晶体内部。在晶体内部,位错线要么自成环状回路,要么与其它位错相交于节点,要么穿过晶体终止于晶界或晶体表面
合成与分解
如果几条位错线在晶体内部相交(交点称为节点),则其中任一位错的伯氏矢量等于其他各位错的伯氏矢量之和;或者说指向节点的各位错的伯氏矢量之和,必然等于离开节点的各位错的伯氏矢量之和
位错的运动
位错的运动
位错滑移的机理
正刃位错滑移方向与外力方向相同
负刃位错滑移方向与外力方向相反
位错的滑移特点
(1)刃位错滑移方向与外力t及伯氏矢量b平行,正、负刃位错滑移方向相反。
(2)螺位错滑移方向与外力t及伯氏矢量b垂直,左、右螺型位错滑移方向相反。
(3)混合位错滑移方向与外力t及伯氏矢量b成一定角度(即沿位错线法线方向滑移)。
(4)晶体的滑移方向与外力t及位错的伯氏矢量b相一致,但并不一定与位错的滑移方向相同。
刃位错和螺位错滑移的比较
晶体的滑移方向与外力及位错的伯氏矢量相一致,但并不一定与位错的滑移方向相同。
位错的攀移
指在热缺陷或外力作用下,位错线在垂直其滑移面方向上的运动,结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少
正攀移
半原子面缩短
负攀移
半原子面伸长
概要
位错的攀移是靠原子或空位的转移来实现的。 位错的攀移只能在高温下进行。
面缺陷
一、晶界(位错界面)
(一)小角度晶界
晶界的结构和性质与相邻晶粒的取向差有关,当取向差θ小于10o时,称为小角度晶界。
倾斜晶界

对称倾斜晶界
形成
两侧晶体的位向差为θ,相当于相邻晶粒反向各自旋转θ/2而成。
几何特征
相邻两晶粒相对于晶界作旋转,转轴在晶界内并与位错线平行。
结构特点
一系列平行等距离排列的同号刃位错
不对称倾斜晶界
形成
几何特征
扭转晶界
形成
晶粒在某晶面上发生扭转后,为了降低原子错排引起的能量增加,晶面内的原子会适当位移以确保尽可能多的原子恢复到平衡位置,不能回到平衡位置的,最后形成两组相互垂直分布的螺位错。
结构特点
晶界是由两组相互垂直的螺位错构成的网络 。
(二)大角度晶界
晶界对材料性能的影响
多晶强化
现象
1)金属材料绝大多是多晶材料
2)多晶体的屈服强度明显地高于同样组成的单晶体
解释
多晶材料不同晶粒之间存在着晶界,晶界及晶界两侧的晶粒的位向差都会增加位错运动的阻力。 位错运动的阻力来自两个方面:其一,晶粒位向不一致造成的阻力;其二,晶界本身的阻力。 与晶粒内部相比,晶界上原子排列紊乱、不规则,伯氏矢量大,使滑移的临界分切应力增加;同时杂质原子在晶界的偏聚或形成第二相颗粒沉积在晶界上,都会阻碍位错运动。
细晶强化
现象
同一种多晶体材料中,晶粒越细,屈服强度越高。
解释
晶体强化机制的实质就是阻止晶体中位错的运动。在变形晶体的滑移面上的位错,往往成列地塞积在晶界处,形成位错塞积群。晶粒越小,塞积的位错越多。
二、堆积层错

抽出型
插入型
三、反映孪晶界面
面心立方结构的晶体中的正常堆垛方式是六方密排面作……△△△△△△△△……的完全顺顺序堆垛(或与此等价,作……▽▽▽▽▽……完全逆顺序堆垛)。如果从某一层起全部变为逆时针堆垛,例如……△△△△▽▽▽▽……,则这一原子面成为一个反映面,两侧晶体以此面成镜面对称。这两部分晶体成孪晶关系,由于两者具有反映关系,称反映孪晶,该晶面称孪晶界面。
固溶体
将外来组元引入晶体结构,占据主晶相质点位置或间隙位置的一部分,仍保持一个晶相,这种晶体称为固溶体(即溶质溶解在溶剂中形成固溶体),也称为固体溶液。
固溶体的分类
根据外来组元在主晶相中所处位置不同
置换固溶体
间隙固溶体
根据外来组元在主晶相中的固溶度不同
连续型固溶体
有限型固溶体
置换型固溶体
1. 原子或离子尺寸的影响Hume-Rothery经验规则
连续固溶体

有限型固溶体

中间相或化合物

概要

2、晶体结构类型的影响
若溶质与溶剂晶体结构类型相同,能形成连续固溶体,这也是形成连续固溶体的必要条件,而不是充分必要条件。
3、离子类型和键性
化学键性质相近,即取代前后离子周围离子间键性相近,容易形成固溶体。
4、电价因素
形成固溶体时,离子间可以等价置换也可以不等价置换。
形成置换固溶体的影响因素
间隙型固溶体
间隙式固溶体的生成,一般都使晶格常数增大,增加到一定的程度,使固溶体变成不稳定而离解,所以填隙型固溶体不可能是连续的固溶体。晶体中间隙是有限的,容纳杂质质点的能力≤10%。
1. 杂质质点大小
添加的原子愈小,易形成固溶体
2. 晶体(基质)结构
晶体中空隙愈大,结构愈疏松,易形成固溶体
3 . 电价因素
形成固溶体后对晶体性质的影响
1、稳定晶格,阻止某些晶型转变的发生
2、活化晶格
3、固溶强化
4、形成固溶体后对材料物理性质的影响
晶体结构缺陷的类型
按缺陷的几何形态分类
点缺陷
空位
正常结点没有被质点占据,成为空结点
间隙原子
质点进入正常晶格的间隙位置,成为间隙质点
杂质质点
外来质点进入正常结点位置或晶格间隙,形成杂质缺陷
点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关
线缺陷(位错)
在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向较长,另外二维方向上很短
刃位错

螺位错

线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。
混合位错
刃位错和螺位错
面缺陷
面缺陷又称为二维缺陷,是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三维方向上很小。如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。
抽出型层错
插入型层错
面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关

体缺陷

按缺陷产生的原因分类
热缺陷
热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)
弗仑克尔缺陷

肖特基缺陷

温度升高时,热缺陷浓度增加
杂质缺陷
亦称为组成缺陷,是由外加杂质的引入所产生的缺陷
取代式

间隙式

特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内,则杂质缺陷的浓度与温度无关
非化学计量缺陷
指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。 它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。
特点: 其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化
其它原因
电荷缺陷
质点排列的周期性未受到破坏,但因电子或空穴的产生,使周期性势场发生畸变而产生的缺陷
辐照缺陷
材料在辐照下所产生的结构不完整性